公开了一种低成本高质量的半导体器件、在所述半导体器件的制造中使用的接合衬底以及其制造方法。公开的用于制造半导体元件的方法包括：制备单晶半导体构件的步骤（S10）；制备支撑材料的步骤（S20）；使用包含碳的接合层将支撑材料和单晶半导体构件...

本发明提供一种制造具有良好压制加工性的镁合金板的方法和通过对所述镁合金板进行卷绕而得到的镁合金卷材。在将由镁合金构成的原料板(1)预加热至280℃以下之后，利用压延辊(3)对所述经加热的原料板(1)进行压延并对得到的长的压延板进行卷绕。...

本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有表现出用于谐振镜的高质量且可实现低阈值电流的激光谐振器。成为激光谐振器的切断面(27、29)与m-n面交叉。III...

本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有能实现低阈值电流的激光谐振器且具有能提高振荡合格率的构造。成为激光谐振器的第1及第2切断面(27、29)与m-n面交...

本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有可减少因返回光引起的干扰的激光谐振器。成为激光谐振器的第1及第2切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物...

本发明提供一种光纤保持器，该光纤保持器在保持包覆光纤时允许容易地处理高强度纤维而不使接合质量下降。光纤保持器（1）包括保持器主体（6），保持器主体（6）包括光纤接纳凹槽（7）和软线接纳凹槽（8），光纤接纳凹槽（7）接纳和定位通过去除光纤...

提供一种光纤熔接部的加强部件和加强方法，其可以对多个光纤芯线以高密度集中进行加强，用于该处理的加热处理设备可以以低成本构成。一种对多个单芯光纤（11）的熔接部（12a）集中进行加强的加强部件（12），其具有：热收缩管（13）；棒状的抗张...

本发明提供了一种光纤护套去除器，其能够在不渗水且使去除涂层所需的拉力较小的情况下良好地去除涂层。在通过在护套去除部（31）中切割涂层（1b）且在加热状态下使光纤保持部（13）移动而远离护套去除器主单元（12）而从涂层中抽出玻璃纤维（1a...

提供一种Ⅲ族氮化物晶体衬底（1），其中，在满足所述晶体衬底的任意特定平行晶格面（1d）的X射线衍射条件的同时，通过利用从所述晶体衬底的主表面（1s）起的X射线穿透深度的变化进行X射线衍射测量，来获得所述晶体衬底的所述特定平行晶格面（1d...

本发明使用了具有三维网状结构的多孔树脂制品，将铝在熔融盐浴中镀覆于树脂成形体，以形成铝结构体，至少所述树脂成形体的表面已经经受了导电处理，如此形成的多孔铝包括厚度为1μm至100μm的铝层，其中该铝层的铝纯度为大于或等于98.0%、碳含...

本发明提供了一种用于制造铝结构体的方法，包括：在树脂成形体的表面上形成导电层的导电处理，所述导电层由选自由金、银、铂、铑、钌、钯、镍、铜、钴、铁和铝组成的组中的一种或多种金属制成；以及在熔融盐浴中将铝镀覆于已经进行了所述导电处理的所述树...

本发明提供了一种制造铝结构体的方法，包括：在树脂成形体的表面上形成由铝制成的导电层的导电处理；以及在熔融盐浴中将铝镀覆于所述已经进行了导电处理的树脂成形体的镀覆工序。即使采用具有三维网状结构的多孔树脂成形体时，该方法也能够在该多孔树脂成...

本发明提供了一种具有优异的成形性且难以被氧化的磁性部件用粉末、由该粉末制得的粉末成形体、以及适用于诸如稀土磁体之类的磁性部件的原料的磁性部件。所述磁性部件用粉末包含构成所述磁性部件用粉末的磁性颗粒1，并且每个所述磁性颗粒均由小于40体积...

本发明提供一种气体分解装置，其具有如下结构中的任一种：1)一种结构，其中固体电解质层上的阳极和阴极各自具有多个延伸区；所述阳极的延伸区和阴极的延伸区交替延伸以在所述阳极和所述阴极之间形成间隙；所述阴极的电阻比所述阳极的电阻大；以及与电源...

本发明公开一种光收发器，该光收发器设置有OSA、电路板、壳体、保持件以及导电的非织造材料。壳体设置有：第一空间，其中设置有光学插座并收纳外部光学连接器；以及第二空间，其中安装有电路板。这两个空间被具有切口的分隔壁分隔开，OSA的套筒穿过...

本发明提供了一种摩擦搅拌焊接用工具（1），其能够促进被接合材料在接合过程中的温度的升高，从而实现短时间内的摩擦搅拌焊接，并且其被覆层（3）具有优异的绝热性能、耐氧化性和耐磨性。具体而言，本发明公开了一种摩擦搅拌焊接用工具（1），其包括基...

本发明提供一种能够提高能量密度的氧化还原液流(RF)电池。RF电池(100)通过向正极单元(102)和负极单元(103)分别供应正极电解液和负极电解液来实施充放电。所述正极电解液和所述负极电解液各自含有钒(V)离子作为活性材料。所述正极...

提供了一种能够稳定地展示其性质并且具有高质量半导体器件以及用于生产该半导体器件的工艺。半导体器件包括具有主表面的衬底（1）以及形成在衬底（1）的主表面上并且每一个均具有相对于主表面倾斜的侧表面的碳化硅层（2-5）。侧表面基本上包含面[0...

提供了一种碳化硅半导体器件（1,100），其包括：半导体层（12），该半导体层由碳化硅制成，并且具有相对于{0001}面以不小于50°且不大于65°的范围内的角倾斜的表面（12a）；和绝缘膜（13），形成为与半导体层（12）的表面（12...

本发明提供一种具有优异抗冲击性的镁合金材料。所述镁合金材料包含含有超过7.5质量%的Al的镁合金并具有30J/cm2以上的夏氏冲击值。典型地，所述镁合金材料在高速拉伸试验中在10m/s的拉伸速度下具有10%以上的伸长率。所述镁合金具有分...