本发明提供一种可将活性层的压电极化的朝向选择为适宜方向的制作半导体发光元件的方法。在步骤S104中，一面对基板产物施加偏压，一面进行基板产物的光致发光的测定，而获得基板产物的光致发光的偏压依赖性，该基板产物通过以所选择的一个或多个倾斜角...

本发明提供一种通过升华来制造SiC晶体的方法，其中用于生长SiC晶体的气氛气体含有He。所述气氛气体可还含有N。所述气氛气体可还含有选自Ne、Ar、Kr、Xe和Rn中的至少一种气体。He在所述气氛气体中的分压优选为40％以上。

本发明提供一种对于COD具有较大耐性的III族氮化物半导体激光器元件。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。在激光波导路的两端，设有成为激光谐振器的第1及第2端面(26、...

本发明提供一种元件寿命长的III族氮化物半导体激光器元件。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。在激光波导路的两端，设有成为激光谐振器的第1及第2端面(26、28)。第1...

在半导体器件100中，通过使前表面10a具有特定的面取向，并且表面层12中存在以S换算为30×1010个/cm2至2000×1010个/cm2的硫化物及以O换算为2原子％至20原子％的氧化物，可以抑制在外延层22与III族氮化物半导体衬...

一种SiC晶锭(10a)，其设置有：底面(12a)，其具有四个边；四个侧面(12b，12c，12d，12e)，该四个侧面在与所述底面(12a)的方向相交的方向上从所述底面(12a)延伸；以及生长面(12f)，其与所述侧面(12b，12c...

本发明提供利用光纤连接器(1)机械地连接两根光纤的方法，光纤连接器(1)包括机械接合单元(2)，机械接合单元(2)用于连接具有涂层外径(D)的第一光纤，所述两根光纤包括具有小于涂层外径(D)的涂层外径(d)的第二光纤。该方法包括：第一步...

本发明公开一种稳定的光纤连接体和用于制造该光纤连接体的方法，该光纤连接体在光纤连接处理中不需要过多的工作，并且即使在高温或低温的环境中仍具有小的连接损耗。具体地说，公开如下的光纤连接体，其包括第一光纤、第二光纤和机械接合部，其中，在机械...

提供一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件能够与n型SiC区和p型SiC区这两者均形成接触并且可以抑制由于氧化导致的接触电阻增加，根据本发明的制造半导体器件的方法是包括如下步骤的制造半导体器件(1)的方法：准备由碳化硅构成的SiC层(...

本发明提供一种带连接器的线缆及其制造方法，其可以简单且容易地提高多个连接器单元间的相对位置的精度，避免产生连接故障。带连接器的线缆是将利用共同的连接器框体(5)保持有多个连接器单元(2～4)而成的复合连接器(1)与复合线缆(9)中的至少...

本发明提供一种切断特性优异、同时具有拉伸伸长特性的电线及其制造方法。所述绝缘电线是用绝缘体被覆在导体外周面上而成的，其特征在于，所述绝缘体由无卤阻燃性树脂组合物构成，在该无卤阻燃性树脂组合物中，相对于100质量份的包含30～85质量份聚...

本发明旨在使设置在引线导体上的绝缘膜薄壁化以提高密封性，而且可以均匀地制备交联层，由此提高非水电解质电池的品质稳定性及可靠性。为此，本发明的引线部件1具备绝缘膜3和熔合有绝缘膜3的引线导体2，其中所述绝缘膜3由交联层3a及热塑性树脂层3...

本发明公开一种制造玻璃预制件的方法，该方法包括：利用VAD工艺来获得玻璃微粒沉积物；以及在高温下加热所获得的玻璃微粒沉积物，从而制造透明的玻璃预制件，其中，在沉积玻璃微粒时，除了监视玻璃微粒沉积物的沉积形状并控制玻璃微粒沉积物的上拉速率...

在工序(S103)中，在n型GaN衬底(11)上生长氮化镓基半导体层(13)。在工序(S104)中，在室温下测定包含黄带波长带的波长区域及包含与氮化镓基半导体层的带边对应的带边波长的波长区域的PL光谱。在工序(S106)中，通过将黄带波...

第一碳化硅衬底(11)具有与支撑部(30)相连接的第一背面(B?1)、与第一背面(B?1)相反的第一正面(T?1)以及将第一背面(B?1)和第一正面(T?1)彼此连接的第一侧面(S?1)。第二碳化硅衬底(12)具有与支撑部(30)相连接...

本发明提供一种压粉铁心以及制备所述压粉铁心的方法，其中即便对热处理成形体的表面进行磨削，仍可以在磨削步骤中确保磨削面上软磁性颗粒之间的绝缘性。所述方法包括：制备步骤，其中，通过将具有绝缘涂层的软磁性颗粒压缩成型并且将所得到的成形体加热至...

本发明公开了一种用于SiC半导体的清洗方法，其包括在SiC半导体(1)的前表面上形成氧化物膜(3)的步骤(步骤(S2))，以及移除氧化物膜(3)的步骤(步骤(S3))。在形成氧化物膜(3)的步骤中使用氧等离子体。可以在移除氧化物膜(3)...

本发明披露电抗器(1A)，包括：线圈(10)，其通过缠绕导线形成；以及磁芯(20)，其借助两个芯体形成闭合磁路，这两个芯体即插入上述线圈中的内部芯体(21)以及与所述内部芯体(21)的端部相连且将所述线圈(10)的外周覆盖的连接芯体(2...

本发明公开了一种SiC半导体(2)的清洗方法，包括：在SiC半导体(2)的表面(2a)处形成氧化膜的步骤；和去除该氧化膜的步骤。在形成氧化膜的步骤，使用浓度大于或等于30ppm的臭氧水形成氧化膜。形成步骤优选地包括加热SiC半导体(2)...

本发明提供一种细径电缆束，其可以确保良好的防水性，并且可挠性、弯曲性及耐久性优异。细径电缆束(11)具有多根细径电缆(12)和防水管(21)，多根细径电缆(12)的末端部分排列为一列或者大于或等于两列，中间部分穿过防水管(21)，防水管...