本发明提供一种金属层压构件(100)和一种制造所述金属层压构件(100)的方法。所述金属层压构件(100)包含第一金属层(1)、第二金属层(2)和第三金属层(3)，其中所述第一金属层(1)设置在所述第二金属层(2)的一个表面上，所述第三...

本发明提供一种GaN衬底保存方法，所述方法将GaN衬底(1)保存在氧浓度不大于15体积％且水蒸气浓度不大于20g/m3的气氛中，其中所述GaN衬底(1)具有平坦的第一主面(1m)，并且所述GaN衬底(1)的所述第一主面(1m)上的与其外...

当在加热气氛中在半导体衬底(10)等上沉积膜时，造成半导体衬底(10)只由于温度升高而发生相当大程度的翘曲(弯曲)。所述衬底的翘曲导致诸如衬底(10)上形成的膜质量均匀性劣化以及在衬底(10)中产生裂缝的概率增加的问题。本发明的膜形成装...

在半导体器件(100)中，通过在表面层(12)中存在以S换算为30×1010个/cm2～2000×1010个/cm2的硫化物和以O换算为2原子％～20原子％的氧化物，在外延层(22)与III族氮化物半导体衬底(10)的界面处能够抑制C堆...

本发明公开了一种具有优异压制成型性能的镁合金片。还公开了通过对所述镁合金片进行压制成型而获得的镁合金构件、以及用于制造镁合金片的方法。所述镁合金片由含有Al和Mn的镁合金构成。当在厚度方向上将从所述镁合金片的表面起至30％为止的区域定义...

由碳化硅制成的支撑部(30c)在其主面(FO)的至少一部分上具有凹凸起伏。堆叠支撑部(30c)和至少一个单晶衬底(11)，使得由碳化硅制成的至少一个单晶衬底(11)中的每个的背面(B1)和具有形成的凹凸起伏的支撑部(30c)的主面(FO...

本发明提供一种用于熔融盐电池的电极，所述电极包含能连接到所述熔融盐电池的电极端子的集电器11和活性材料12。所述集电器11具有将小空间14相互联接起来的内部空间13。所述集电器11的内部空间13填充有所述活性材料12。

一种熔融盐电池用壳体，其用于包含熔融盐作为电解液的熔融盐电池，所述熔融盐含有钠离子。所述壳体由铝或包含90质量％以上的铝的铝合金形成。

本发明通过分解其上具有金属层且含有连续孔的树脂多孔体提供了一种含有连续孔且具有低氧含量的金属多孔体，其中通过在将所述树脂多孔体浸渍在第一熔融盐中并对所述金属层施加负电位的同时，在所述金属的熔点以下的温度下对所述树脂多孔体进行加热来分解所...

本发明提供一种能够有助于提高高强度镁合金板的生产率的卷材和制造所述卷材的方法。关于通过将由金属形成的板材卷绕成圆筒形以制造卷材，从而制造卷材的方法，所述板材为从连续铸造机中排出的镁合金铸造材料，且其厚度t(mm)为7mm以下。在将板材(...

SiC晶体(10)的制造方法包括以下步骤。即，准备制造装置(100)，所述制造装置(100)包含坩埚(101)和覆盖所述坩埚(101)的外周的隔热材料(121)。将原料(17)放置在所述坩埚(101)内。将晶种(11)以与所述原料(17...

第一圆形表面(11)包含具有第一形状的第一凹口部(N1a)。第二圆形表面(21)与所述第一圆形表面对向且包含具有第二形状的第二凹口部(N2a)。侧面(31)将所述第一圆形表面(11)与所述第二圆形表面(21)彼此连接。所述第一凹口部(N...

由单晶碳化硅制成的第一和第二材料衬底(11、12)中的各个衬底具有第一和第二背面、第一和第二侧面以及第一和第二正面。所述第一和第二背面连接到所述支持部(30)上。所述第一和第二侧面相互面对且两者之间具有间隙，所述间隙具有在所述第一与第二...

提供一种带连接器的集束光缆，其在弯曲时没有方向性，且易于弯曲而具有可挠性，在规定长度的光缆两端以光缆为单位预先安装多芯的光纤连接器，在狭小空间内的布线或配线的作业性良好，易于维护管理。将至少2组由多根光纤捆束而成的光纤单元(13)成对地...

本发明提供了一种碳化硅衬底、设置有外延层的衬底、半导体器件和用于制造碳化硅衬底的方法，它们都实现了导通电阻的减小。碳化硅衬底(10)是具有主表面的碳化硅衬底(10)，并且包括：SiC单晶衬底(1)，其形成在所述主表面的至少一部分中；以及...

GaN基半导体发光器件11a包含：由GaN基半导体构成的衬底13，其具有以63度以上且小于80度的倾斜角α从c面向m轴倾斜的主面13a；GaN基半导体外延区域15；有源层17；电子阻挡层27及接触层29。有源层17由含铟的GaN基半导体...

本发明涉及一种激光源，其具有用于有效抑制暂停脉冲光输出之后重新开始时产生光浪涌的结构。所述激光源包括：输出作为脉冲光的具有第一波长的光的第一光源；输出具有不同于第一波长的第二波长的光的第二光源；作为光学放大器的光学放大纤维，对从第一光源...

提供一种可以低阈值进行激光振荡的III族氮化物半导体激光二极管。支撑基体(13)具有半极性或无极性的主面(13a)。III族氮化物的c轴(Cx)相对于主面(13a)倾斜。n型覆盖区域(15)及p型覆盖区域(17)设置于支撑基体(13)的...

通过利用导电粘合剂将具有用作防氧化膜的有机膜的连接电极连接在一起，能够简化制造工艺，并且能够以低成本构建可靠性高的连接结构。在本发明的电极连接方法中，第一连接电极(2)与第二连接电极(10)通过介于这些电极之间的导电粘合剂(9)而连接在...

本发明提供一种连接方法和电子装置，其中可以简化制造工艺并且可以低成本生产使用粘合剂的连接结构。根据本发明的连接方法包括：步骤(a1)，制备其上设置有将使用粘合剂进行接合的电极(12，22)的基板(10，21)；步骤(b1)，以有机膜(1...