【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种III族氮化物半导体激光二极管。
技术介绍
专利文献1中记载有Fabry Perot(法布里-珀罗)型的半导体激光二极管。n型半导体层、发光层及p型半导体层在m轴方向积层。n型半导体层包含n型GaN覆盖层及n型InGaN层，p型半导体层包含p型GaN覆盖层及p型InGaN层。覆盖层与光导层的折射率差为0.04以上。专利文献2中记载有425nm～450nm发光波长的激光器元件。专利文献3中记载有可改善发光的远视野图像的纵横比的激光器元件。该激光器元件的p侧光导层具有条纹状的突起，元件的发光波长在370nm～470nm的范围内。非专利文献1中记载有生长于(11-22)面上的InGaN/GaN多重量子阱构造。利用光泵可获得波长为514nm的发光。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2008-311640号公报专利文献2：日本特开2002-270971号公报专利文献3：日本特开2001-57460号公报非专利文献<...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.06.19 JP 2009-146701;2009.09.30 JP 2009-228821.一种III族氮化物半导体激光二极管，产生490nm以上的波长的
光，其具备：
具有半极性或无极性的主面并包含III族氮化物的支撑基体；
设置于上述支撑基体上的n型覆盖区域；
设置于上述支撑基体上的p型覆盖区域；及
设置于上述p型覆盖区域与上述n型覆盖区域之间的芯材半导体区
域，
上述n型覆盖区域包含n型氮化镓系半导体，
上述p型覆盖区域包含p型氮化镓系半导体，
上述芯材半导体区域包含第1光导层、活性层及第2光导层，
上述活性层设置于上述第1光导层与上述第2光导层之间，
上述芯材半导体区域的厚度为0.5μm以上。
2.如权利要求1所述的III族氮化物半导体激光二极管，其中，
上述第1光导层包含第1GaN层与第1InGaN层，
上述第1GaN层设置于上述n型覆盖区域与上述第1InGaN层之间，
上述n型覆盖区域设置于上述第1GaN层与上述支撑基体之间，
上述第2光导层包含第2GaN层与第2InGaN层，
上述第2GaN层设置于上述p型覆盖区域与上述第2InGaN层之间。
3.如权利要求2所述的III族氮化物半导体激光二极管，其中，
上述第1InGaN层是未掺杂物，
上述第1GaN层表示n型，
上述第2InGaN层是未掺杂物，
上述第2GaN层表示p型。
4.如权利要求2或3所述的III族氮化物半导体激光二极管，其中，
上述第1GaN层与上述第2GaN层的厚度之和为450nm以上，
上述第1InGaN层与上述第2InGaN层之和的厚度比上述第1GaN
层的厚度薄。
5.如权利要求2或3所述的III族氮化物半导体激光二极管，其中，
上述第1GaN层的厚度与上述第2GaN层的厚度之和为550nm以上。
6.如权利要求2至5中任一项所述的III族氮化物半导体激光二极
管，其中，上述第1InGaN层的In组成为1％以上。
7.如权利要求1至6中任一项所述的III族氮化物半导体激光二极
管，其中，上述n型覆盖区域包含AlxGa1-XN(0.03＜X＜0.10)层。
8.如权利要求7所述的III族氮化物半导体激光二极管，其中，上
述n型覆盖区域的上述AlxGa1-XN的Al组成为0.05以上。
9.如权利要求1至8中任一项所述的III族氮化物半导体激光二极
管，其中，
上述主面的倾斜角相对于与上述III族氮化物的c轴正交的基准平
面在10度以上80度以下及100度以上170度以下的范围内，
上述支撑基体包含GaN，
上述活性层包含In...
【专利技术属性】
技术研发人员：足立真宽，德山慎司，盐谷阳平，京野孝史，善积祐介，秋田胜史，上野昌纪，片山浩二，池上隆俊，中村孝夫，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。