住友电气工业株式会社专利技术

住友电气工业株式会社共有5332项专利

  • 本发明旨在提供一种绝缘电缆及其制造方法,该绝缘电缆作为光伏电缆在根据TUV规格所要求的项目方面优异。本发明提供以具备内侧绝缘树脂层和外侧绝缘树脂层的双层结构的绝缘树脂层被覆导体而成的绝缘电缆,所述内侧绝缘树脂层和所述外侧绝缘树脂层由相同...
  • 本发明公开一种具有两个电路板的光收发器。该光收发器包括:两个OSA、两个电路板以及设置在两个电路板之间的支持件。将电路板通过卡扣接合的方式与由树脂制成的支持件组装在一起,并且将该中间产品设置在光收发器的壳体中。光收发器的顶盖也通过卡扣接...
  • 本发明提供一种玻璃母材的制造方法以及制造玻璃母材的烧结炉,其可以消除未烧结部,并且防止对母棒过度加热,从而避免拉伸。根据制造玻璃母材的烧结炉,将具有可进行位置调整的下部夹具的热屏蔽夹具直接固定在初始母棒上,将下部夹具配置在玻璃微粒堆叠体...
  • 本发明公开了一种能够降低制造成本的用于制造碳化硅衬底的方法,该方法包括下列步骤:准备基底衬底(10)和SiC衬底(20);通过在彼此的顶部上放置基底衬底(10)和SiC衬底(20)来制造层叠衬底;通过加热接合衬底来制作接合衬底(3);通...
  • 本发明提供一种磁体用粉末、制造该粉末的方法、粉末成形体和稀土/铁/硼合金材料,所述磁体用粉末能够形成具有优异磁特性的稀土磁体并且具有优异的压缩成形性。所述磁体用粉末由磁性颗粒(1)构成,磁性颗粒(1)具有这样的结构,该结构包含由含铁物质...
  • 本发明公开了一种电池(1),所述电池(1)包含正极(4),主要由钠构成的负极(3),以及设置在所述正极(4)和所述负极(3)之间的电解质。所述电解质由熔融盐构成,所述熔融盐含有由式(I)(其中R1和R2各自独立地表示氟原子或氟代烷基)表...
  • 本发明提供一种GaN晶体衬底及其制造方法。所述GaN晶体衬底包括:晶体生长表面;以及与所述晶体生长表面相对的后表面,所述后表面具有满足-35μm≤w(R)≤45μm的翘曲w(R),所述翘曲w(R)为如下计算值:在分别对应于由二维方向上的...
  • 本发明提供一种基板,可以以低成本使所述基板具有适当强度并且允许牢固结合到压电基板上。所述基板(1)用于SAW器件并由尖晶石制成,所述基板(1)的一个主表面(1a)的水平差PV值为2nm至8nm。所述基板(1)的一个主表面(1a)的平均粗...
  • 本发明提供一种铁路车辆的防滚装置用轴承(20),其经由连杆支撑扭杆的端部。该轴承(20)是在内侧部件(21)和外侧部件(22)之间设置弹性材料(23)而构成的,外侧部件两侧面(25a、25a)形成为平行且宽度相同的圆环状平面。连杆与轴承...
  • 本发明涉及一种MOPA光源,其能够通过使用简单结构对基本光波的脉冲光进行波长变换来获得脉冲输出并且在不执行处理时使用简单方法抑制光输出。从种子光源输出的所述基本光波在光学放大光纤中被放大。放大的基本光波被输入给无源光纤的一端,并在所述无...
  • 本发明提供一种研磨剂和利用所述试剂制造化合物半导体的方法和制造半导体器件的方法,由此能够有利地保持化合物半导体衬底的表面品质,还能够保持高研磨速率。所述研磨剂为用于GaαIn(1-α)AsβP(1-β)(0≤α≤1;0≤β≤1)化合物半...
  • 本发明提供了一种Bi2223氧化物超导体,其由Bi、Pb、Sr、Ln、Ca、Cu和O构成,其中所述Ln为选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种;且所述Sr与所述Ln的组成...
  • 公开了一种制造半导体器件(1)的方法。所述方法包括下列步骤:在SiC衬底上形成包括SiC的半导体层,在该半导体层上形成膜,以及在该膜中形成沟槽(2)。半导体器件(1)配备有芯片(10),其具有在其上形成的层间绝缘膜。半导体器件的特征在于...
  • 公开了一种III族氮化物晶体衬底(1),其特征在于,晶体衬底的表面层具有1.9×10-3或更低的均匀畸变,该均匀畸变是由X射线透入深度为0.3μm时的面间距d1和X射线透入深度为5μm时的面间距d2得到的|d1-d2|/d2的值表示的,...
  • 本发明提供一种在输入侧电压和输出侧电压上不存在任何限制并且尺寸和损耗较小的电力变换装置。该电力变换装置的特征在于包括:整流单元(10),其对交流电进行整流;升压/降压单元(20),其包括用于校正功率系数的元件(23)并且对来自整流单元的...
  • 提供了一种其中简化了铁心和线圈之间的树脂的适当装填以及在生产过程中便于搬运线圈的电抗器。该电抗器包括:线圈(10),其具有一对线圈元件(10A和10B),各线圈元件由螺旋缠绕的导线制成,并且各线圈元件以并列状态彼此耦接;内部铁心部分(2...
  • 本发明提供一种击穿电场强度较大且结晶缺陷较少的常关型III族氮化物半导体设备、及用于制作该III族氮化物半导体设备的III族氮化物半导体层积晶圆。III族氮化物半导体层积晶圆(10)包括:基板27,其由AlN构成且具有沿该AlN结晶的c...
  • 本发明提供一种热扩散率高且耐磨性优异的硬质合金、以及包括由该硬质合金形成的基材的切削工具。所述硬质合金为WC基硬质合金,其中主要由WC粒子构成的硬质相通过主要由Co构成的粘结相而结合,并且所述硬质合金用于切削工具。所述粘结相基本上由Co...
  • 本发明提供一种负型光敏树脂组合物,其包含:聚酰亚胺前体树脂,其通过含有芳族四羧酸二酐的羧酸酐组分与含有芳族二胺的二胺组分的缩聚得到;可光聚合单体;和光聚合引发剂,其中以相对于所述负型光敏树脂组合物的总固体组分为0.05%~15wt%的量...
  • 提供了一种能够稳定地充电和放电的熔盐电池。在具有矩形板形的正电极(1)和负电极(2)之间插入由矩形板形玻璃布构成并且包含熔盐的隔板(3)以形成发电元件(X)。电池容器(5)被配置为是大致的长方体形的。被布置在电池容器(5)中的负电极(2...