本发明提供一种熔融盐电池(1)，其包含：具有大致长方体形状的Al壳体(5)；以及包含在Al集电器(21)上形成的活性材料膜(22)的正极(2)，包含浸渍有用作电解质的熔融盐的玻璃布的隔膜(3)，和包含在Al集电器(41)上形成的Zn膜(...

本发明提供一种定影带，其具有高的热传导率，能够获得对应于近年来的印刷速度提高的要求的优异的定影性，同时具有适当的弹性度，使得彩色调色剂被充分地包裹以被熔融、混合，还具有优异的机械强度和耐久性。该定影带包括管状基材、设置在所述基材的外周侧...

本发明的目的在于提供一种太阳能集电电缆，其满足PSE规格中外皮所要求具有的物理特性(伸长率、抗张强度、老化后的伸长残率和抗张强度残率)以及加热变形性和阻燃性，同时具有不会产生由摩擦等引起的所谓白化的良好外观。太阳能集电电缆(1)为用具有...

所公开的碳化硅绝缘栅型半导体元件(100)的终端构造提供有：第一导电类型的半导体层(132)，其具有第一主面(137)；栅电极(142)；以及源布线(101)。其中在半导体层(132)内提供第二导电类型的主体区(133)、第一导电类型的...

本发明提供了一种制造碳化硅衬底的方法，其能够降低使用碳化硅衬底的半导体器件的制造成本。所述过程包括如下步骤：提供包括单晶碳化硅的SiC衬底(20)；将SiC衬底(20)放置在容器(70)中，并且将基底衬底(10)放置在容器(70)中，使...

本发明提供一种制造GaN基膜的方法，所述方法包括准备复合衬底的步骤，所述复合衬底包含支持衬底和布置在所述支持衬底的主表面侧上的单晶膜，在所述支持衬底中主表面的热膨胀系数比GaN晶体在a轴方向上的热膨胀系数的0.8倍大且比其1.0倍小，所...

本发明提供一种制造GaN基膜的方法，所述方法包括准备复合衬底的步骤，所述复合衬底包含支持衬底和布置在所述支持衬底的主表面侧上的单晶膜，在所述支持衬底中主表面的热膨胀系数比GaN晶体在a轴方向上的热膨胀系数的1.0倍大且比其1.2倍小，所...

毫微微小区基站是通过用于有线通信线路的端接设备连接到固定通信网络并且通过无线电通信与移动电话是可通信的基站设备。毫微微小区基站包括：获取单元，其用于从固定通信网络获取位置信息，该位置信息与端接设备相关地被注册在固定通信网络的管理服务器中...

本发明提供了一种水处理装置，该装置包括：第一膜过滤装置，其中采用平均孔径大于或等于1μm的过滤膜；第二膜过滤装置，其通过使用微滤膜或超滤膜来处理经所述第一膜过滤装置过滤的水；以及反渗透膜过滤装置，其用于处理经所述第二膜过滤装置过滤的水。...

本发明提供一种电抗器和用于电抗器的部件，该电抗器和用于电抗器的部件抑制位于线圈与内部芯体部分之间的树脂部分发生破裂。电抗器具有：线圈(10)，其通过螺旋形地缠绕导线而制成；内部芯体部分(22)，其构成闭合磁路的一部分并被安装在线圈内侧；...

提供一种制造半导体晶体的方法，该方法包括：准备具有用于放置籽晶(8)和含杂质熔体(9)的底部(1b)以及具有设置于上部(1a)中并用于悬置由杂质浓度小于含杂质熔体(9)的杂质浓度的半导体材料制成的滴落原料块(11)的悬置部(2)的纵向容...

本发明涉及用于优化待监控的每个本地网络的通信性能的通信量控制设备等。通信量控制设备(100)通过I/O(140)将中继节点(211B、212B、213B)的通信频带信息项暂时存储在存储器(120)中。控制器(110)基于所获得的通信频带...

本发明提供一种非水电解质电池，其能够抑制因树状突起从负极生长所致的内部短路、并且具有高充电-放电循环能力。本发明还提供一种固体电解质，通过使用该固体电解质作为非水电解质电池的固体电解质层，该非水电解质电池的充电-放电循环能力能够得以改善...

本发明提供了一种提高了开关速度并且减少工作失效的横向场效应晶体管。具体地，栅布线(43)包括基底部(44)、从基底(44)部突出的多个指状部(45)和分别连接相邻的指状部(45)的前端部(46)的连接部(47)。栅布线(43)的指状部(...

提供了一种交通信号控制系统，该系统可以通过在使用时间控制的模式选择方案中使用的第一模式切换表选择了与当前时间相对应的交通信号控制参数的模式之后，使用附加第二模式切换表再次选择模式，以及如果计算的行驶时间匹配调用条件，则通过选择第二模式切...

本发明公开了一种制造碳化硅衬底(1)的方法，所述方法包括：准备多个SiC衬底(20)的步骤，所述多个SiC衬底(20)包含单晶碳化硅；形成碳化硅的基底层(10)的步骤，所述基底层(10)将所述多个SiC衬底(20)保持在如下状态中，其中...

本发明提供包含低电阻化的p型氮化镓基半导体层的III族氮化物半导体光元件。支撑体13的主面13a相对于基准平面Sc形成40度以上且140度以下的角度ALPHA，基准平面Sc正交于在该III族氮化物半导体的c轴的方向上延伸的基准轴Cx。主...

本发明提供包含具有良好表面形态的半极性外延膜的III族氮化物半导体元件。包含III族氮化物半导体的支撑基体13的主面13a沿着与基准轴Ax正交的基准平面RSUB延伸，所述基准轴Ax相对于该III族氮化物半导体的c轴以规定的角度ALPHA...

本发明涉及一种制造衬底的方法，所述方法包括如下步骤：准备基材的步骤，所述基材具有通过镀敷而形成在铜层(2)上的镍层(3)；在800℃-1000℃下对所述镍层(3)进行热处理的步骤；以及在对所述镍层(3)进行热处理的步骤之后，在所述镍层(...

本发明公开了衬底(1)，所述衬底(1)包含：铜层(2)；在所述铜层(2)上形成并且包含铜和镍的合金层(3)；在所述合金层(3)上形成的镍层(4)；以及在所述镍层(4)上形成的中间层(5)。在所述合金层(3)和所述铜层(2)之间的界面处的...