本发明涉及一种血管内壁分析装置等，其具有用于更准确地分析血管内壁的附着物成分的构造。血管内壁分析装置(1)具有照射单元、检测单元、分析单元。照射单元从插入至颈动脉(C)内的照射纤维(30)的端面(30b)向测定部位照射在波长1957nm...

本发明涉及一种血管内壁分析装置等，其具有用于在减轻患者负担的状态下可以准确测定血管内壁的斑块成分的构造。在该血管内壁分析装置(1)中，从设置于血管外的光照射部(30)向颈动脉(C)等的血管内的测定部位照射测定光，另一方面，利用设置在血管...

本发明提供一种第III族氮化物基半导体元件，在第III族氮化物基半导体区域的表面从c面倾斜时，能够将设置在该半导体层上的电极与该半导体区域的接触电阻抑制为较小。一种第III族氮化物基半导体元件，具备：具有包含第III族氮化物晶体的非极性...

本发明公开了一种具有新方式布置的光学装置的光学组件(OSA)。OSA设置有：陶瓷封装，其安装半导体光学装置；连接部，其焊接至陶瓷封装的盖，以及光耦合部，其容纳外部光纤。在OSA中，密封环位于多层陶瓷封装的上部和与光学装置绝缘的盖之间；因...

本发明公开了一种IGBT(100)，其为能降低导通电阻并同时抑制缺陷产生的垂直型IGBT，且包含：碳化硅衬底(1)、漂移层(3)、阱区(4)、n+区(5)、发射极接触电极(92)、栅氧化物膜(91)、栅极(93)以及集电极(96)。所述...

本发明提供一种III族氮化物半导体激光二极管，其具有能够提供较高的光限制及载流子限制的覆层。在(20-21)面GaN衬底(71)上，以产生晶格弛豫的方式生长n型Al0.08Ga0.92N覆层(72)。在n型覆层(72)上，以产生晶格弛豫...

本发明提供一种可使形成于非极性面上的发光元件中光限制性提高、且可降低因位错而导致的光学损失的氮化物半导体发光元件。核心半导体区域15、第一覆盖区域17及第二覆盖区域19搭载于GaN的支撑基体13的非极性的主面13a上。核心半导体区域15...

一种能减小其厚度方向上的电阻率的同时抑制由于热处理产生的层错的碳化硅衬底(1)，包括：基底层(10)，其由碳化硅制成；以及SiC层(20)，其由单晶碳化硅制成的并且设置在基底层(10)的一个主表面(10A)上。基底层(10)具有大于2×...

一种碳化硅衬底(1)，其能够使包括碳化硅衬底的半导体器件制造成本降低，该碳化硅衬底(1)包括：由碳化硅构成的基底衬底(10)，以及由与基底衬底(10)不同的单晶碳化硅构成的且布置在基底衬底(10)上并与之接触的SiC层(20)。由此，碳...

一种MOSFET(100)，其是半导体器件并使能减少导通电阻同时抑制由于在器件制造工艺中的热处理而导致产生层错，包括：碳化硅衬底(1)；有源层(7)，其由单晶碳化硅制成并且布置在碳化硅衬底(1)的一个主表面上；源极接触电极(92)，其布...

一种JFET(100)，该JFET是用于使能制造成本降低的半导体器件，该JFET包括：碳化硅衬底(1)；有源层(8)，其由单晶碳化硅制成并且设置在所述碳化硅衬底(1)的一个主表面上；源电极(92)，其设置在所述有源层(8)上；以及漏电极...

本发明提供可减少由晶格弛豫引起的载流子阻挡性能降低的氮化物半导体发光元件。支撑基体(13)的六方晶系GaN的c轴向量VC相对于主面(13a)的法线轴Nx朝X轴方向倾斜。在半导体区域(15)中，有源层(19)、第一氮化镓基半导体层(21)...

披露了一种超导线圈装置和使用所述超导线圈装置的超导装置，其中，所述超导线圈装置设置有：超导线圈(10)，将超导线圈(10)保持在其中的内容器(50)以及外容器(60)，其中，内容器(50)和外容器(60)由FRP制成。在内容器(50)和...

本申请提供了一种展现了优良生产率的电抗器。电抗器(1)包括环形磁芯(11)，布置磁芯(11)外周上的(12A)，以及覆盖在由磁芯(11)和成型线圈(12A)组成的组件(10)的外周的外部树脂部分(13)。磁芯(11)通过组合多个磁芯片形...

本发明提供一种多孔质玻璃母材制造方法及制造装置，其在利用VAD方法制造光纤用多孔质玻璃母材时，使多孔质玻璃母材的特性在长度方向上稳定且其中难以混入气泡。利用设置在反应容器上的至少大于或等于1个喷管喷出含有玻璃原料气体及燃烧气体的反应气体...

本发明公开一种具有连接部件的多芯同轴电缆，从而可以容易地处理末端，该多芯同轴电缆尺寸精度高并且使故障频率尽可能减小。该多芯同轴电缆包括被外部电缆覆盖物覆盖的多根同轴电缆，各同轴电缆包括彼此同轴地顺序形成在中心导体的外周上的绝缘体、外部导...

本发明提供制作包含生长于氧化镓衬底上的有源层且能够提高发光强度的晶片产品的方法。在步骤S105中，在摄氏600度下，在氧化镓衬底(11)的主面(11a)上生长包含GaN、AlGaN、AlN等III族氮化物的缓冲层(13)。生长缓冲层(1...

本发明提供一种制造单晶的方法，所述方法包括：准备具有前表面和背表面的晶种(11)；提高所述晶种(11)的所述背表面的表面粗糙度；在所述晶种(11)的所述背表面上形成含碳的涂膜；在所述涂膜与支持台(41)之间具有胶粘剂的情况下使所述涂膜与...

本发明提供了一种胶粘性树脂组合物，其包含：环氧树脂和/或苯氧基树脂；含环氧基的共聚物，其通过将具有环氧基的单体和可与所述具有环氧基的单体共聚的烯键式不饱和单体进行共聚而获得；热塑性树脂；和固化剂。所述含环氧基的共聚物具有5,000以上且...

本发明提供了一种胶粘性树脂组合物，其包含(A)环氧树脂和/或苯氧基树脂；(B)含环氧基的苯乙烯共聚物，其包含具有环氧基的单体单元和苯乙烯单体单元；(C)热塑性树脂；以及(D)固化剂，其中，相对于所述胶粘性树脂组合物中所含的树脂组分的总量...