超导线材的制造方法包括如下步骤。准备层叠金属，所述层叠金属具有第一金属层和形成于所述第一金属层上的Ｎｉ层。在层叠金属的Ｎｉ层上形成中间层（２０）。在中间层（２０）上形成超导层（３０）。通过在形成中间层（２０）的步骤和形成超导层（３０）的...

提供了一种小型基站，该小型基站通过避免第三人的移动通信终端连接到小型基站来使授权用户能够可靠地经由小型基站执行通信。毫微微小区基站（１０１Ｆ）是向位于毫微微小区（１０３Ｆ）内的移动电话（１１０）发送无线电波／接收来自该移动电话（１１０）...

本发明公开了一种通过无机接合层相互接合的多个镁合金部件，其中将补强材料２、凸起部３和插销４接合到基材１上。所述无机接合层的具体实例包括无机粘合剂层和在热包覆时在所述镁合金部件上形成的金属薄膜。因为通过所述无机接合层将所述镁合金部件接合在...

本发明提供了一种具有诸如沟道迁移率的优良电特性的碳化硅半导体器件及其制造方法。一种半导体器件（１）包括：衬底（２），衬底（２）由碳化硅制成并且其相对于｛０００１｝的表面取向的偏离角大于或等５０°且小于或等于６５°；ｐ型层（４），所述ｐ型...

本发明涉及一种相位板等，其可以容易地制造为具有期望的特性。该相位板（１０）具有大致圆柱形状，沿该圆柱的中心轴（ＡＸ）的方向上折射率恒定。另外，该相位板（１０）在与中心轴（ＡＸ）垂直的剖面中，具有从中心开始顺次配置在同心圆上的多个区域（１...

本发明得到一种光连接用线缆握持部件，其可以防止光连接部件的多种化，可以实现部件管理工时的减少、制造成本的下降。在安装于光连接部件（１）上并从光缆的外皮上方握持光缆（１２１）的线缆握持部件（５）中，衬垫（１７）将使光缆（１２１）插入的筒状...

一种能够通过ＳＣ－ＦＤＭＡ方案同时接收来自多个用户的信号的通信装置减小了其电路大小。通信装置（ＢＳ１、ＢＳ２）能够通过ＳＣ－ＦＤＭＡ方案同时接收来自多个用户的信号。该通信装置（ＢＳ１、ＢＳ２）包括：多个天线（１ａ和１ｂ）；处理单元（６）...

本发明提供一种实质上为平板形状的用作电子设备的背光源的导光板，从侧表面的一部分将从光源发出的照明光引入，并且从形成在主表面上的光输出部份将光引出到外部。在侧表面上的照明光接收表面相对于与主表面垂直的平面来说是倾斜的，因此，被折射并被输入...

本发明涉及一种激光加工方法以及激光加工装置，在印刷基板的绝缘层的选择性除去中，不使用通过非线性光学晶体进行波长变换的技术，而且可以在除去加工的整个过程中仅使用１种波长。在该激光加工方法中优选使用的激光加工装置（１）具有ＭＯＰＡ构造，并且...

本发明提供了一种耐冲击性优异的镁合金成形体和适合用作所述成形体的材料的镁合金板。所述成形体通过对Ａｌ含量为７质量％～１２质量％的镁合金板进行压制成形而制得并具有未进行拉伸变形的平坦部分。对成形体的平坦部分在板的厚度方向上进行切割而制备的...

本发明提供一种光纤的制造方法及制造装置，其不会对卷绕线轴处的卷绕张力造成影响，可以向光纤施加充分的拉伸张力而提高扭转效率，降低光纤的ＰＭＤ。光纤的制造方法为，在将光纤（１１）从供给线轴（１０）抽出，由牵引单元（２０）牵引并由卷绕线轴（２...

提供具有能减少漏电流的结构的ＩＩＩ族氮化物半导体电子器件。层叠体（１１）包括衬底（１３）及ＩＩＩ族氮化物半导体外延膜（１５）。衬底（１３）由具有超过１×１０１８ｃｍ－３的载流子浓度的ＩＩＩ族氮化物半导体构成。外延结构物（１５）包括ＩＩＩ...

本发明提供一种制造氮化物基半导体发光元件的方法，该方法在形成ｐ型氮化镓基半导体区域和势垒层时可减少阱层的劣化。在生长出氮化镓基半导体区域（１３）后，在衬底（１１）上生长势垒层（２１ａ）。势垒层（２１ａ）在时刻ｔ１～ｔ２的期间内在生长温度...

本发明提供具有优良的光提取效率的氮化物基半导体发光元件。发光元件（１１）包括支撑基体（１３）和半导体层叠体（１５）。半导体层叠体（１５）包含ｎ型ＧａＮ基半导体区域（１７）、有源层（１９）和ｐ型ＧａＮ基半导体区域（２１）。ｎ型ＧａＮ基半导...

本发明涉及：由氧化钛或钛酸盐形成的陶瓷粉末，该陶瓷粉末的通过Ｎ２吸附法得到的ＢＥＴ比表面积在０．１～２．０ｍ２／ｇ的范围内、且平均粒径在０．８～１００μｍ的范围内；含有合成树脂以及所述陶瓷粉末的介电性复合材料；以及电介质天线，在该电介质...

本发明提供一种具有可提高偏光度的结构的氮化镓系半导体发光元件。发光二极管（１１ａ）包括半导体区域（１３）、ＩｎＧａＮ层（１５）及活性层（１７）。半导体区域（１３）具有表现出半极性的主面（１３ａ），且包含ＧａＮ或者ＡｌＧａＮ。半导体区域（...

本发明提供一种碳化硅半导体器件，其能够降低欧姆电极的接触电阻并实现高击穿电压特性。该半导体器件（１）包括衬底（２）和作为杂质层的ｐ＋区（２５）。第一导电类型（ｎ型）的衬底（２）由碳化硅制成并具有５×１０３ｃｍ－２或更小的位错密度。该ｐ＋...

本发明提供适合半导体元件的散热构件的复合构件及其制造方法。该复合构件由镁或镁合金与ＳｉＣ复合而成，该复合构件中的孔隙率小于３％。该复合构件可以通过在原料ＳｉＣ的表面形成氧化膜，将形成有氧化膜的被覆ＳｉＣ配置于模具中，并使溶融金属（镁或镁...

本发明提供一种电化学反应器，其尺寸小但具有高的处理能力，不产生ＮＯｘ或二氧化碳，可以在低运营成本下进行操作，在组装过程中易于处理，并且具有简单的结构和高的耐久性。本发明还提供所述反应器的制造方法、气体分解元件、氨分解元件和发电机。电化学...

提供了一种通过对金属板（１）压制成形而形成的压制体（Ｆ）。该压制体（Ｆ）具有角部（１２），该角部（１２）将构成所述压制体（Ｆ）的外周表面中的两个表面相连，并且该角部（１２）是锐利的，其外侧弯曲半径（Ｒ）等于或小于所述金属板（１）的厚度（...