氮化镓系半导体发光元件、制作氮化镓系半导体发光元件的方法、氮化镓系发光二极管、外延晶片及制作氮化镓系发光二极管的方法技术

本发明专利技术提供一种具有可提高偏光度的结构的氮化镓系半导体发光元件。发光二极管（１１ａ）包括半导体区域（１３）、ＩｎＧａＮ层（１５）及活性层（１７）。半导体区域（１３）具有表现出半极性的主面（１３ａ），且包含ＧａＮ或者ＡｌＧａＮ。半导体区域（１３）的主面（１３ａ）相对于与该主面（１３ａ）的［０００１］轴方向的基准轴Ｃｘ正交的平面Ｓｃ以角度α倾斜。半导体区域（１３）的厚度Ｄ１３大于ＩｎＧａＮ层（１５）的厚度ＤＩｎＧａＮ，且ＩｎＧａＮ层（１５）的厚度ＤＩｎＧａＮ为１５０ｎｍ以上。ＩｎＧａＮ层（１５）设置于半导体区域（１３）的主面１３ａ的正上方，且与主面（１３ａ）相接。活性层（１７）设置于ＩｎＧａＮ层（１５）的主面１５ａ上，且与该主面（１５ａ）接触。活性层（１７）包含ＩｎＧａＮ阱层（２１）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种氮化镓系半导体发光元件、制作氮化镓系半导体发光元件的方法、氮化镓系发光二极管、外延晶片及制作氮化镓系发光二极管的方法。
技术介绍
在专利文献1中记载有一种设置于具有非极性面的GaN基板上的氮化镓系半导体发光元件。作为GaN基板的主面记载有以下结构。例如，GaN基板的主面为{11-20} 面、{1-100}面、或者在-5度 +5度的范围内自{11-20}面或{1-100}面倾斜的面。此外，GaN基板的主面为相对于{11-20}面及{1-100}面中的任一面而以偏离角θ (其中 0°彡θ彡10° )偏离的面。进而，GaN基板的主面为{11-20}面、在_5度 +5度的范围内自{11-20}面倾斜的面、或者相对于{11-20}面而以10度以下的偏离角θ偏离的面。专利文献专利文献1 日本专利特开平10-135576号公报
技术实现思路
在氮化镓系发光二极管中，出射光的偏光与应变的各向异性相关联。因此，为了制作出偏光度较大的发光二极管，而要求增大应变的各向异性。根据本专利技术者等人的见解， 当在GaN基板的半极性主面上进行活性层的共格生长时，偏光度为大致由偏离角所决定的值。因此本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种氮化镓系半导体发光元件，其特征在于，包括：半导体区域，其包含氮化镓系半导体；ＩｎＧａＮ层，设置在所述半导体区域的所述主面的正上方；活性层，含有包含ＩｎＧａＮ的阱层，且设置在所述ＩｎＧａＮ层的主面上；以及支撑基体，其包含六方晶系氮化镓，且具有相对于与该氮化镓的［０００１］轴方向的基准轴正交的平面以１０度以上且８０度以下倾斜的主面，所述ＩｎＧａＮ层设置于所述活性层与所述半导体区域之间，所述半导体区域的所述主面相对于与在该主面的［０００１］轴方向上延伸的基准轴正交的平面倾斜而表现出半极性，所述半导体区域包含一个或多个氮化镓系半导体层，各氮化镓系半导体层包含ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ或Ｉｎ...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：善积祐介，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP