本发明公开了一种导电ＧａＡｓ晶体，其具有超过１×１０１７个／ｃｍ３的Ｓｉ原子浓度，其中在所述晶体中包含的尺寸为至少３０ｎｍ的析出物的密度为４００个／ｃｍ２以下。在这种情况下，优选的是，所述导电ＧａＡｓ晶体具有至多２×１０２个／ｃｍ２或至...

本发明涉及一种多芯光纤，其具有用于有效地减少多个纤芯区域中相邻的纤芯区域之间的串扰的构造。该多芯光纤（１）具有泄漏减少部（５０），其配置为至少一部分位于将多个纤芯区域（１０）中相邻的纤芯区域彼此连结而成的直线上。泄漏减少部（５０）通过减...

提供一种可通过较简单的构造获得良好品质的单晶的单晶制造装置、单晶的制造方法及单晶，单晶制造装置（１）将坩埚（４）中保持的原料加热熔化后，使其从一个方向凝固，从而制造出单晶，具有安瓿（３）及坩埚（４）、底座（２）、加热器（５），底座（２）...

提供了一种衬底、具有薄膜的衬底、用上述衬底形成的半导体器件以及制造所述半导体器件的方法，其中所述衬底实现了抑制由于衬底的弯曲而造成半导体器件加工精度的劣化。在衬底（１）中，主表面（１ａ）的直径为２英寸或更大，主表面（１ａ）弯曲度值为－４...

本发明提供一种金刚石涂层工具（１０），在该金刚石涂层工具（１０）中基体材料（１）与金刚石层（３）之间的分界处不容易出现剥离。金刚石涂层工具（１０）包括：基体（１）；以及金刚石层（３），其涂敷在所述基体（１）的表面上，其特征在于：基体（１...

本发明提供可靠性高的连接结构，该连接结构是通过使用导电粘合剂将连接电极彼此连接、从而通过简化的制造工艺以低成本制得，所述连接电极中的每个都包含有机膜作为防氧化膜。本发明提供一种电极连接结构，其中第一连接电极２和第二连接电极１０通过两者之...

一种用于制造发光元件的方法涉及用于制造ＩＩＩ－Ｖ族化合物半导体的发光元件的方法，所述ＩＩＩ－Ｖ族化合物半导体具有包括Ｉｎ和Ｎ的量子阱结构，所述方法包括如下步骤：形成包括Ｉｎ和Ｎ的阱层（１３ａ）；形成势垒层（１３ｂ），所述势垒层（１３ｂ）...

本发明提供一种不仅可以具有低介电常数而且具有优异的挠性、阻燃性和薄膜加工性的阻燃树脂片材，以及包含该片材的扁平电缆。阻燃树脂片材包含树脂组分，以及相对于每１００质量份的所述树脂组分含量为５质量份至１００质量份的磷系阻燃剂、氮系阻燃剂、或...

本发明涉及一种软磁性材料，包含多个磁性颗粒、粘结剂（２０）以及润滑剂（３０），其中粘结剂（２０）将多个磁性颗粒粘结在一起，所述润滑剂（３０）包含在已粘结的磁性颗粒聚集体中并且其熔点不高于１００℃。本发明还涉及一种制造软磁性材料的方法，包...

本发明提供一种细径同轴电缆束及其制造方法，其实现端部处的薄型化，对于小型化及薄型化的电子设备可以良好地进行配线。该细径同轴电缆束（１０）构成为将多根细径同轴电缆（１２）在末端部分（１３）处排列为平面状而与连接器（１６）连接，该细径同轴电...

提供了一种半导体器件，所述半导体器件具有的构造能够实现抑制绝缘构件中的电特性劣化。提供了ｎ－ＳｉＣ层（１２）、形成在ｎ－ＳｉＣ层（１２）的主表面上的源极接触电极（１６）、被布置成与ｎ－ＳｉＣ层（１２）的主表面上的源极接触电极（１６）隔开...

本发明提供了一种透明树脂成型体及制造所述透明树脂成型体的方法，所述透明树脂成型体具有能够用于使用无铅焊料的回流焊接工艺中的高耐热性、具有能够用作光学元件的高透明度、且能够易于制造。所述透明树脂成型体为由含碳-氢键的氟树脂构成的树脂组合物...

本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括对抗浪涌电压等的旁路保护单元，实现了良好的耐压特性和低的导通电阻(低导通状态电压)，具有简单结构并且用于大电流目的。在本发明中，半导体器件包括：n+型GaN衬底1，其具有与支撑衬底欧姆接触的G...

本发明提供一种制造半导体器件的方法，其中能够有效地生长具有许多对量子阱的多量子阱结构并同时确保优异的晶体品质。本发明还提供了通过这种方法制造的半导体器件。本发明制造半导体器件的方法包括形成具有50对以上由III-V族化合物半导体构成的量...

本发明提供具有高金属质感的镁合金构件。所述镁合金构件具有由镁合金制成的基材和在所述基材上形成的覆盖层。所述基材的表面的至少一部分中具有表面加工部分，所述表面加工部分被施以形成微细凹凸的加工以获得金属质感。所述覆盖层是透明的。所述构件通过...

本发明提供一种复合线束及其制造方法，其可以实现通信高速化，即使位于狭小的收容空间中也不会引起线束损伤。该复合线束具有多根细径同轴电缆(24)和至少一根光纤(25)，这些细径同轴电缆(24)及光纤(25)的中间部被捆束而形成束部(26)，...

本发明目的在于提供可更廉价且大量地、又安全地制备比以往更微细，且粒径整齐、又不含杂质的高纯度金属微细粉末的新型的金属微细粉末的制备方法，其特征是将含4价钛离子的、pH7或7以下的水溶液进行阴极电解处理，通过将4价钛离子的一部分还原成3价...

本发明提供一种双绞电缆及其制造方法，该双绞电缆可以尽可能抑制时滞的产生。该双绞电缆(10)构成为将由绝缘体(13)包覆内部导体(12)的外周而成的一对缆芯电线(11)绞合，并使该缆芯电线的外周被卷绕金属树脂带(21a)而形成的屏蔽层(2...

GaN衬底以及采用该衬底的器件。GaN衬底(30)的生长面(30a)是相对于m-面或a-面离轴定向的平面。亦即，在GaN衬底(30)中，生长面(30a)是已被偏离定向的m-面或a-面。由于，m-面和a-面是非极性面，利用该GaN衬底(3...

本发明提供了一种发光器件制造方法，其特征在于，在III族氮化物晶体衬底上形成至少单层的III族氮化物层，所述III族氮化物晶体衬底具有表面积不小于10cm2的主面，其中，在主面的除了从其外周到距离该外周5mm范围内的外周边缘区域之外的主...