发光器件制造方法技术

本发明专利技术提供了一种发光器件制造方法，其特征在于，在III族氮化物晶体衬底上形成至少单层的III族氮化物层，所述III族氮化物晶体衬底具有表面积不小于10cm2的主面，其中，在主面的除了从其外周到距离该外周5mm范围内的外周边缘区域之外的主要区域中，总位错密度是1×104cm-2至3×106cm-2，并且螺旋位错密度对所述总位错密度的比率是0.5以上。优选地，所述螺旋位错密度对所述总位错密度的比率是0.9以上。所制得的发光器件具有高发光强度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及适用于发光器件中的III族氮化物晶体衬底、发光器件和它们的制造方法。
技术介绍
发现III族氮化物晶体衬底具有作为多种半导体器件的衬底的极大用途，所述半导体器件包括光电器件元件和电子器件。对于多种使用III族氮化物晶体衬底的半导体器件的特性的改善，要求所述衬底具有低位错密度和有利的结晶度。而且，从III族氮化物晶体衬底的利用效率的观点来看，衬底主面的表面积为IOcm2以上，优选20cm2以上，被认为是必要的。因此，已经提出了大批制造低位错密度的III族氮化物晶体衬底的多种技术。(例如，参见日本未审专利申请2007-161536号公报。)其中，日本未审专利申请2007-161536号公报公开了如下电子器件具有均一的高击穿电压，所述电子器件包括AlxGiiyIni_x_yN(0彡x，0彡y,x+y ( 1)晶体衬底和在该衬底上形成的至少单层半导体层，在所述晶体衬底中，总位错密度是1 X IO2CnT2至1 X 106cm_2。该文献还公开了，从提高器件击穿电压的观点来看，用于电子器件的衬底中的螺旋位错密度优选是IX IO4CnT2以下。然而，对于衬底位错密度和除电子器件以本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光器件制造方法，其特征在于，在ＩＩＩ族氮化物晶体衬底上形成至少单层的ＩＩＩ族氮化物层，所述ＩＩＩ族氮化物晶体衬底具有表面积不小于１０ｃｍ２的主面，其中，在主面的除了从其外周到距离该外周５ｍｍ范围内的外周边缘区域之外的主要区域中，总位错密度是１×１０４ｃｍ－２至３×１０６ｃｍ－２，并且螺旋位错密度对所述总位错密度的比率是０．５以上。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤原伸介，吉田浩章，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP