【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及氮化碳的制备技术，具体涉及。
技术介绍
自从有人在上世纪末提出一种硬度可能超过金刚石的亚稳相β-C3N4后，这种材料的研究就一直是材料学的一个研究热点，后来科学家又陆续的计算出了 C3N4的其他几种相态α相、立方相、准立方相和类石墨相，这五种相态除类石墨相外，其余相态都比金刚石硬，其原理在于氮化碳中的碳是SP3杂化形成的，和金刚石中的碳的杂化情况相同，且氮化碳中的碳氮键比金刚石中的碳碳键短，且键能大，因此氮化碳比金刚石硬。氮化碳除了具备高硬度和高弹性外，还具有耐磨损、防腐蚀、耐高温等特性，能很好的运用于机械加工领域；它具有宽能带间隙和高导热性，是半导体和光学器件的候选材料。但是要把氮化碳从理论变为实际，科学家们尝试了多种方法，如等离子体辅助化学气相沉积法、反应溅射法、激光烧蚀法等，但制作出来的氮化碳薄膜多呈非晶结构，其原因在于当这五种晶相同时无序的生长，会导致最后形成的薄膜出现非晶的结构。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供，该方法操作简单，转化率高，能耗小，且制得的薄膜结构完整。为了达到上述目的，本专利技术采用的技术方案为 ，包括如下步骤 将硅衬...
【技术保护点】
１．一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向所述原子层沉积设备反应腔中通入碳源气体，所述碳源气体作为第一反应前驱体在硅衬底表面进行碳化学吸附，所述碳源气体中的碳原子吸附在所述硅衬底上；所述吸附在所述硅衬底上的碳原子与通入含氮的第二反应前驱体发生卤代反应，并产生相应的产物，直到硅衬底表面的碳原子完全消耗，在衬底表面形成单晶立方型氮化碳薄膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：夏洋，饶志鹏，万军，刘键，李超波，陈波，黄成强，石莎莉，李勇滔，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11
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