具有Ａ１系Ⅲ族氮化物单晶层的层叠体的制造方法、通过该制法制得的层叠体、使用该层叠体的Ａ１系Ⅲ族氮化物单晶基板的制造方法及氮化铝单晶基板技术

利用下述层叠体的制造方法，提供可适合作为制造Ａｌ系ＩＩＩ族氮化物单晶自立基板的基底基板来使用的、表面由Ａｌ系ＩＩＩ族氮化物的单晶构成、且没有裂纹、翘曲的基板。所述制造方法包括以下工序：（１）准备基底基板的工序，所述基底基板具有由与构成欲形成的Ａｌ系ＩＩＩ族氮化物单晶层的材料不同的材料的单晶构成的表面；（２）在所准备的基底基板的单晶面上形成厚度为１０ｎｍ～１．５μｍ的Ａｌ系ＩＩＩ族氮化物单晶层的工序；（３）在Ａｌ系ＩＩＩ族氮化物单晶层上形成厚度为Ａｌ系ＩＩＩ族氮化物单晶层的１００倍以上的非单晶层而不破坏Ａｌ系ＩＩＩ族氮化物单晶层的工序；及（４）将基底基板除去的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种制造由氮化铝等Al系III族氮化物的单晶构成的基板的方法。
技术介绍
氮化铝(AlN)由于其禁带宽高达6. 2eV，且为直接过渡型的半导体，因此，期待含 有AlN与同样为III族氮化物的氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)的混晶、特别是III族元素中 Al所占比率为50原子％以上的混晶(以下也称为Al系III族氮化物单晶。)而作为紫外 光发光元件材料。为了形成紫外发光元件等半导体元件，与η电极电接合的η型半导体层和与ρ电 极电接合的P型半导体层之间必须形成包括覆盖层、活性层等的层叠结构，从发光效率的 方面来看，在任何层中，高结晶性即结晶的位错、点缺陷少均是很重要的。该层叠结构形成 于具有自立存在所需的充分机械强度的单晶基板(以下也称为“自立基板”。)上。作为 该层叠结构形成用的自立基板，要求与形成层叠结构的氮化铝镓铟(AlGaInN)的晶格常数 差、热膨胀系数差小，以及从防止元件劣化的观点出发要求热导率高。因此，为了制作含有 氮化铝的半导体元件，在Al系III族氮化物单晶基板上形成上述层结构是有利的。关于Al系III族氮化物单晶自立基板，由于现状下没有市售的，因此本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造层叠体的方法，其特征在于，所述层叠体具有层叠结构，所述层叠结构包括Ａｌ系Ⅲ族氮化物单晶层和非单晶层，所述Ａｌ系Ⅲ族氮化物单晶层具有Ａｌ↓［１－（ｘ＋ｙ＋ｚ）］Ｇａ↓［ｘ］Ｉｎ↓［ｙ］Ｂ↓［ｚ］Ｎ所示的组成，其中，ｘ、ｙ及ｚ分别独立地为０以上且小于０．５的有理数，ｘ、ｙ及ｚ之和小于０．５，所述非单晶层由与构成该Ａｌ系Ⅲ族氮化物单晶层的材料同样的材料或以该材料为主要成分的材料构成，且所述Ａｌ系Ⅲ族氮化物单晶层的一个主表面露出于表面；该方法包括以下工序：（１）准备基底基板的工序，所述基底基板具有由与构成欲形成的Ａｌ系Ⅲ族氮化物单晶层的材料不同的材料的单晶构成的表面；（２）在所准备的上述基底基...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：永岛彻，箱守明，高田和哉，石附正成，纐纈明伯，熊谷义直，
申请(专利权)人：国立大学法人东京农工大学，株式会社德山，
类型：发明
国别省市：JP