固定电荷显现方法、薄膜晶体管的制造方法及薄膜晶体管技术

一种固定电荷显现方法，为在具有包含氧化物半导体的沟道层的半导体元件中的背沟道侧的绝缘膜中显现出固定电荷的方法，所述方法中，在形成有所述绝缘膜后，在所述绝缘膜的表面形成金属膜，经由所述金属膜对所述绝缘膜进行离子注入，由此在所述绝缘膜中显现出固定电荷。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种固定电荷显现方法、薄膜晶体管的制造方法及薄膜晶体管。

技术介绍

1、近年来，正在积极进行将in-ga-zn-o系(氧化铟镓锌(indium gallium zincoxide，igzo))等氧化物半导体用于沟道层的薄膜晶体管(thin film transistor，tft)的开发。

2、作为此种薄膜晶体管，例如在专利文献1中公开了使用膜密度小(2.70g/cm3～2.79g/cm3)的氧化铝作为构成与沟道层接触的栅极绝缘层或沟道保护层的绝缘膜的薄膜晶体管。且记载有：在所述薄膜晶体管中通过将此种膜密度小的氧化铝制成绝缘膜，可增大绝缘膜内的负的固定电荷密度，由此可使薄膜晶体管的阈值电压朝正方向偏移，而提高可靠性。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本专利特开2011-222767号公报

技术实现思路

1、专利技术所要解决的问题

2、然而，在专利文献1所公开的薄膜晶体管中，通过减小膜密度，换言之通过使膜质恶化来显现出负的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种固定电荷显现方法，为在具有包含氧化物半导体的沟道层的半导体元件中的背沟道侧的绝缘膜内显现出固定电荷的方法，所述方法中，

2.根据权利要求1所述的固定电荷显现方法，其中，基于所述离子注入的离子的平均射程大于所述金属膜的厚度，且小于所述金属膜的厚度与所述绝缘膜的厚度之和。

3.根据权利要求2所述的固定电荷显现方法，其中，所述离子的平均射程与其标准偏差之和小于所述金属膜的厚度与所述绝缘膜的厚度之和。

4.根据权利要求1所述的固定电荷显现方法，其中，所述绝缘膜为氧化硅膜或氮氧化硅膜。

5.根据权利要求1所述的固定电荷显现方法，其中，所述金属...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种固定电荷显现方法，为在具有包含氧化物半导体的沟道层的半导体元件中的背沟道侧的绝缘膜内显现出固定电荷的方法，所述方法中，

2.根据权利要求1所述的固定电荷显现方法，其中，基于所述离子注入的离子的平均射程大于所述金属膜的厚度，且小于所述金属膜的厚度与所述绝缘膜的厚度之和。

3.根据权利要求2所述的固定电荷显现方法，其中，所述离子的平均射程与其标准偏差之和小于所述金属膜的厚度与所述绝缘膜的厚度之和。

4.根据权利要求1所述的固定电荷显现方法，其中，所述绝缘膜为氧化硅膜或氮氧化硅膜。

5.根据权利要求1所述的固定电荷显现方法，其中，所述金属膜包含铝、铝合金、钼、钼合金、钛或钛合金。

6.根据权利要求1所述的固定电荷显现方法，其中，利用所述离子注入所注入的离子种类为选自o、n、c等原子离子...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲛岛俊之，瀬戸口佳孝，安东靖典，酒井敏彦，
申请(专利权)人：国立大学法人东京农工大学，
类型：发明
国别省市：