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一种固定电荷显现方法，为在具有包含氧化物半导体的沟道层的半导体元件中的背沟道侧的绝缘膜中显现出固定电荷的方法，所述方法中，在形成有所述绝缘膜后，在所述绝缘膜的表面形成金属膜，经由所述金属膜对所述绝缘膜进行离子注入，由此在所述绝缘膜中显现出固...
该专利属于国立大学法人东京农工大学所有，仅供学习研究参考，未经过国立大学法人东京农工大学授权不得商用。

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