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利用下述层叠体的制造方法，提供可适合作为制造Ａｌ系ＩＩＩ族氮化物单晶自立基板的基底基板来使用的、表面由Ａｌ系ＩＩＩ族氮化物的单晶构成、且没有裂纹、翘曲的基板。所述制造方法包括以下工序：（１）准备基底基板的工序，所述基底基板具有由与构成欲形成...
该专利属于国立大学法人东京农工大学;株式会社德山所有，仅供学习研究参考，未经过国立大学法人东京农工大学;株式会社德山授权不得商用。

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