本发明提供一种细径同轴电缆束，该电缆束即使反复进行变形，中心导体也不断裂，弯曲性良好，可以维持捆扎状态。细径同轴电缆束通过使捆扎的多根细径同轴电缆的末端与连接器连接而进行成端处理，用在设备内的弯曲、转动或者滑动的位置，多根细径同轴电缆穿...

本发明提供一种细径同轴电缆束及其制造方法，该电缆束即使反复进行变形，中心导体也不断裂，弯曲性良好，且容易进行捆扎加工。细径同轴电缆束通过使捆扎的多根细径同轴电缆的末端与连接器连接而进行成端处理，用在设备内的弯曲、转动或者滑动的位置，多根...

本发明涉及一种内置有多芯光纤的光缆，该多芯光纤具有多个纤芯和包层区域。该光缆具有覆盖多芯光纤的外皮。为了使多个纤芯间的串扰降低，利用按压卷线，将多芯光纤保持为施加了小于或等于一定曲率半径的弯曲的状态。

本发明提供一种光电复合线束及其制造方法，其不会导致连接器部分的大型化，通用性以及经济性优越。光电复合线束(11)在远离第一、第二连接器(12、13)的位置上，设置具有电光变换元件(41)的第一中继部(21)以及具有光电变换元件(43)的...

光学模块(1)包括基板(2)和光电器件(3)，该光电器件(3)包括设置有有源层(31)的第一表面(3A)和与第一表明(3A)相反且面对基板(2)的第二表面(3B)。在第二表面(3B)上设置有多个焊接凸块(3a)，并且光电器件(3)通过这...

本发明提供一种能够抑制电气特性的恶化，并且抑制PL特性的恶化的InP基板的制造方法、外延晶片的制造方法、InP基板及外延晶片。本发明的InP基板的制造方法包括如下步骤：准备InP基板(步骤S1～S3)；利用硫酸过氧化氢水溶液混合物清洗I...

本发明提供一种无卤类的绝缘管和热收缩管，其能够兼顾机械特性、耐热性和阻燃性，并且即使管内径缩小也具有能够在垂直燃烧试验中合格的阻燃性。一种绝缘管，通过将含有热塑性树脂、多官能单体、有机磷类阻燃剂的阻燃性树脂组合物成形为管状而得到，其中，...

本发明提供具有良好耐热性和阻燃性、柔韧性以及良好配线性的绝缘膜、以及使用该绝缘膜的扁平电缆。该绝缘膜包括依次层叠的树脂膜、结合层、以及阻燃树脂层。所述阻燃树脂层由树脂组合物构成，相对于100质量份的根据JIS?K7171所测定的弯曲模量...

一种能够通过减小沟道迁移率而减小导通电阻的IGBT，包括：n型衬底(11)，所述衬底(11)由SiC制成，并且其主表面(11A)相对于{0001}的面取向具有不小于50°且不大于65°的偏离角p型击穿电压保持层(13)，其由SiC制成，...

一种MOSFET(1)，其能够即使当栅电压高时通过减少沟道迁移率来减小导通电阻，所述MOSFET(1)包括：n型衬底(11)，其由SiC制成，并且具有相对于{0001}面具有50°-65°的偏离角的主表面；n型击穿电压保持层(13)，其...

本发明提供了一种SiC衬底，其具有与方向平行的第一取向平面(12)和第二取向平面(13)，所述第二取向平面(13)处于与所述第一取向平面(12)交叉的方向上且长度与所述第一取向平面(12)不同。本发明提供了另一种SiC衬底，其具有矩形平...

本发明提供了一种MOSFET，该MOSFET能够实现为稳定的反向击穿电压以及降低的导通电阻，当以二维平面来看时，其分别包括n导电类型的SiC晶片、被形成为包括SiC晶片的第一主表面(20A)的p导电类型的多个p本体(21)和形成在由多个...

本发明提供一种空气弹簧以获得即便在进行弯轨行驶时也具有良好舒适性的车辆。用于车辆的空气弹簧具有上面板、下面板、隔板、以及设置在下面板和下板之间的止动橡胶。空气弹簧设置有用于限制止动橡胶的偏移的机构，该机构具有设置在下板和下面板中任意一个...

准备具有第一后侧表面(B1)的第一碳化硅衬底(11)和具有第二后侧表面(B2)的第二碳化硅衬底。放置第一碳化硅衬底(11)和第二碳化硅衬底(12)，以在一个方向上露出第一后侧表面(B1)和第二后侧表面(B2)中的每个。形成连接部(50)...

本发明公开了制造氮化物半导体晶体的方法，其中实施下列步骤。首先，准备在内部配置源材料(17)的坩埚(101)。然后，在所述坩埚(101)内，通过加热和升华所述源材料(17)而淀积源材料气体，从而生长氮化物半导体晶体。在所述准备步骤中，准...

本发明的氮化物系半导体发光器件(LE1、LD1)的特征在于，具备：氮化镓衬底(11)，其具有主面(11a)，主面(11a)与基准平面(Sc)所成的角度α在40度以上且50度以下以及大于90度且在130度以下的范围内，其中，上述基准平面(...

一种MOSFET?1，包括：碳化硅(SiC)衬底(2)，所述碳化硅(SiC)衬底(2)的主表面相对于{0001}面具有不小于50°且不大于65°的偏离角；半导体层(21)，所述半导体层(21)形成在SiC衬底(2)的主表面上；和绝缘膜(...

本发明提供了一种MOSFET?1。所述MOSFET?1包括：碳化硅(SiC)衬底(2)，所述碳化硅衬底(2)的主表面相对于{0001}面具有不小于50°且不大于65°的偏离角；半导体层(21)，所述半导体层(21)形成在所述SiC衬底(...

本发明提供一种可使多个波长的光稳定地发光的结构较简易的发光器件。发光器件(1)具备：复合衬底(3)以及设置于复合衬底(3)上且具有发光层(9)的氮化镓系半导体层(5)。复合衬底(3)具有基体(19)与氮化镓层；氮化镓系半导体层(5)设置...

本发明提供一种在绝缘膜与引线之间、或者绝缘膜彼此之间不会残存气泡的引线部件的制造方法。其为这样的引线部件制造方法：通过在基台（１５）上接合有按压橡胶（１６）的加热加压工具（１４）的按压面（１６ａ），将比平导体（１２）的宽度长的绝缘膜（１...