本发明公开了一种能够同时获得如高Ｊ↓［Ｃ］和高Ｉ↓［Ｃ］的优良性能并降低成本的超导薄膜材料（１），所述超导薄膜材料（１）包括取向金属衬底（１０）和在该取向金属衬底（１０）上形成的氧化物超导膜（３０）。所述氧化物超导膜（３０）包括通过物理...

本发明提供了适用于发光器件中的可用的第Ⅲ族氮化物晶体衬底、包括所述衬底的发光器件和制造所述发光器件的方法。第Ⅲ族氮化物晶体衬底具有表面积不小于１０ｃｍ↑［２］的主面，在主面的除了从其外周到距离该外周５ｍｍ范围内的外周边缘区域之外的主要区...

可以得到一种ＧａＡｓ单晶衬底及使用该单晶衬底的外延晶片，可以抑制外延层生长时产生滑移位错，能够改善器件的耐压特性。ＧａＡｓ单晶衬底具有最大为２×１０↑［４］ｃｍ↑［－２］的平面平均位错密度，２．５－２０．０×１０↑［１５］ｃｍ↑［－３］...

一种生产化合物半导体的方法，包括：一个在化合物半导体的衬底或底层上除去杂质分子的步骤，它在生长外延层之前，将Ⅲ族分子束或Ｖ族分子束投射到化合物半导体的衬底或底层上，以及一个在化合物半导体的衬底或底层上生长Ⅲ族和Ｖ族原子的化合物半导体薄膜...

本发明是关于一种超导薄膜的制作方法。其特征是将含有从钇（Ｙ）、镧（Ｌａ）、钆（Ｇｄ）、钬（Ｈｏ）、铒（Ｅｒ）、镱（Ｙｂ）组成的一组元素中选择的一种元素Ｍ、钡和铜氧化物的混合物或者复合氧化物作为靶进行物理蒸镀，形成钙钛矿型或准钙钛矿型的氧...

本发明涉及超导体的制造方法，即通过在复合氧化物材料上照射氧离子束、惰性气体离子束及氧气与惰性气体的混合气体离子束之中的一种离子束，而使上述复合氧化物材料转变为超导体。将上述离子束聚焦、照射在上述复合氧化物材料上，可使复合氧化物材料被照射...

一种生产化合物半导体的方法，它包括：一个在化合物半导体的衬底或底层上除去杂质分子的步骤，它在生长外延层之前，将Ⅲ族分子束或Ｖ族分子束投射到化合物半导体的衬底或底层上，以及一个在化合物半导体的衬底或底层上生长Ⅲ族和Ｖ族原子的化合物半导体薄...

一种用物理蒸镀法在Ｍｇｏ、ＳｒＴｉＯ－［３］或ＺｒＯ－［２］单晶基片上形成以Ｌｎ－［１］Ｂａ－［２］Ｃｎ－［３］Ｏ７－ｘ（Ｌｎ是镧系元素）、（Ｌａ－［１］Ｘ＋［α］ｘ）－［２］ＣｕＯ－［４］（α是Ｂａ或Ｓｒ）所表示的复合氧化物超导体薄膜...

本发明超导材料的特征在于它主要包含具有下式：Ｔｌ－［ｘ］Ｃａ－［ｙ］ＢａＣｕ－［ｚ］Ｏ－［ａ］（这里，ｘ、ｙ、ｚ是分别满足０．５≤ｘ≤３．０，０．５≤ｙ≤３．０，０．９≤ｚ≤４．０的数）所述成份构成的复合氧化物。

一种隧道型约瑟夫森器件包括由复合氧化物超导材料形成的一对超导体层和在这对超导体层之间形成的绝缘层。该绝缘层是由超导体层的复合氧化物超导材料中组成元素相同的复合氧化物形成的，但具有不呈现超导特性的原子比。此外，该超导体层和该绝缘层是在供氧...

本发明超导材料的特征在于它主要包含具有下式：Ｔｌ↓［ｘ］Ｃａ↓［Ｙ］ＢａＣｕ↓［Ｚ］Ｏ↓［ａ］（这里，Ｘ、Ｙ、Ｚ是分别满足０．５＜Ｘ＜３．０，０．５＜Ｙ＜３．０，０．９＜Ｚ＜４．０的数）。所述成分构成的复合氧化物。

本发明提供了可以使用在诸如发光元件等中的高性能的外延片，以及可工业化制造该外延片的方法。外延片具有由ＧａＡｓ，ＧａＰ，ＩｎＡｓ，ＩｎＰ形成的组中选出的化合物半导体基板１，形成在基板１上的厚度为１０毫微米～８０毫微米的由ＧａＮ构成的缓冲层...

一种化合物半导体发光器件包括：ＧａＡｓ衬底；形成在衬底上的包括ＧａＮ的缓冲层，其厚度为１０ｎｍ～８０ｎｍ；形成在缓冲层上的包括Ａｌ Ｇａ Ｎ（０≤ｘ＜１）的外延层；位于缓冲层和外延层之间的界面上的极薄的平面；形成在外延层上的发光层；...

在衬底上形成高质量Ｉｎ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ（０＜ｘ＜１）外延化合物半导体层的工艺。包括ＩｎＣｌ↓［３］的第一气体和包括ＮＨ↓［３］的第二气体引入加热到第一温度下的反应室，以Ｎ↓［２］为载气在衬底上外延生长ＩｎＮ以形成ＩｎＮ缓冲层。...

本发明可得到一种具有蓝光亮度更高的发光器件。在ＧａＡｓ衬底（８）上形成氮化镓复合层（９），然后至少部分去除ＧａＡｓ衬底（８）以形成发光器件。由于去除了ＧａＡｓ衬底（８），与全部保留ＧａＡｓ衬底（８）的情况相比，光吸收减少。这样，可以得到...

提供有在立方晶系半导体（１１１）衬底上形成的ＧａＮ层的外延晶片。包括：立方晶系半导体（１１１）衬底；在所述衬底上形成厚度为６０ｎｍ以上的第一ＧａＮ层；和在第一ＧａＮ层上形成厚度０．１μｍ以上的第二ＧａＮ层。

一种由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构成的晶片（２１）包括由Ⅲ－Ⅴ族化合物构成的衬底（２２）和在衬底（２２）上形成的Ⅲ－Ⅴ族化合物层构成的外延层（２６），半导体衬底的外周边缘部分被这样倒角，使得其截面大体上是半径为Ｒ的弧形。离开衬底（２２）的外周...

一种层叠多个氮化铝（ＡＩＮ）陶瓷衬底与高熔点金属层和粘附层而获得半导体制造装置和保持体，该氮化铝（ＡＩＮ）陶瓷衬底包括，按元素重量为０．０１到１％的３ａ族元素化合物，且基本上包括氮化铝（ＡＩＮ）的剩余部分。其中ＡＩＮ晶体的平均颗粒大小为...

本发明提供一种ｎ型的ＧａＮ衬底。使原料气中含有氧，在ＧａＡｓ衬底上使ＧａＮ外延生长，然后将ＧａＡｓ衬底除去，获得具有与氧浓度成正比的ｎ型载流子的ｎ型ＧａＮ的独立膜。

提供一种面积大、弯曲小的独立的ＧａＮ单晶衬底。在ＧａＡｓ（１１１）衬底上形成具有交错式窗或条纹窗的掩模，用ＨＶＰＥ法或ＭＯＣ法，在低温下形成ＧａＮ缓冲层，用ＨＶＰＥ法在高温下形成厚的ＧａＮ外延层，将ＧａＡｓ衬底除去。将ＧａＮ独立膜作为种...