本发明提供了一种具有良好工作性能的碳化硅半导体装置及其制造方法。通过对提供在４Ｈ－ＳｉＣ衬底（１０）上的初始生长层（１１）的表面进行Ｓｉ膜覆盖的退火，从而形成扩大的台阶表面。然后在初始生长层（１１）上外延生长新生长层（２１）。在扩大的台...

本发明公开了一种生长氮化镓晶体的方法，其包括以下步骤：首先，准备基部衬底（步骤Ｓ１）；然后，在基部衬底上生长第一氮化镓层（步骤Ｓ２）；之后，生长比第一氮化镓层脆性低的第二氮化镓层（步骤Ｓ３）。

本发明提供制造Ⅲ族氮化物晶体的方法，所述Ⅲ族氮化物晶体（２０）具有除｛０００１｝以外的任意指定的面取向的主面（２０ｍ），所述方法包括以下步骤：由Ⅲ族氮化物块状晶体（１）切出多个具有指定面取向的主面（１０ｐｍ），（１０ｑｍ）的Ⅲ族氮化物晶...

本发明得到一种支架，其保护光纤连接器套圈避免受到来自外部的冲撞，而且能够不从支架中取出就进行短光纤的熔融连接。本发明是一种支架（５１），其收容具有光纤连接器套圈（７）的连接器插头（１０），保护安装在光纤连接器套圈（７）上的短光纤（５）及...

本发明提供半导体器件制造方法，其中降低了片分割时的不合格发生率并提高了收率。所述半导体器件制造方法包括：位错密度评价步骤，其中测定ＧａＮ衬底中与主面交叉的截面的位错密度，并选择位错密度为预定值以下的ＧａＮ衬底；以及分割步骤，其中在由位错...

本发明提供一种作为光学膜的含有Ｓｉ－Ｏ的氢化碳膜，其对于波长为５２０ｎｍ的光的折射率为至少１．４８到至多１．８５，并且对于波长为２４８ｎｍ的光的消光系数小于０．１５，其中，通过使用能量束照射，折射率和消光系数都降低。通过使用这种含有Ｓｉ...

本发明提供具有极好性能特性的碳化硅半导体器件及其制造过程。由Ｓｉ形成的涂覆膜（Ｍ１）形成在４Ｈ－ＳｉＣ衬底（１０）上提供的初始生长层（１１）上，以及在覆盖有涂覆膜（Ｍ１）的区域上形成扩大的台阶表面（１５Ａ）。接下来，去除涂覆膜（Ｍ１），...

本发明公开了一种制造ＳｉＣ半导体装置的方法，该方法包括在ＳｉＣ单晶体（４）的至少一部分表面中离子注入掺杂剂的步骤，在离子注入之后在ＳｉＣ单晶体（４）的表面上形成Ｓｉ膜（８）的步骤，以及将提供有Ｓｉ膜（８）的ＳｉＣ单晶体（４）加热至不低于...

本发明提供包含聚酰亚胺树脂组合物的聚酰亚胺管、制备这种管的方法、以及具有这种管作为基材的定影带，其中所述聚酰亚胺树脂组合物含有聚酰亚胺树脂，在所述聚酰亚胺树脂中分散有占所述组合物总体积的１５体积％或更高的针状高导热性填料（如碳纳米管）；...

本发明提供一种制造碳化硅半导体器件的方法，其包括以下步骤：在包括第一导电型碳化硅晶体衬底（１）、第一导电型碳化硅晶体层（２）、第二导电型碳化硅晶体层（３）、以及第一导电类型半导体区（５）的半导体叠层衬底（４）中，形成沟槽（７），该沟槽（...

本发明获得一种其上能够形成良好质量外延生长层的Ⅲ族氮化物衬底，以及一种制造上述衬底的方法。ＧａＮ衬底（１）为如下之一：一种Ⅲ族氮化物衬底，其中每平方厘米表面（３）的酸性物质原子个数为２×１０↑［１４］以下，并且每平方厘米表面（３）的硅原...

提供一种生产率较高的多层印刷线路板的制造方法，能够以简单的工序制造连接可靠性优良的多层印刷线路板。多层印刷线路板的制造方法的特征在于，包括以下工序：准备双面基板，该双面基材具有基材、设置于上述基材的一侧表面上的第一导电层、设置于上述基材...

提供了一种局侧集线设备，该局侧集线设备容纳多个无源光网络，包括：多个接收部件，该多个接收部件连接到多个无源光网络中的每一个；以及接口部件，该接口部件用于控制来自多个无源光网络的用户数据的发射时刻，使得多个接收部件接收到的用户数据能够被紧...

本发明提供：一种聚酰亚胺管，其由氮化硼和针状物质均作为填料分散在聚酰亚胺树脂中而制成的聚酰亚胺树脂组合物构成，其中所述氮化硼占所述组合物总体积的５％至２３．５％，所述针状物质占所述组合物总体积的１％至１５％；所述聚酰亚胺管的制备方法；用...

本发明公开一种光波导连接器的制造方法，该方法可以改善插芯构件的生产率并且将与配对连接器的连接损耗抑制为较低水平。光波导连接器（１１）可以由以下步骤获得：对准步骤，即利用定位构件（１６）的与插芯构件（１３）的前端相对地布置的定位部分，对从...

本发明涉及一种具有下述构造的光纤分布型检测方法，该构造用于实现温度分布或变形分布的高效测定。在该测定方法中，通过对从光源相对入射至对象物的探测光及泵浦光进行调制频率及调制指数的调节，同时，对上述探测光与泵浦光之间的相位差进行调节，从而顺...

本发明提供一种在液晶投影仪的透明衬底等中所使用的多晶透明陶瓷衬底的制造方法。所述多晶透明陶瓷衬底的制造方法的特征在于包括：对成形为预定形状的陶瓷体进行烧结并制造多晶透明陶瓷烧结体的步骤；对所述多晶透明陶瓷烧结体进行切割并制造多个多晶透明...

本发明公开一种透明多晶尖晶石衬底，其特征在于，在厚度１ｍｍ和波长４５０ｎｍ的条件下测量的在正交尼科耳系统中的透过率为０．００５％以下。所述透明多晶尖晶石衬底即使在用作光学制品时，也不会出现图像模糊或明暗变化。本发明还提供一种制造所述透明...

本发明提供一种光纤连接部件及其安装方法，其可以通过简单的连接作业高精度地将带外皮光纤定位并连接。安装于在玻璃光纤（２１）的外周具有外皮（２４）的光纤（２０）上的光纤连接器（１）具有：插芯（４０），其具有玻璃光纤插入孔（４２）；固定部（３...

本发明提供一种锂电池，该锂电池虽然含有固体电解质，却具有高容量。锂电池１包括：正极层１３；负极层１４；以及设置在层１３和层１４之间的硫化物固体电解质层（ＳＥ层１５）。锂电池１具有在层１３和层１５之间形成的正极覆盖层１６和缓冲层１７，以抑...