本发明提供一种引线，该引线用于向冷阴极荧光灯的电极供电，该引线由镍合金构成，其中所述镍合金含有大于或等于０．０００１质量％而小于或等于０．０３质量％的Ｃ、合计为大于或等于１．０质量％而小于或等于９．０质量％的选自Ｍｎ、Ｓｉ及Ｃｒ中的一种...

本发明提供一种电线的制造方法，其可以经济地制造在包覆导体的绝缘体中稳定地形成有空隙部且传送效率高的电线。通过向由模具（３１）和浇口（４１）之间的间隙构成的环状挤出流路（５１、５２）挤出树脂（Ｒ），从而制造在从浇口（４１）中心形成的插入孔...

本发明提供非铅系树脂组合物及使用了该树脂组合物的绝缘电线，所述树脂组合物基本上不含锑，并且只使用氯乙烯树脂作为基材树脂，而且在阻燃性以及老化后的耐电压特性（绝缘破坏值残余率）和拉伸伸长率残余率方面优异。所述树脂组合物含有氯乙烯树脂、氢氧...

提供一种向阱层注入载流子的效率提高的氮化物类半导体发光元件。该氮化物类半导体发光元件具备：由六方晶系氮化镓类半导体构成的基板（５）；设置于基板（５）的主面（Ｓ１）的ｎ型氮化镓类半导体区域（７）；设置于该ｎ型氮化镓类半导体区域（７）上的单...

一种ＩＩＩ族氮化物半导体光元件（１１ａ），包括：ＩＩＩ族氮化物半导体基板（１３），具有与基准平面（Ｓｃ）成有限的角度的主面（１３ａ），基准平面（Ｓｃ）与ｃ轴方向上延伸的基准轴（Ｃｘ）正交；和量子阱结构的活性层（１７），被设置于ＩＩＩ族氮...

本发明提供一种细径同轴电缆，其提高细径化、柔软性、耐弯折性，并且屏蔽特性优异、衰减量受到抑制，其构成为以同轴构造配置中心导体、绝缘体、屏蔽层以及外皮。中心导体的截面积为０．００３ｍｍ２～０．０９ｍｍ２，屏蔽层由内侧屏蔽层和外侧屏蔽层构成...

本发明提供一种含有金属微粒的金属催化剂，所述金属微粒的粒径为３ｎｍ以下，并且，其金属键状态的比例为４０％以上，所述金属键状态是通过对使用Ｘ射线光电子分析装置测定的金属固有的键能峰进行波形分离来确定归属的金属键状态。作为金属微粒，优选铂微...

本发明涉及一种可高效且高精度地进行对数字图像的真正性验证的、适用性强的图像加工方法及图像检查方法。在该图像加工方法中，对可删改的环境下可暂时或持续存在的数字图像的至少一部分，使用预定的构造要素进行第一次形态学运算，从而加工该数字图像。在...

本发明涉及一种对象物的温度分布测定方法及传感器单元，其利用ＢＯＣＤＡ方式的光纤传感技术，测定对象物的温度分布。在该测定方法中，通过将作为ＢＯＣＤＡ方式的光纤传感器起作用的光纤，相对于对象物的规定测定区域二维或三维地进行配置，从而在构成配...

本发明提供一种不含卤素系阻燃剂的阻燃树脂复合材料；其阻燃性与ｐｖｃ绝缘电线的阻燃性相当；其能够形成这样的覆盖层，该覆盖层具有优异的机械性能、耐热性、耐热变形性等性能；并且其能够满足热卷绕试验的要求。本发明还提供一种电线和电缆，其具有通过...

本发明涉及一种光传感技术，其用于利用布里渊散射现象，对存在于微细构造物上或微细构造物中的对象物的物理量进行测定及控制。在该测定方法中，在微型化学芯片或ＩＣ芯片等元件上或元件中一维至三维地设置光波导路，基于该光波导路中产生的布里渊散射光的...

本发明涉及一种流体的物理量测定方法及控制方法，其利用ＢＯＣＤＡ方式的光纤传感技术，测定流体的温度分布等物理量。在该测定方法中，作为ＢＯＣＤＡ方式的光纤传感器起作用的光纤，沿管路内流动的流体的流动方向设置在该管路内。由于光纤与管路内流动的...

一种放大器（１０１），其包括：第一晶体管（Ｎ１），其具有接收电流的第一导电电极、耦合到所述第一导电电极的控制电极和耦合到固定电压源的第二导电电极；第二晶体管（Ｎ０），其具有第一导电电极、第二导电电极和耦合到所述第一晶体管（Ｎ１）的所述控...

一种半导体器件的制造方法，包括：第一步骤，在半导体（１０２）表面的部分区域中形成离子注入掩模（１０３）；第二步骤，将第一掺杂剂的离子注入到除了其中形成离子注入掩模（１０３）的区域之外的半导体（１０２）表面的暴露区域的至少一部分中，以及形...

本发明得到一种光纤连接器，其可以通过紧凑化而提高收容至箱体等的收容性，而且可以避免光纤的弯曲损耗增加或破损等问题。光纤连接器（１）收容保持熔融连接部（１３），该熔融连接部（１３）是对预先安装在光纤连接器插芯（８５）上的短光纤（５）与光纤...

本发明公开了一种聚光光学系统，该聚光光学系统具有小尺寸的会聚光斑和大的焦深而不会引起会聚光斑的强度下降和在焦点位置的前后区域强度分布不连续的问题。该聚光光学系统以预定的焦距会聚由激光源生成的激光束并且设计成满足表达式（ａ）～（ｄ），由此...

本发明的电池具有正极层２０、负极层５０和电解质层４０，其中离子传导经由该电解质层而在两电极层之间进行。在所述电池中，正极层２０和负极层５０相互层叠在一起，并且在正极层２０和负极层５０之间设置有绝缘层３０。所述绝缘层３０的面积小于正极层２...

本发明公开了一种生长大型高品质的ＡｌｘＧａ１－ｘＮ单晶的方法。具体公开了生长ＡｌｘＧａ１－ｘＮ单晶的方法，其包括：准备ＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０＜ｙ≤１）晶种（４）的步骤，所述晶种的晶体直径Ｄ?ｍｍ和厚度Ｔ?ｍｍ符合下列关系式：Ｔ＜０．００...

本发明提供用于冷阴极荧光灯的电极元件、制备所述电极元件的方法、以及冷阴极荧光灯，其中所述电极元件具有优异的耐溅射性和放电性能，并且具有优异的生产率。冷阴极荧光灯１包括玻璃管２０以及设置在管２０内的电极元件１０。电极元件１０均包括：具有底...

本发明提供了Ⅲ族氮化物单晶锭、利用所述锭制造的Ⅲ族氮化物单晶衬底、制造Ⅲ族氮化物单晶锭的方法及制造Ⅲ族氮化物单晶衬底的方法，其中降低了在长度延长生长时的裂纹发生率。所述制造Ⅲ族氮化物单晶锭的方法包括：腐蚀底部衬底的侧面的步骤，以及在底部...