在生长Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体（ＧａＮ）的气相生长装置１中，其内部配置盛装Ⅲ族元素的容器１１，同时还配置包括具有通入氮的导入口７的反应室３，激发由导入口７通入的氮为等离子体的激发装置１５；加热配置在反应室３内晶种１０和盛装容器１１的加热装置...

一种ＧａＮ单晶衬底的制造方法，其特征在于，包括：屏蔽层形成工序，在ＧａＡｓ衬底２上，形成具有相互隔离配置的多个开口窗１０的屏蔽层８；和外延层生成工序，在屏蔽层８上，生长由ＧａＮ构成的外延层１２。

提供一种制造１０↑［６］ｃｍ↑［－２］以下低错位ＧａＮ单结晶的方法，其特征是气相成长的成长表面不是平面状态，形成具有三维的小面结构，保持小面结构，通过在不埋没小面结构下进行成长，可降低错位，进行单晶体氮化镓的结晶成长。

一种ＺｎＳｅ基ＬＥＤ内部设置一注入电流限制区域，用于通过限制用于光发射的注入电流而限制缺陷的增加。当一光传送Ａｕ电极（９）的一端从一解理面（１３）分离开来时，一靠近解理面（１３）的区域充作注入电流限制区域。

获得了具有低接触电势的欧姆电极的化合物半导体器件的制造方法和化合物半导体器件的制造设备。该方法包括衬底清洗工序，其包括第一清洗步骤，在不大于２５０℃的温度范围内，加热含有第一导电类型杂质的化合物半导体衬底（１），用氯化氢腐蚀其表面，和第...

本发明提供一种贯通转位密度小，而且在基体表面中不存在转位束，不产生劈开面紊乱的ＧａＮ基体制造方法和ＧａＮ基体。对ＧａＮ单结晶锭，在与生长方向平行的面处进行切片加工制作基体，由于转位走向平行于表面，形成低转位密度。将其作为晶种生长ＧａＮ。

本发明提供一种可以收取氧作为ｎ型掺杂剂的氮化镓单晶的成长方法。该法采用在表面（上面）具有Ｃ面以外的面的种晶，在供给含镓原料、氮原料和掺杂必要的含氧的原料气的同时，保持Ｃ面以外的表面，使氮化镓结晶进行气相成长，通过该表面，在氮化镓结晶中掺...

本发明提供一种具有可自由更换前端部的焊接工具和焊接台。一种安装前端部和柄部或台座部构成的半导体用的焊接工具或焊接台，其特征在于构成前端部的矩形和圆形的基体部和从基体部突出的突出部由相同材料构成，突出部的前端部用气相合成金刚石覆盖，基体部...

一种配备光传输窗的光学半导体的密封封装，其光传输表面相对于封装底面的垂线至少倾斜６°，以及它使用钎焊材料连接到封装侧壁的圆部件上，而窗材料是由光传输陶瓷板组成（例如氧化铝或尖晶石），陶瓷板为实质上规则的六边形或盘形，在其上形成围绕周边的...

用于容放光半导体器件的密封封装容器，它可减少在陶瓷端子件的导电条中所产生的热量，比起传统的封装，在低能量消耗时，增加了导电条的电流，使封装内的器件能稳定的输出。还提供一种结合此容器的光半导体模块。陶瓷端子件有包含多个导电条的第一布线层，...

一种ＳｉＣ制的横向ＪＦＥＴ，它使用ｎ型ＳｉＣ衬底，包括具有迁移率高的载流子的沟道区，成品率高。该横向ＪＦＥＴ包括：ｎ型ＳｉＣ衬底（１ｎ）；ｐ型ＳｉＣ膜（２），被形成在ｎ型ＳｉＣ衬底的正面上；ｎ型ＳｉＣ膜（３），被形成在ｐ型ＳｉＣ膜上，包...

本发明涉及一种在含Ｉｎ复合半导体晶片中非侵入性评价载体浓度的方法，该方法能够在半导体器件应用中利用评价的晶片本身。利用Ｃ／Ｖ技术，在包括含Ｉｎ复合半导体表面层的晶片中评价载体浓度的方法，其特征在于，通过在晶片表面接触液体电极，不利用光蚀...

一种面结型场效应晶体管及其制造方法，可以得到以低损失、能作高耐压及大电流切换动作的偏差少的面结型场效应晶体管（ＪＦＥＴ）。该ＪＦＥＴ包括：第二导电型的栅极区域（２），其设在半导体基片的表面；第一导电型的源极区域（１）；第一导电型的通道区...

本发明提供一种在蓝～紫～近紫外区有灵敏度，暗电流低，可靠性高的ｐｉｎ光电二极管和雪崩光电二极管。ｐｉｎ光电二极管的结构是：ｎ型ＺｎＳｅ单晶基板；在其上直接或在ＺｎＳｅ基板上形成ｎ型ＺｎＳｅ缓冲层上进行外延生长的ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅ层；ｉ型...

本申请公开了一种半导体制造设备工件保持架，其基片保持表面具有优良的等温属性，其适用于在涂胶机／显影机中热固光刻胶，和烘低介电常数，即低ｋ的绝缘膜。工件保持架由基片保持架１和支撑基片保持架１的支撑部件４组成，其特点是支撑部件４的热传导率低...

提供一种不昂贵的具有高的可靠性的工件固定器和一种设有工件固定器的加工设备，其能防止由空气中的氧所引起的损坏。固定器包括：陶瓷体，其具有电极和加热器电路并能够固定工件；管形件，其具有连接至陶瓷体的末端部分；密封件，其放在管形件的内部并将管...

化合物半导体晶片的制备方法，其中颗粒附着、正表面氧化和变质是轻微的并且减少了有机溶剂的用量。吸附垫结合在抛光盘上，不需要使用蜡将晶片吸附在吸附垫上进行抛光后，不用干燥而存放在净化水中。由于在净化水中存放，所以颗粒附着、正表面氧化和变质变...

提供一种基片支承构造体，所述的基片支承构造体具有优良的耐腐蚀性及气密性、同时有优良的尺寸精度，在被加有机械的或热的应力时有足够的耐久性。本发明基片支承构造体的支承体（１）包括：支承基片用的陶瓷基体（２）、接合在陶瓷基体（２）上的保护筒体...

一种光学模块，包括： 一光学子部件； 一与该光学子部件电连接的接线基板； 一外壳，其具有一用于封装该光学子部件的前空间，一用于封装该接线基板的后空间，以及一设置在该前空间与该后空间之间的挡板，该前空间和后空间沿一假想方...

一种焊接载物台，其特征在于：主体部由导热率为１００Ｗ／ｍＫ以上的构件组成，并存在该主体部的外缘至少有一部分是由导热率为５０Ｗ／ｍＫ以下的构件组成的外周部。