本发明公开一种具有高ＥＭＩ屏蔽性能的光收发器。本发明的光收发器设置有由金属制成的光学插座、以及具有与所述光学插座组装在一起的金属盖的光学组件。所述金属盖将所述收发器的外部与内部电磁地隔离开。所述金属盖设置有板部分和边缘部分，其中，所述板...

一种ＩＩＩ族氮化物半导体激光器元件及其制作方法，在六方晶系ＩＩＩ族氮化物的ｃ轴朝向ａ轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有能够实现低阈值电流的激光谐振器。作为激光谐振器的第１和第２切断面（２７、２９）与ａ－ｎ面交叉。ＩＩＩ族氮化物半导体...

本发明得到一种光纤连接器，其可以通过紧凑化而提高收容至 箱体内的收容性，而且能够避免光纤的弯曲损耗增加或破损等问题。 一种光纤连接器(1)，其收容保持熔融连接部(13)，该熔融连接 部(13)是对预先安装在光纤连接器套圈(7)上的短光纤...

本发明公开了包含Si和Ni的用于SiC半导体的欧姆电极(2)，或 者包含Si和Ni并且另外包含Au或Pt的用于SiC半导体的欧姆电极(2)； 所述欧姆电极(2)的制造方法；利用所述欧姆电极(2)的半导体装置；以 及所述半导体装置的制造方法。

本发明提供一种光纤切断方法以及切断装置，其不需要光纤的 外皮除去工序，可以容易地切断光纤。该光纤切断装置具有：夹具 (11a、11b)，其在切断预定位置(CT)的两侧握持包含玻璃部(31) 和外皮(32)的光纤(30)；圆板状的刃部件(...

本发明公开一种光学模块，其中所述模块具有ＬＤ、ＴＥＣ，并且透镜连同透镜承载件均安装在所述ＴＥＣ上。来自所述ＬＤ的信号光被所述透镜会聚并被所述反射镜反射，所述透镜和所述反射镜均装配在安装于在所述ＴＥＣ上的所述透镜承载件上。所述ＴＥＣ安装在...

本发明涉及一种光通信系统，其可以在抑制分布式拉曼放大用的激励光功率增大的同时改善ＯＳＮＲ。在该光通信系统中，将光纤架设在发送站点（或中继站点）和接收站点（或中继站点）之间的传输区间中，利用光纤从发送站点向接收站点传输光信号。在该光通信系...

本发明提供ＧａＮ单晶衬底、基于ＧａＮ的半导体器件及它们的制造方法。所述ＧａＮ单晶衬底具有面积为１０ｃｍ２以上的主面，所述主面具有相对于（０００１）面和（０００－１）面中的一个面以６５°～８５°倾斜的面取向，所述衬底具有在所述主面中载流子...

本发明提供了氮化物半导体衬底、半导体器件及其制造方法。该氮化物半导体衬底具有用作半极性面的主表面并且设置有倒角部分，该倒角部分能够有效防止破裂和碎裂。该氮化物半导体衬底具有：主表面，所述主表面相对于（０００１）面向着［１－１００］方向以...

本发明提供不易断裂且能提高制造成品率的氮化镓衬底。氮化镓衬底（１０）由例如具有２英寸直径和１ｃｍ厚度的ＧａＮ单晶锭制作。主面（１２）相对于ＧａＮ单晶的Ｃ面的倾斜角（θ）为２０°以上、１６０°以下。氮化镓衬底（１０）的断裂韧性为１．３６Ｍ...

本发明提供一种具有即使在反复进行频繁装卸这种使用环境下也能够耐受这种环境的疲劳特性的塑料包层光纤。其中，在由石英玻璃形成的芯层的外周设置有通过将固化性树脂组合物固化而形成的包层，所述芯层与所述包层的界面的密着力为1.5g/mm～4.0g...

本发明涉及一种多芯光纤，其具有用于有效地抑制偏振模色散增大的构造，该多芯光纤具有：多个多芯单元；以及包层区域，其对该多个多芯单元在间隔规定距离的状态下一体地覆盖。多个多芯单元各自包含多个纤芯区域，该纤芯区域配置为，在与光轴方向正交的剖面...

本发明涉及激光装置，能够从构成激光光束输出端口的多个光束发射端的每一个提供激光光束，并实现总的低能耗和低非线性。所述激光装置包括种子光源、光束发射端、中间光放大器、分光设备和终极光放大器。光束发射端的数量多于种子光源的数量，终极光放大器...

本发明提供一种GaN衬底和半导体器件。该半导体器件能够以高成品率制造且具有优异特性。该半导体器件包括：GaN衬底(10)，该GaN衬底具有反向域(10t)聚集面积(Stcm2)与GaN衬底(10)的主面(10m)的总面积(Scm2)的比...

本发明提供一种制造ＩＩＩ族氮化物晶体的方法，在所述方法中能够在高晶体生长速率下生长具有主面的高结晶度ＩＩＩ族氮化物晶体，所述主面的面取向不同于｛０００１｝。本发明的制造ＩＩＩ族氮化物晶体的方法包括：从ＩＩＩ族氮化物块晶体１切割多个具有主...

本发明提供一种电极结构，该电极结构通过主要由热固性树脂组成的各向异性导电粘合剂而粘合到连接导体上，从而与所述连接导体电连接，所述电极结构包括：使用粘合剂连接的电极，所述电极设置在基材上；以及用作防氧化膜的有机膜，其用于覆盖所述使用粘合剂...

本发明公开了一种制造氮化物半导体晶体的装置，其具有足够的耐久性且在从坩埚外部混入杂质方面受到抑制。本发明还公开了一种制造氮化物半导体晶体的方法以及氮化物半导体晶体。具体地，本发明公开了一种制造氮化物半导体晶体的装置（１００），其包含坩埚...

本发明提供一种发电元件、以及具有该发电元件的非水电解质电池，其中所述发电元件具有优异的循环特性，并且能够以令人满意的产率制得。所述发电元件包括正极层、负极层以及设置在这两种电极层之间的固体电解质层，所述固体电解质层包含Ｌｉ、Ｐ、Ｓ和Ｏ，...

本发明公开了一种制备标准试样的方法以及通过热解ＧＣＭＳ来定量确定树脂中所含红磷的分析方法，所述试样即使在极小量时，也可以保证预定浓度的红磷的均匀分散，所述分析方法的特征在于使用所述标准试样。具体来说，本发明公开了一种制备用于定量确定树脂...

本发明提供一种同轴电缆束，其使用直径大于连接器部分的各线间距的电线，并且确保良好的电气特性。同轴电缆束（１０）具有与多根同轴电缆（１１）连接的中继基板（２１），在中继基板（２１）的正面及背面连接有多根同轴电缆（１１），其连接面（３１、４...