氮化镓衬底制造技术

本发明专利技术提供不易断裂且能提高制造成品率的氮化镓衬底。氮化镓衬底（１０）由例如具有２英寸直径和１ｃｍ厚度的ＧａＮ单晶锭制作。主面（１２）相对于ＧａＮ单晶的Ｃ面的倾斜角（θ）为２０°以上、１６０°以下。氮化镓衬底（１０）的断裂韧性为１．３６ＭＮ／ｍ３／２以上。根据这样的氮化镓衬底（１０），能够使裂纹不易产生，从而能够减少断裂。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及氮化镓衬底。技术背景由氮化物半导体单晶构成的衬底(参考日本特开2006-044982号公报)已经公 开。该衬底具有AlxGai_xN(0彡X彡1)的组成。该衬底的断裂韧性值为(1. 2-0. 7X)MPa ·πι1/2 以上。该衬底的主面积为20cm2以上。
技术实现思路
氮化镓(GaN)、InGaN等氮化镓基化合物半导体具有高的带隙能。因此，期待 将氮化镓基化合物半导体用于发出蓝光或绿光这样短波长的光的发光元件的用途。通 常，氮化镓基化合物半导体在由具有与氮化镓基化合物半导体的热膨胀系数接近的 热膨胀系数的不同材料(Si、SiC、蓝宝石等)构成的衬底上，通过MBE(分子束外延， Molecular BeamEpitaxy)、M0CVD (金属有机化学气相沉积，Metal Organic ChemicalVapor Deposition)等方法生长。但是，在使氮化镓基化合物半导体在由不同的材料构成的衬底上生长时，由于热 膨胀系数的差异、晶格失配等而在衬底上产生应力。该应力引起器件的翘曲、薄膜的剥离、 位错密度的增加，因此对器件特性带来不良影响。另一方面，在使氮化镓基化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化镓衬底，其中，具有主面，所述主面相对于衬底结晶的Ｃ面的倾斜角为２０°以上、１６０°以下，断裂韧性为１．３６ＭＮ／ｍ↑［３／２］以上。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：八乡昭广，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]