磷化铟基板的制造方法、外延晶片的制造方法、磷化铟基板及外延晶片技术

本发明专利技术提供一种能够抑制电气特性的恶化，并且抑制PL特性的恶化的InP基板的制造方法、外延晶片的制造方法、InP基板及外延晶片。本发明专利技术的InP基板的制造方法包括如下步骤：准备InP基板(步骤S1～S3)；利用硫酸过氧化氢水溶液混合物清洗InP基板(步骤S5)；在利用硫酸过氧化氢水溶液混合物进行清洗的步骤(步骤S5)后，利用磷酸清洗InP基板(步骤S6)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种磷化铟基板的制造方法、外延晶片的制造方法、磷化铟基板及外延晶片。
技术介绍
磷化铟(InP)基板因具有发光的特性、及电子的迁移速度快等，而广泛用在半导体激光、LED (Light Emitting Diode 发光二极管)或者高速器件等。半导体激光及LED在将外延层形成在InP基板上之后测定PUphotoluminescence，光致发光)强度，由此可简易地检查发光性能，该PL发光强度是以强者为佳。又，高速器件中，由于InP基板与外延层的界面的杂质所引起的漏电成为问题，由此界面中η型或者ρ型杂质较少者特性稳定。InP基板的制造方法揭示在例如日本专利特开平5-267185号公报(专利文献1) 中。具体而言，在将晶锭切割(cutting)制成晶片之后，进行研磨制成镜面晶片。该镜面晶片的表面，会残存研磨剂等成分，或研磨后产生氧化，或附着有机物，而形成与晶锭不同的层(表面膜)。使用硫酸将该表面膜蚀刻去除，而使表面膜的厚度为Inm以下。又，使用硫酸以外的溶液的InP基板的表面处理揭示在例如日本专利特开平 5-166785号公报(专利文献2)、日本专利特开昭54-13500本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种磷化铟基板的制造方法，其包括如下步骤：准备磷化铟基板；利用硫酸过氧化氢水溶液混合物清洗上述磷化铟基板；及在上述利用硫酸过氧化氢水溶液混合物进行清洗的步骤之后，利用磷酸清洗上述磷化铟基板。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.04.20 JP 2009-1020181.一种磷化铟基板的制造方法，其包括如下步骤准备磷化铟基板；利用硫酸过氧化氢水溶液混合物清洗上述磷化铟基板；及在上述利用硫酸过氧化氢水溶液混合物进行清洗的步骤之后，利用磷酸清洗上述磷化铟基板。2.根据权利要求1所述的磷化铟基板的制造方法，其特征在于以上述磷酸进行清洗的步骤中，使用以上且30%以下的浓度的上述磷酸水溶液。3.根据权利要求1或2所述的磷化铟基板的制造方法，其特征在于上述准备步骤中， 准备包含掺杂剂的上述磷化铟基板，上述掺杂剂含有选自由铁、硫、锡以及锌所组成的群中的至少一种物质。4.一种外延晶片的制造方法，其包括如...

【专利技术属性】
技术研发人员：冲田恭子，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP