【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体器件，并且更具体而言，涉及能够实现稳态反向击穿电压和使导通电阻减小的半导体器件。
技术介绍
近年来，包括诸如功率器件的半导体器件的器件进一步要求改进可靠性并且功耗降低。在这种趋势下，要求诸如MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)、JFET(结型场效应晶体管)和IGBT (绝缘栅双极晶体管)的功率器件具有较高的反向击穿电压和降低的导通电阻。为了满足这些要求，已经提出了一种ACCUFET (积累模式FET)，其中，单元的平面形状(即，本体区域、当以二维平面图来看时被该本体区域围绕的载流子供应区域等的平面形状)是六边形的，并且每个单元被布置成位于六边形的各顶点。通过采用这种布置，可以改进反向击穿电压(例如，参见WO 02/43157(专利文献1))现有技术文献专利文献专利文献1 :W002/4315
技术实现思路
本专利技术要解决的问题然而，当采用具有六边形平面形状的单元时，难以在半导体器件的制造工艺期间保持单元的设计形状。具体来讲，随着制造工艺进行，在六边形的顶点附近，与设计形状的差别变得更大。因此，当采用具有六边形平面形状的单元时，设计反向击...
【技术保护点】
１．一种半导体器件（１、２），其包括：第一导电类型的半导体晶片（１５、１１５）；第二导电类型的多个本体区域（２１、１２１），所述多个本体区域（２１、１２１）被形成为包括第一主表面（２０Ａ、１２０Ａ），所述第一主表面（２０Ａ、１２０Ａ）是所述半导体晶片（１５、１１５）的一个主表面；以及第一导电类型的载流子供应区域（２２、１２２），当以二维平面来看时，所述载流子供应区域（２２、１２２）分别形成在由所述多个本体区域（２１、１２１）围绕的区域中，当以二维平面来看时，每个所述本体区域（２１、１２１）具有圆形形状，当以二维平面来看时，每个所述载流子供应区域（２２、１２２）被布置成与每个...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.08.18 JP 2009-1891521.一种半导体器件(1、2)，其包括 第一导电类型的半导体晶片(15、115)；第二导电类型的多个本体区域(21、121)，所述多个本体区域01、121)被形成为包括第一主表面(20A、120A)，所述第一主表面Q0AU20A)是所述半导体晶片(15、115)的一个主表面；以及第一导电类型的载流子供应区域02、12 ，当以二维平面来看时，所述载流子供应区域02、122)分别形成在由所述多个本体区域01、121)围绕的区域中， 当以二维平面来看时，每个所述本体区域01、121)具有圆形形状， 当以二维平面来看时，每个所述载流子供应区域02、12 被布置成与每个所述本体区域01、121)同心并且具有圆形形状，并且当以二维平面来看时，每个所述多个本体区域01、121)被布置成位于正六边形的各顶点。2.根据权利要求1所述的半导体器件(1、2)，其中， 所述半导体晶片(15、115)由宽带隙半导体制成。3.根据权利要求1所述的半导体器件(1、2)，其中， 所述半导体晶片(15、115)由碳化硅制成。4.根据权利要求1所述的半导体器件(1、2)，其中， 所述半导体晶片(15、115)由氮化镓制成...
【专利技术属性】
技术研发人员：增田健良，穗永美纱子，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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