GaN衬底以及采用该衬底的器件制造技术

GaN衬底以及采用该衬底的器件。GaN衬底(30)的生长面(30a)是相对于m-面或a-面离轴定向的平面。亦即，在GaN衬底(30)中，生长面(30a)是已被偏离定向的m-面或a-面。由于，m-面和a-面是非极性面，利用该GaN衬底(30)，制造半导体发光器件，避免压电场的影响，使之可以实现优越的发射效率。根据m-面或a-面来对生长面施加离轴角，在衬底上生长晶体中实现高质量形态。利用该GaN衬底制造半导体发光器件，能够进一步提高发射效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及GaN衬底以及采用GaN衬底的外延衬底和半导体发光器件。
技术介绍
在晶态的GaN衬底的生长中，通常采用c_面。由于c_面是极性面，它产生压电场，这已成为采用GaN衬底的发光器件的发射效率降低的一个原因。特别在采用含铟的发射层的器件中，为了实现绿色区域中的发光，因此在该层和GaN之间放大的的晶格失配进一步降低器件发射效率。(参考A. E. Romanov等人的“Mrain-Induced Polarization in Wurtzite Ill-Nitride S emipolar Layers, " Journal of Applied Physics,vol. 100, article023522,2006 ；Mathew C. Schmidt ^AW Demonstration of Nonpolar m-Plane InGaN/GaN Laser Diodes, " Japanese Journal of Applied Physics, Vol.46, No. 9, 2007, pp. L190-L191 ； 1 Kuniyoshi Okamoto ^本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种具有平面的ＧａＮ衬底，其中所述平面以相对于ｍ－面至少在（０００１）方向或（１１－２０）方向或者相对于ａ－面至少在（０００１）方向或（１－１００）方向的离轴角定向，并且其中所述离轴角大于等于０．０３度小于等于１度。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：秋田胜史，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP