激光加工装置（１）具有：加工用光光源（３），其发出加工用光；观察用光发光部（４），其发出观察用光；光纤（１９），其对在电子部件（２）上产生的多种波长的光进行导光；检测部（５），其对由光纤（１９）导光的光进行检测；以及控制部（３１），其对...

把由内置时钟产生器产生的时钟用作确定发送信号的载波频率的基准信号，并在各基站之间获取载波频率的同步。基站装置与终端装置之间进行无线通信。基站装置中，根据由内置时钟产生器（１８）产生的时钟频率的精度，ＯＦＤＭ信号的载波频率的精度受到影响。...

本发明提供一种通过以升华法生长ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ｎ单晶（１０）来制造ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ｎ单晶（１０）（其中０＜ｘ≤１）的方法，所述方法包括准备衬底的步骤、准备高纯度原料的步骤和升华原料以在所述衬底上生长所述ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ｎ单晶...

本发明提供一种通过以升华法来生长ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ｎ单晶而制造ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ｎ单晶（１０）（其中０＜ｘ≤１）的方法，所述方法包括：准备衬底的步骤，所述衬底具有与所述ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ｎ单晶的组成比相同的组成比（ｘ）；准备高纯度...

本发明提供了一种膜淀积方法，所述膜淀积方法能够根据将构成待淀积薄膜的材料的晶格常数来改进界面附近的晶体特性。具体来讲，根据将构成待淀积薄膜的材料的晶格常数与构成一个主表面的材料的晶格常数，相对于沿着在其上要淀积薄膜的一个主表面的方向弯曲...

本发明得到一种光电变换单元，其提高光学结合的效率、机械结合的稳定性。该光电变换单元具有：光密度变换元件（１１），其将入射至入射端面的光在出射端面中使光密度变化后射出；以及光电变换元件（１３）。将光电变换元件（１３）配置为接近光密度变换元...

本发明提供了一种各向异性导电膜，其包含：可自由基聚合的物质、通过加热产生自由基的聚合引发剂、分子量为３００００以上的苯氧基树脂和导电粒子，其中当以１０℃／分钟的升温速度进行测定时，所述各向异性导电膜具有１００℃以下的ＤＳＣ放热起始温度和...

本发明提供一种ＩＩＩ族氮化物半导体激光元件，其在六方晶系ＩＩＩ族氮化物的ｃ轴向ｍ轴方向倾斜的支持基体的半极性面上，具有可实现低阈值电流的激光谐振器。激光构造体（１３）中，第１面（１３ａ）为第２面（１３ｂ）的相反侧的面，第１及第２割断面（...

本发明涉及一种光传送监视装置，其具有用于在信号光的传输路径中发生传送异常的情况下及早判定其异常原因的构造。该光传送监视装置（２Ａ）是如下装置：在光纤传送路径（１３ｎ）上使脉冲试验光从第１站点（１１ｎ）侧朝向第２站点（１２ｎ）侧传输，并基...

本发明提供一种具有高电动势并能够抑制沉淀产生的氧化还原液流电池。在氧化还原液流电池１００中，将正极电解液和负极电解液供应至包含正极１０４、负极１０５和插入到所述电极１０４和１０５之间的隔膜１０１的电池单元，以对所述电池进行充放电。所述正...

本发明提供了一种碳化硅衬底（８１），其具有衬底区域（Ｒ１）和支撑部（３０）。该衬底区域（Ｒ１）具有第一单晶衬底（１１）。支撑部（３０）连接到第一单晶（１１）的第一背面（Ｂ１）。第一单晶衬底（１１）的位错密度小于支撑部（３０）的位错密度。...

本发明公开了一种半导体光学模块Ｍ，其包括：安装有电子元件１的芯柱２、引线脚３、圆形盖件１０以及安装在盖件１０内的透镜５；以及，半导体光学模块Ｍ具有凸缘１２，其用于焊接盖件１０的与芯柱２相反的一端，该凸缘沿径向向外延伸。当将盖件１０焊接到...

本发明提供一种无卤素的，具有良好的粘合性、焊料耐热性和阻燃性，并具有良好的流动特性的粘合剂树脂组合物，以及利用其的层叠体和挠性印刷线路板。所述粘合剂树脂组合物含有含磷的环氧树脂和／或含磷的苯氧基树脂，重均分子量为大于２０，０００且１５０...

本发明提供一种无卤素且能够满足阻燃性而不削弱粘合性或焊料耐热性的粘合剂组合物，以及利用其的层叠体和挠性印刷线路板。所述粘合剂树脂组合物含有环氧树脂；热塑性树脂；苯并嗪化合物；无卤素的阻燃剂；和固化剂，其中所述环氧树脂和热塑性树脂中的至少...

本发明提供可在氧化镓区域上淀积结晶质量良好的氮化镓基半导体的外延晶片的形成方法。在步骤Ｓ１０７中，生长ＡｌＮ缓冲层（１３）。在步骤Ｓ１０８中，在时刻ｔ５，除氮气以外，还向生长炉（１０）内供给含有氢气、三甲基铝和氨气的原料气体Ｇ１，在主面...

定子用配电部件（１）是用于将多个线圈（３）连接的部件，具有多个导体片（１０）和多个绝缘保持部（１１），该多个线圈（３）的线圈两端部（３ｉ、３ｏ）分别位于定子径向的内周侧和外周侧。并且，导体片（１０）具有与线圈（３）的内周侧端部（３ｉ）连...

本发明提供了超导装置的容器和超导装置。所述容器在其中安装作为包括超导体的构件的超导线圈。所述容器设置有：真空绝缘容器（２０），其作为由树脂制成并且设置有开口的壳体；引线电极（５０），其作为金属构件，被设置成使得其穿过所述开口；以及连接构...

本发明提供一种氮化镓系半导体器件，其包含设置在氧化镓晶片上且具有平坦的ｃ面的氮化镓系半导体膜。发光二极管ＬＥＤ包括：氧化镓支撑基体（３２），具有包含单斜晶系氧化镓的主面（３２ａ）；和包含ＩＩＩ族氮化物的层叠结构（３３）。层叠结构（３３）...

本发明提供一种ＩＩＩ－Ｖ族化合物半导体受光元件，其具有含有含Ｓｂ作为Ｖ族构成元素的ＩＩＩ－Ｖ化合物半导体层的受光层及ｎ型ＩｎＰ窗层，且可减少暗电流。由于受光层（２１）的ＧａＡｓＳｂ层成长时所供给的锑的记忆效应，所以成长在受光层（２１）上...

本发明涉及一种制造冶金用粉末的方法，包括用第一粘结剂３０涂覆多个第一颗粒１０的表面的步骤、以及用多个第二颗粒涂覆所述第一粘结剂３０的表面的步骤，其中，所述第二颗粒的直径小于第一颗粒１０的粒径。在用第二颗粒２０进行涂覆的步骤中，使用了直径...