制造ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ｎ单晶的方法、ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ｎ单晶和光学透镜技术

本发明专利技术提供一种通过以升华法生长ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ｎ单晶（１０）来制造ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ｎ单晶（１０）（其中０＜ｘ≤１）的方法，所述方法包括准备衬底的步骤、准备高纯度原料的步骤和升华原料以在所述衬底上生长所述ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ｎ单晶（１０）的步骤。所述ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ｎ单晶（１０）对波长为２５０至３００ｎｍ的光显示２．４以上的折射率，并且对波长超过３００ｎｍ并且短于３５０ｎｍ的光显示２．３以上的折射率，每个折射率都是在３００Ｋ下测定的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及制造AlxGa(1_x)N单晶的方法、AlxGa(1_x)N单晶和光学透镜。
技术介绍
根据对以DVD为代表的光记录介质(包括磁光存储介质)的更大储存容量的要 求，对于使用于记录再生的光源短波长化以及减小对应于来自半导体激光器的光的会聚 点存在方法，所述光来自半导体激光器且通过聚焦透镜聚焦到记录介质上。对于这种聚焦 透镜，使用玻璃如石英、氧化物如蓝宝石、金刚石等，从而对波长在紫外区域至深紫外区域 OOOnm至350nm)内的光显示低吸收。日本特开2003-161801号公报(专利文献1)提出了 氟化物光学材料，如BaF2 (氟化钡)、CaF2 (氟化钙)、LiF (氟化锂)和NaF (氟化钠)。现有技术文献专利文献专利文献1 日本特开2003-161801号公报
技术实现思路
本专利技术要解决的问题玻璃和氧化物由于低折射率而具有有限的数值孔径。因此，存在会聚点不够小的 问题。上述专利文献1中公开的氟化物光学材料对在350nm以下的紫外区域内的光具有 1. 3至1. 5的低折射率，从而使数值孔径受限。从诸如处理小透镜表面的加工的观点来看，也存在金刚石由于其硬度而不利的问本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［（１－ｘ）］Ｎ单晶（１０）的方法，所述Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［（１－ｘ）］Ｎ（０＜ｘ≤１）单晶（１０，１２）是通过升华法生长的，所述方法包括下述步骤：　　准备底部衬底（１１），　　准备高纯度原料（１７），以及　　通过升华所述原料（１７）而在所述底部衬底（１１）上生长所述Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［（１－ｘ）］Ｎ单晶（１０，１２）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：荒川聪，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP