本发明提供了一种以低成本形成并且具有受控的板形的衬底、通过在衬底上形成外延层而获得的提供有外延层的衬底及其制造方法。根据本发明的制造衬底的方法包括如下步骤：晶锭生长步骤（Ｓ１１０），其用作制备由氮化镓（ＧａＮ）形成的晶锭的步骤；以及切片...

本发明提供一种密封结构，其能够以低成本实现防水结构同时灵活地适应于导线部件的设计改变，本发明还提供形成该密封结构的方法、导线体以及使用该结构和导线体的电子设备。密封结构（１５）用于对外壳（３１、４１）中的通孔（３３、４３）进行密封，其中...

一种制造氮化物衬底（１０）的方法，其提供有以下步骤。首先，生长氮化物晶体。然后，从该氮化物晶体切割包括前表面（１１）的氮化物衬底（１０）。在该切割步骤中，切割氮化物衬底（１０），使得在与前表面（１１）正交的轴和ｍ轴或ａ轴之间形成的偏离角...

本发明涉及一种动态图像数据的分配方法，其不受随时间经过而变化的处理负荷的不均状况、连接的网络的频带状况的影响，可抑制各信息终端的处理负荷增大。在从发送侧信息终端（１２０、１３０）到接收侧信息终端（１１０）的动态图像数据的分配动作中，接收...

本发明提供一种可以改善向电抗器中组装时的作业性的电抗器用部件、以及使用该部件的电抗器。该电抗器用部件具有：线圈（１０），其通过将一对线圈元件（１０Ａ、１０Ｂ）以彼此并列的状态连结而成，该一对线圈元件（１０Ａ、１０Ｂ）是由绕组线以螺旋状卷...

本发明公开了一种制造氧化物超导薄膜的方法，所述氧化物超导薄膜用于超导线材的制造。在所述方法中，利用无氟的金属有机化合物作为原料，通过涂布热解法制造所述氧化物超导薄膜。在用于结晶热处理的烧结热处理（Ｓ２０）之前，进行中间热处理（Ｓ１０），...

本发明提供镍粉或包含镍作为主要成分的合金粉末、以及制备该镍粉或合金粉末的方法，其中所述镍粉或合金粉末的平均粒度Ｄ５０为３０ｎｍ至３００ｎｍ，由Ｘ射线衍射法测得的所述镍粉或合金粉末的（１１１）平面的衍射峰的半宽为０．５°或更小，并且由布鲁...

本发明提供了一种末端处理方法和末端处理工具，从而可以简单地执行为了将光纤连接至另一光纤所需的末端处理。末端处理方法包括：切割由玻璃纤维（２１）和涂层（２４）构成的光纤（２０）；并且使得所述光纤（２０）相对于末端处理工具定位，所述末端处理...

本发明提供一种具有高韧性和高导电率的铝合金、铝合金线、铝合金绞合线、包覆电线和束线，以及一种制造铝合金线的方法。所述铝合金线包含：大于或等于０．００５质量％且小于或等于２．２质量％的Ｆｅ，并且余量为Ａｌ和杂质。该铝合金线还可以包含总量大...

本发明提供了一种能够确保导电性和粘合性这两者的导电性粘合剂、以及使用了该导电性粘合剂的ＬＥＤ基板。所述导电性粘合剂包含导电性填料、粘合剂树脂和溶剂作为其主要成分，并且所述导电性填料包含平均粒度为２μｍ至３０μｍ的金属粉末作为其主要成分、...

本发明提供一种具有高韧性和高导电率的铝合金、铝合金线、铝合金绞合线、包覆电线和束线，以及一种制造铝合金线的方法。所述铝合金线包含：大于或等于０．２质量％且小于或等于１．０质量％的Ｍｇ、大于或等于０．１质量％且小于或等于１．０质量％的Ｓｉ...

当在用于使光学元件用原料成形的模具中提供用于排放气体的凹槽时，可将变形的形状传递至由所述原料成形的光学元件如透镜。当在所述模具外周面的外侧上设置的中空体中形成通孔时，所述中空体的强度显著下降。在本发明中，在面对所述模具的所述中空体内周面...

一种制造肖特基势垒二极管（１１）的方法包括以下步骤。首先，准备ＧａＮ衬底（２）。在ＧａＮ衬底（２）上形成ＧａＮ层（３）。形成肖特基电极（４），该电极包括由Ｎｉ或Ｎｉ合金制成的且与ＧａＮ层（３）接触的第一层。形成肖特基电极（４）的步骤包括...

本发明提供了一种氧化物超导线材的前体线材，其包含围绕中心部紧密布置的多个外围分段，所述中心部在银或银合金的第一鞘内部。所述外围分段包含拱形横截面的单芯分段，同时银或银合金的第二鞘包覆氧化物超导体的前体的条形细丝。以外围分段的宽表面包围所...

本发明的化合物半导体衬底（１０）由Ⅲ族氮化物构成且表面具有表面层（１２），该表面层（１２）含有以Ｃｌ换算为２００×１０１０个／ｃｍ２以上且１２０００×１０１０个／ｃｍ２以下的氯化物、和以Ｏ换算为３．０原子％以上且１５．０原子％以下的氧化...

本发明公开了一种具有提高的性能保持寿命的波长变换元件。也公开了一种制造波长变换元件的方法。波长变换元件（１０ａ）具有光波导（１３），并对从所述光波导（１３）的一端（１３ａ）侧输入的入射光（１０１）的波长进行变换，使得从所述光波导（１３）...

一种用于光学连接器的夹具被构造为尺寸紧凑并且简单的单一部件，其中，该夹具允许可靠地执行楔形物的移除操作并且可以以低制造成本来生产。该光学连接器夹具具有：基板；楔形物，其设置在基板的底面上并被插入光学连接器的机械接合部分中；一对臂，其自基...

本发明提供一种用于制造厚、高品质的ＡｌＧａＮ块状晶体的方法。本发明还提供了一种用于制造高品质的ＡｌＧａＮ衬底的方法。所述制造ＡｌＧａＮ块状晶体的方法包括如下步骤：首先，准备由ＡｌａＧａ（１－ａ）Ｎ（０＜ａ≤１）制成的底部衬底。接着，在所...

本发明提供一种ＩＩＩ族氮化物晶体的制造方法及ＩＩＩ族氮化物晶体，用于生长具有大的厚度且高品质的ＩＩＩ族氮化物晶体。ＩＩＩ族氮化物晶体１３的制造方法具备以下的工序。首先，准备具有相对于（０００１）面向（１－１００）方向倾斜的主表面（１１ａ...

本发明公开了生长ＧａＮ晶体的方法。所述方法包括以下步骤：准备具有一个主面（１０ｍ）并包含具有所述主面（１０ｍ）的ＧａｘＡｌｙＩｎ１－ｘ－ｙＮ晶体（１０ａ）的衬底（１０）；以及在８００℃至１５００℃的气氛温度和５００至小于２，０００ａｔｍ...