制造氧化物超导薄膜的方法技术

本发明专利技术公开了一种制造氧化物超导薄膜的方法，所述氧化物超导薄膜用于超导线材的制造。在所述方法中，利用无氟的金属有机化合物作为原料，通过涂布热解法制造所述氧化物超导薄膜。在用于结晶热处理的烧结热处理（Ｓ２０）之前，进行中间热处理（Ｓ１０），所述中间热处理（Ｓ１０）对经受所述烧结热处理（Ｓ２０）前的薄膜中所含的碳酸盐进行分解。所述中间热处理（Ｓ１０）可以在二氧化碳浓度为１０ｐｐｍ以下的气氛中进行。所述金属有机化合物可以是包括β－二酮络合物的金属有机化合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种，具体地，本专利技术涉及一种制造具有 高临界电流值的氧化物超导薄膜的方法，所述氧化物超导薄膜用于超导线材的制造。
技术介绍
为了能够更广泛地应用其中使用氧化物超导薄膜的超导线材，正在对具有更高临 界电流密度Jc和更高临界电流值Ic的氧化物超导薄膜的制造进行研究。氧化物超导体的制造方法之一是称为涂布热解法(金属有机淀积法，缩写为MOD 法)的方法。该方法包括利用金属有机化合物的溶液涂布衬底，然后在例如约500°C下煅烧 所述金属有机化合物以进行热解，以及在更高的温度(例如，约800°C )下热处理(烧结) 获得的热解物(MOD煅烧的膜)以完成结晶，从而获得超导体。与主要在真空下制造的气相 法(气相淀积法、溅射法、脉冲激光气相淀积法等)相比，所述方法的特征在于，制造设备更 简单，以及对大面积和复杂形状的适应更容易。然而，在结晶时，除非超导体具有对齐的晶体取向，否则超导电流不会平稳流动， 这降低了临界电流密度Jc(在下文中还简称为“Jc”)和临界电流值Ic(Ic = JcX膜厚 度X宽度)(在下文中还简称为“Ic”)。因此，晶体需要外延生长以继承取向衬底的取向， 且晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种制造氧化物超导薄膜的方法，所述方法利用无氟的金属有机化合物作为原料，通过涂布热解法制造所述氧化物超导薄膜，所述氧化物超导薄膜用于超导线材的制造，所述方法包括：进行中间热处理的步骤（Ｓ１０），对经受烧结热处理前的薄膜中所含的碳酸盐进行热解；以及对已经经受所述中间热处理的所述薄膜进行用于结晶热处理的所述烧结热处理的步骤（Ｓ２０）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：本田元气，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP