绝缘栅双极晶体管制造技术

本发明专利技术公开了一种IGBT(100)，其为能降低导通电阻并同时抑制缺陷产生的垂直型IGBT，且包含：碳化硅衬底(1)、漂移层(3)、阱区(4)、n+区(5)、发射极接触电极(92)、栅氧化物膜(91)、栅极(93)以及集电极(96)。所述碳化硅衬底(1)包含：由碳化硅制成并具有p型导电性的基础层(10)；和由单晶碳化硅制成并布置在所述基础层(10)上的SiC层(20)。所述基础层(10)具有超过1×1018cm-3的p型杂质浓度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及绝缘栅双极晶体管(IGBT)，更特别地，涉及使得可降低导通电阻并同时抑制诸如微管、堆叠缺陷和位错的缺陷的IGBT。
技术介绍
近年来，为了实现高击穿电压、低损耗以及在高温环境下利用半导体器件，已经开始采用碳化硅(SiC)作为半导体器件用材料。碳化硅是带隙比常规上已经广泛用作半导体器件用材料的硅更大的宽带隙半导体。因此，通过采用碳化硅作为半导体器件用材料，半导体器件能够具有高击穿电压、下降的导通电阻等。此外，有利地，与采用硅作为其材料的半导体器件相比，即使在高温环境下由此采用碳化硅作为其材料的半导体器件也具有较少劣化的特性。为了制造采用碳化硅作为其材料的高性能IGBT，使用准备由碳化硅制成的衬底 (碳化硅衬底)并在所述碳化硅衬底上形成由SiC制成的外延生长层的方法是有效的。此外，当使用这种碳化硅衬底制造垂直型IGBT时，通过尽可能地降低衬底在其厚度方向上的电阻率，能够降低IGBT的导通电阻。为了降低衬底在其厚度方向上的电阻率，例如，能够使用以高浓度将杂质引入到衬底中的方法(例如参见，R. C. GLASS等人，以SiC作为晶种的晶体生长(〃 SiC Seeded Cry本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：和田圭司，原田真，增田健良，穗永美纱子，西口太郎，佐佐木信，藤原伸介，并川靖生，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：