碳化硅晶锭、碳化硅衬底及其制造方法、坩锅以及半导体衬底技术

一种SiC晶锭(10a)，其设置有：底面(12a)，其具有四个边；四个侧面(12b，12c，12d，12e)，该四个侧面在与所述底面(12a)的方向相交的方向上从所述底面(12a)延伸；以及生长面(12f)，其与所述侧面(12b，12c，12d，12e)连接，并位于相对于所述底面(12a)的相反侧上。所述底面(12a)、所述侧面(12b，12c，12d，12e)以及所述生长面(12f)中的至少一个是{0001}面、{1-100}面、{11-20}面或相对于这些面具有10°以内的倾斜的面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种碳化硅(SiC)晶锭、SiC衬底、制造SiC晶锭的方法、制造SiC衬底的方法、坩锅以及半导体衬底。
技术介绍
近年来，已经采用SiC衬底用作制造半导体器件的半导体衬底。SiC具有比已经普遍采用的Si (硅)大的带隙宽度。因此，采用SiC衬底的半导体器件有利地具有高耐压、低导通电阻，或具有在高温环境下较少可能劣化的特性。为了有效率地制造这种半导体器件，在某种程度上需要大的衬底尺寸。根据美国专利No. 7314520(专利文献1)，可以制造76mm(3英寸)或更大的SiC衬底。引用列表专利文献PTL 1 美国专利 No. 7314520。
技术实现思路
技术问题在制造诸如公开于上述专利文献1中的相对大尺寸的SiC衬底时，会出现如下问题。通过从对应于在不易受堆叠缺陷的(0001)面处生长而获取的、基本上为圆柱形 (当从生长面观察时，其基本上是圆形的)的SiC晶锭切片来制造具有很少缺陷的SiC衬底。因此，在制造具有(0001)面作为主表面的矩形SiC衬底的情况下，将基本上平行于生长面来切割SiC衬底。这意味着除了 SiC晶锭中内接矩形区域之外的部分将不用于SiC衬底，这对S本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木信，原田真，西口太郎，冲田恭子，井上博挥，并川靖生，藤原伸介，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：