半导体器件及其制造方法技术

公开了一种半导体器件（1），其具有半导体层（21-25）和衬底（2）。半导体层（21-25）由碳化硅制成，并且包括电流路径的至少一部分。衬底（2）具有用于支承半导体层（21-25）的第一表面（2A）和面对第一表面（2A）的第二表面（2B）。另外，衬底（2）由具有4H型单晶结构的碳化硅制成。并且，衬底（2）具有在光致发光测量时，在500nm附近波长处的峰强度与在390nm附近波长处的峰强度的比率为0.1或更小的物理特性。所公开的方法得到具有低导通电阻的半导体器件（1）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体器件和用于制造半导体器件的方法，具体地，涉及具有由具有单晶结构的碳化硅制成的衬底的半导体器件以及用于制造这种半导体器件的方法。
技术介绍
日本专利特开No. 10-308510 (专利文献I)公开了一种具有由单晶碳化硅制成的衬底的半导体器件。根据该公开，为了制造该器件，在由单晶碳化硅制成的半导体衬底的主表面上形成碳化硅外延层，在碳化硅外延层上设置表面沟道层，并且在表面沟道层的表面上方形成栅电极而栅极绝缘膜介于其间。示例了涉及加热的氧化步骤作为形成这种栅极绝缘膜的方法。 引用列表专利文献PTLl :日本专利特开 No. 10-308510
技术实现思路
技术问题本专利技术人已经发现在上述制造半导体器件的过程中可能极大增大衬底的电阻率。随着衬底的电阻率增大，在该衬底构成半导体器件中的电流路径的至少一部分的情况下，半导体器件的导通电阻增大。已经提出本专利技术以解决以上问题并且其目的是提供一种半导体器件以及用于制造这种半导体器件的方法，该半导体器件包括由具有单晶结构的碳化硅制成并且具有低导通电阻的衬底。问题的解决方法本专利技术的半导体器件是具有电流路径的半导体器件，并且包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：原田真，佐佐木信，西口太郎，冲田恭子，和田圭司，宫崎富仁，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：