一种具有半导体装置可形成区域的半导体基板，其特征在于，在该半导体基板的外周部上，形成比所述半导体可形成区域更厚、表面具有平坦的顶部的增强部，将该增强部的所述顶部与所述半导体装置可形成区域连接的内侧侧面具有越接近所述半导体装置可形成区域内径越小的剖面形状。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是关于。
技术介绍
过去以来，存在将用于形成功率(power)金属氧化物半导体(MOS =MetalOxideSemiconductor)的半导体基板薄板化，降低制造成本的要求，制造薄型的半导体基板。然而，薄板化到300 以下的半导体基板接近纸或薄膜的状态、在半导体制造处理中的搬运等的操作很困难。因此，为了解决这类问题，已知一种将在从晶片的外边缘向内侧分出(offset)的位置上的边界线的内侧区域薄板化的晶片，对在较边界线外侧的厚板部的内壁覆盖具有比晶片更高刚性的材料而增强强度(例如参见专利文献I)。另外，作为在该专利文献I中记载的晶片的制造方法，公开了一种包括通过在沿边界线的范围施加各向异性刻蚀，形成沿边界线从晶片的表面向背面延伸的深槽(trench)的深槽形成工序；以及从晶片的表面，在深槽内侧存在的晶片的表面到达深槽的底面为止，将在深槽内侧存在的半导体除去的除去工序的制造方法。在该专利文献I中记载的晶片及其制造方法中，形成深槽时，通过持续进行保持深槽的深宽比(aspect ratio)为7 9的刻蚀，使得将深槽的内壁形成得平滑，并且形成内壁与底面的连接部分带有圆形的圆弧(R形)的深槽。由此，成为厚板部的内壁光滑而且应力很难集中在厚板部与薄板部的连接部的晶片，从而很难破损、从而能成为很容易操作的晶片。现有技术文献如下专利文献I :(日本)特开2008-218820号公报
技术实现思路
本专利技术想要解决的课题如下然而，在专利文献I所记载的晶片及其制造方法中，由于厚板部的内壁相对于底面部形成为大致垂直，因此存在在实际的半导体装置的制造处理中的防蚀形成工序等的膜形成工序中，提供的防蚀液积存在晶片的底面部，不能得到所期望的膜厚的问题。换言之，在通常的半导体装置的制造处理中，形成图形等时，通过向半导体基板上供给防蚀液，转动半导体基板，使得防蚀液供给到半导体基板的全体上，多余的液体通过转动而被甩掉，形成所期望的膜厚的防蚀膜。这时，在专利文献I记载的晶片中，由于在外边缘上像垂直的壁那样的存在的厚板部，因此存在防蚀液不能从晶片上甩掉而残留在晶片上，膜厚最终变厚的问题。另外，除了防蚀以外，在半导体制造处理中供给处理液在晶片表面形成膜的工序中，具有不能得到所期望的膜厚的同样的问题。因此，本专利技术的目的在于提供一种既能够确保薄型的半导体基板的强度，又在之后的半导体装置制造处理的膜形成工序中也能得到所期望的膜厚的。用于解决上述课题的手段如下为解决上述课题，本专利技术的一个实施方式的半导体基板是一种具有半导体装置可形成区域的半导体基板，其特征在于，在该半导体基板的外周部上，形成比所述半导体装置可形成区域更厚、表面具有平坦的顶部的增强部，将该增强部的所述顶部与所述半导体装置可形成区域连接的内侧侧面具有越接近所述半导体装置可形成区域内径越小的剖面形状。由此，由于能够通过外周部的增强部来增强半导体基板，并且增强部的侧面具有随着接近顶部而变宽的倾斜面，因此能够将供给到半导体装置可形成区域处理液通过转动而甩掉。在所述半导体基板中，其特征在于，所述内侧侧面具有将所述顶部与所述半导体装置可形成区域直线连接的剖面形状。 由此，能够通过机械加工而形成增强部的侧面，并以简单的加工能够确保在半导体制造处理的搬运及热扩散时充分的强度并同时能够适当地进行防蚀形成工序等膜形成工序。在所述半导体基板中，其特征在于，所述内侧侧面具有越接近所述半导体装置可形成区域倾斜角度越小的剖面形状。由此，能够通过刻蚀加工而形成增强部的内侧侧面，并于在半导体基板上形成半导体装置的半导体制造处理中能够作为将供给到半导体装置可形成区域的处理液容易甩掉的侧面形状。在所述半导体基板中，其特征在于，所述增强部由半导体形成，具有在与所述半导体装置可形成区域相同厚度的部分具有氧化膜的夹层构造的剖面构造。由此，能够在薄型的半导体基板上使用氧化膜将另外的增强部粘合，并能够将厚度不同的增强部容易地形成在半导体基板上。在所述半导体基板中，其特征在于，所述半导体装置可形成区域与所述增强部由半导体一体形成。由此，能够由一片厚的半导体基板形成薄型的具有半导体装置可形成区域的半导体基板，并能够将原先的厚度用于增强部的同时提供薄型的半导体基板。在所述半导体基板中，其特征在于，所述半导体装置可形成区域为300i!m以下的厚度，所述增强部为500 iim以上的厚度。由此，对接近纸或薄膜状态的半导体基板给予进行搬运及热扩散处理所需的强度，能够使用薄型的半导体基板廉价地制造半导体装置，并能够按照通常适当地进行半导体制造处理。本专利技术的其他实施方式的半导体基板的制造方法是一种具有半导体装置可形成区域、及在包围该半导体装置可形成区域的外周部上的比该半导体装置可形成区域更厚的增强部的半导体基板的制造方法，其特征在于，包括预备在表面形成有氧化膜，具有所述半导体装置可形成区域的被增强半导体基板的工序；将外周形状与该被增强半导体基板一致、在覆盖所述半导体装置可形成区域的位置上形成开口、在底面形成氧化膜的增强环，与所述被增强半导体基板的所述表面以所述外周形状保持一致的方式重叠的位置对准工序；进行热处理使一对所述氧化膜粘合的贴合工序。由此，能够利用通过氧化膜的热处理的共有粘合，以简单地工序容易地制造被增强的易于处理的薄型半导体基板。在所述半导体基板的制造方法中，其特征在于，所述增强环的上表面具有平坦的顶部，将该顶部与所述底面连接的所述开口侧的内侧侧面具有越接近所述底面内径越小的剖面形状。由此，能够在半导体制造处理的膜形成工序中，制造容易甩掉处理液的半导体基板。本专利技术的其他的实施方式的半导体装置是一种在半导体基板的半导体装置可形成区域形成的半导体装置，其特征在于，在该半导体基板的一侧的面的外周部上，形成比所述半导体装置可形成区域更厚、表面具有平坦的顶部的增强部，在所述半导体装置可形成区域的两面上形成扩散层。 在所述半导体装置中，其特征在于，在所述半导体基板的未形成所述增强部的面上形成有电极。在所述半导体装置中，其特征在于，所述半导体基板的形成所述增强部的面的所述扩散层为源极(source)或发射极(emitter)，未形成所述增强部的面的所述扩散层为漏极(drain)或集电极(collector)。在所述半导体装置中，其特征在于，将所述增强部的所述顶部与所述半导体装置可形成区域连接的内侧侧面具有越接近所述半导体装置可形成区域内径越小的剖面形状。本专利技术的其他实施方式的半导体装置的制造方法是一种使用所述半导体基板的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括涂覆工序，在所述半导体基板的半导体装置可形成区域上，一边供给膜形成用的处理液一边使所述半导体基板转动，使所述处理液扩大到所述半导体装置可形成区域全体，并以使膜厚达到预定的厚度的方式调整所述半导体装置可形成区域的所述处理液的残留量。由此，在半导体装置的制造处理的膜形成工序中，能够形成所期望的厚度的膜，并能够降低半导体装置的制造成本的同时适当地确保制造工序的精度。在所述半导体装置的制造方法中，其特征在于，所述处理液为抗蚀(resist)液。由此，在制造功率MOS晶体管等半导体设备时所必须的防蚀膜形成工序中，能够适当地控制防蚀膜的厚度，并使制造成本的降低与制造处理精度的维持同时实现本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：山崎充晴，
申请(专利权)人：三美电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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