晶片投片方法与晶片投片装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种晶片投片方法，包括：获取当前可使用反应室的信息；将所有完成相同工艺步骤的可使用反应室进行分组，以得到对应该工艺步骤的至少一个反应室组；根据制程包括的工艺步骤及各工艺步骤对应的至少一个反应室组，获得所有可能的制程方案；计算各制程方案对应的反应室利用率；将待处理晶片按反应室利用率高的制程方案进行投片。本发明专利技术还提供一种晶片投片装置。采用本发明专利技术提供的晶片投片方法与晶片投片装置，可以提高反应室利用率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶片投片方法与晶片投片装置。
技术介绍
在半导体产业中，一个硅晶片要加工成半导体器件，中间至少得经过数百道以上处理程序，这些处理程序中需要用到各种不同用途的机台，例如刻蚀或沉积机台，而且各个机台中通常都有数个反应室(Chamber)。在半导体制造领域，一批相同晶片完成某种工艺的过程叫做一个制程方案(Lot)。目前在行业中，生产管理人员根据经验估计产品的生产周期，人为地确定晶片投入(简称“投片”)时间和投片数量。但是，生产线上的各个机台的工作状态随时变化，生产线的实际 运行状况随时变化。而且，如果所需加工的半导体类型比较繁多，各个类型的器件的生产工艺不同，加工顺序也不相同，加工的周期不同，交货日期不同，因而仅靠人为凭估算操作，很难做出合理的投片决策以保质保量按时交货。为了解决上述问题，目前也有相关技术被提出，例如专利号US6470231B1的美国专利中提到的一种投片方法，包括列出各个待处理晶片的各个性质参数，所述待处理晶片的各个性质参数都不同；获取待处理晶片与各个反应室的匹配关系；按匹配关系，将待处理晶片投入匹配的反应室中。在获取待处理晶片与各个反应室的匹配关系步骤中考虑了预估加工时间，交货时间等因素，然而，在实际半导体制作过程中，按所述匹配关系将待处理晶片投入匹配的反应室中，造成有部分反应室闲置，这种投片的方式使得反应室的利用率不高。有鉴于此，实有必要提出一种新的晶片投片方式，提高反应室利用率。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提出一种新的晶片投片方法与晶片投片装置，提高反应室利用率。为解决上述问题，本专利技术提供一种晶片投片方法，包括获取当前可使用反应室的信息；将所有完成相同工艺步骤的可使用反应室进行分组，以得到对应该工艺步骤的至少一个反应室组；根据制程包括的工艺步骤及各工艺步骤对应的至少一个反应室组，获得所有可能的制程方案；计算各制程方案对应的反应室利用率，所述反应室利用率为完成制程方案的反应室数目与所有可使用反应室的数目的比值；将待处理晶片按反应室利用率高的制程方案进行投片。可选地，在所述计算各制程方案对应的反应室利用率步骤后，所述将待处理晶片按反应室利用率高的制程方案进行投片步骤前，所述投片方法还包括按反应室利用率从高到低排列制程方案。可选地，将所有完成相同工艺步骤的可使用反应室进行分组，以得到对应该工艺步骤的至少一个反应室组步骤后，根据制程包括的工艺步骤及各工艺步骤对应的至少一个反应室组，获得所有可能的制程方案步骤前，所述投片方法还包括剔除预估算完成时间大于交货时间的反应室组。可选地，在根据制程包括的工艺步骤及各工艺步骤对应的至少一个反应室组，获得所有可能的制程方案步骤后，计算各制程方案对应的反应室利用率步骤前，所述投片方法还包括剔除预估算完成时间大于交货时间的所述可能的制程方案。 可选地，所述工艺步骤至少两个。可选地，在根据制程包括的工艺步骤及各工艺步骤对应的至少一个反应室组，获得所有可能的制程方案步骤后，计算各制程方案对应的反应室利用率步骤前，所述投片方法还包括剔除后执行的工艺步骤对应的反应室组的产能大于先执行的工艺步骤对应的反应室组的产能的所述可能的制程方案。本专利技术还提供一种晶片投片装置，包括信息获取模块，用于获取当前可使用反应室的信息；分组模块，用于将所有完成相同工艺步骤的可使用反应室进行分组，以得到对应该工艺步骤的至少一个反应室组；制程方案获取模块，用于根据制程包括的工艺步骤及各工艺步骤对应的至少一个反应室组，获得所有可能的制程方案；反应室利用率计算模块，用于计算各制程方案对应的反应室利用率，所述反应室利用率为完成制程方案的反应室数目与所有可使用反应室的数目的比值；投片控制装置，用于将待处理晶片按反应室利用率高的制程方案进行投片。可选地，所述晶片投片装置还包括第一比较器，用于比较每一个可能的制程方案的预估算完成时间是否大于交货时间；剔除模块，剔除所述第一比较器获得结果为是时对应的可能的制程方案。可选地，所述工艺步骤至少两个，所述晶片投片装置还包括第二比较器，用于比较每一个制程方案的后执行工艺步骤对应的反应室组的产能是否大于先执行工艺步骤对应的反应室组的产能；剔除模块，剔除所述第二比较器获得结果为是时对应的可能的制程方案。可选地，所述晶片投片装置还包括排序模块，用于按反应室利用率从高到低排列制程方案。可选地，所述晶片投片装置还包括显示模块，用于显示所有可能的制程方案与所述反应室的利用率。可选地，所述信息获取模块包括功率测量模块，用于检测所有反应室的功率使用状态，以获取当前可使用反应室的信息。与现有技术相比，本专利技术具有以下优点利用将所有完成相同工艺步骤的可使用反应室进行分组，以得到对应该工艺步骤的至少一个反应室组；根据制程包括的工艺步骤及各工艺步骤对应的至少一个反应室组，获得所有可能的制程方案；计算各制程方案对应的反应室利用率；将待处理晶片按反应室利用率高的制程方案进行投片；提高反应室的利用率，进而提高晶片的处理效率。附图说明图I是本专利技术实施例一的晶片投片方法流程图；图2是本专利技术实施例一的晶片投片方法对应的晶片投片装置示意图；图3是本专利技术实施例二的晶片投片方法流程图； 图4是本专利技术实施例二的晶片投片方法对应的晶片投片装置示意图。具体实施例方式本专利技术利用将所有完成相同工艺步骤的可使用反应室进行分组，以得到对应该工艺步骤的至少一个反应室组；根据制程包括的工艺步骤及各工艺步骤对应的至少一个反应室组，获得所有可能的制程方案；计算各制程方案对应的反应室利用率；将待处理晶片按反应室利用率高的制程方案进行投片；提高反应室的利用率，进而提高晶片的处理效率。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明，由于重点在于说明本专利技术的原理，所以不必按比例制图。实施例一本实施例一以A、B、C与F四个反应室为例，所述四个反应室可以完成相同的工艺，所述工艺例如是沉积工艺；以下讲述本专利技术实施例一提供的晶片投片方法，如图I所示。执行步骤SI I，获取当前可使用反应室的信息。假设F反应室正被占用，则当前可使用反应室为A、B与C。执行步骤S12，将所有完成相同工艺步骤的可使用反应室进行分组，以得到对应该工艺步骤的至少一个反应室组。本实施例一只进行一个工艺步骤，所以A、B与C三个反应室可以归为A、B、C、AB、AC、BC、ABC七个反应室组。执行步骤S13，根据制程包括的工艺步骤及各工艺步骤对应的至少一个反应室组，获得所有可能的制程方案。为了描述本专利技术的目的，本实施例一假设A、B与C反应室一次均只可处理一个晶片，得出所有可能的制程方案如表I所示，其中，Lotll制程方案对应的A反应室标注的Y代表制程方案Lotll是将一批晶片利用反应室A处理，一次处理一片；Lotl4制程方案中的AB反应室对应的Y代表制程方案Lotl4是将该批晶片利用反应室A与反应室B同时处理，一次处理两片。反应室组 AB C AB AC BC ABC制程方 LotllY Lotl 2Y Lotl 3Y Lotl 4Y Lotl 5Y Lotl 6Y Lotl 7Y 表I 执行步骤S14，剔除预估算完成时间大于交货时间的所述可能的制程方案。所述完成制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片投片方法，包括：获取当前可使用反应室的信息；将所有完成相同工艺步骤的可使用反应室进行分组，以得到对应该工艺步骤的至少一个反应室组；根据制程包括的工艺步骤及各工艺步骤对应的至少一个反应室组，获得所有可能的制程方案；计算各制程方案对应的反应室利用率，所述反应室利用率为完成制程方案的反应室数目与所有可使用反应室的数目的比值；将待处理晶片按反应室利用率高的制程方案进行投片。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：范安涛，邓俊弦，陈波，钱红兵，赵晨，吕庆麟，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：