半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置的制造方法，其中，将多个SiC半导体芯片安装到安装基板上(S1)，对安装基板上的SiC半导体芯片施加电压(S2)。在施加有电压的状态下，使用红外线热像仪、红外线显微镜等热影像装置获取安装基板表面的温度分布图像(S3)，通过进行图像解析从而判断不合格芯片的有无(S5)。在安装基板上包含不合格芯片时(S5：是)，通过切断该不合格芯片的配线从而排除不合格芯片(S7)。由此，提供一种使用小容量芯片的半导体装置的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种使用小容量芯片的。
技术介绍
碳化硅(SiC)除在硬度、耐热性、化学稳定性上具有优异的性质以外，作为半导体材料的性质也受到关注，近年来，使用SiC半导体的功率器件正走向实用化。对于使用SiC半导体的功率器件的大容量化(大电流化)，需要扩大芯片面积，但由于耐电压的合格率大幅度降低，因此现阶段仅小容量芯片正处于实用化。 提出有为了使用上述小容量芯片实现大电流化而并联连接多个小容量芯片的半导体装置(例如参照专利文献I)。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开2004-95670号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题当使用专利文献I中所公开的技术时，通过并联连接多个小容量SiC 二极管，从而能够流通大电流，但安装时的合格率变差，因此若要获得所需数量的半导体装置，则需要制成更多的半导体装置。SiC等的化合物半导体因基板质量的关系无法增大芯片而成为小容量产品。为获得大电流器件，例如专利文献I所公开的那样，需要并联连接多个小容量芯片。对于安装在基板上的小容量芯片，虽然使用检查为合格的合格品，但由于安装时进行加热，因此即使使用合格品，也会以一定比例产生不合格。将安装一个小容量本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.06.03 JP 2010-1281961.一种半导体装置的制造方法，包括在基板上形成并联连接多个半导体元件的电路的工序；以及检查工序，对构成上述电路的半导体元件进行检查，上述半导体装置的制造方法的特征在于， 上述检查工序包括如下工序 对形成于上述基板上的电路中所包含的各半导体元件施加电压； 检测各半导体元件是否伴随施加电压而发热；以及 切断检测出发热的半导体元件与其它半导体元件之间的连接。2.根据权利要求I...

【专利技术属性】
技术研发人员：初川聪，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：
国别省市：