形成取样光栅的方法以及制作激光二极管的方法技术

本发明专利技术公开了一种形成取样光栅的方法以及制作激光二极管的方法。形成取样光栅的方法包括下述步骤：制备衬底；制备纳米压印模具，其包括其上周期性地形成有凸起和凹陷的图案表面；制备掩模，其包括交替地设置的光遮挡部分和光透射部分；将光致抗蚀剂层和树脂部按序形成在衬底上；通过按压模具的图案表面使其与树脂部接触并且在保持接触的同时硬化树脂部来形成具有凸起和凹陷的图案化树脂部；通过利用通过掩模和图案化树脂部的曝光光来照射光致抗蚀剂层而曝光光致抗蚀剂层的一部分；通过显影光致抗蚀剂层来形成图案化光致抗蚀剂层；以及使用该图案化光致抗蚀剂层蚀刻衬底。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
日本未审查专利申请公开No. 2009-53271 (专利文献I)描述了一种使用纳米压印技术制作分布式反馈激光二极管的方法。在该方法中，通过纳米压印技术在半导体层中形成衍射光栅的图案。另外，非专利文献I (V. Jayaraman等人，"Widely tunablecontinuous-wave InGaAsP/InP sampled grating lasers'Electronics letters,Vol. 30,No. 18，pp. 1492-1494，(1994年9月I日))描述了一种包括取样光栅(SG)的分布式反馈激光二极管
技术实现思路
作为形成包括在激光二极管中的衍射光栅的方法，正在考虑使用纳米压印技术的方法。通过在形成衍射光栅中使用纳米压印技术，能够减少诸如激光二极管的器件的制作成本。当通过纳米压印技术形成衍射光栅时，首先在其上将要形成衍射光栅的半导体层上形成树脂层。然后将包括具有与衍射光栅的形状对应的周期性凸起和凹陷的图案的模具推靠到树脂层，并且在该状态下硬化树脂层。这使得模具的具有凸起和凹陷的图案转移到树脂层。之后，通过将树脂层的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成取样光栅的方法，包括下述步骤：制备衬底；制备纳米压印模具，所述纳米压印模具包括其上周期性地形成有凸起和凹陷的图案表面；制备掩模，所述掩模包括交替地设置在第一方向上的光遮挡部分和光透射部分；将光致抗蚀剂层和树脂部按序形成在所述衬底上；通过按压所述模具的所述图案表面使其与所述树脂部接触并且在保持接触的同时硬化所述树脂部，来形成具有凸起和凹陷的图案化树脂部，在所述树脂部上形成的所述凸起和凹陷被设置在第二方向上；通过利用通过所述掩模和所述图案化树脂部的曝光光照射所述光致抗蚀剂层，来曝光所述光致抗蚀剂层的一部分；通过显影所述光致抗蚀剂层来形成图案化光致抗蚀剂层，所述图案化光致抗蚀剂层包括形成在所...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：柳沢昌辉，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：