一种制作T型HBT发射极/HEMT栅的方法技术

本发明专利技术涉及半导体器件及集成电路制造工艺技术领域，公开了一种制作Ｔ型ＨＢＴ发射极／ＨＥＭＴ栅的方法，该方法包括：在基片上涂一次光刻胶，并光刻、曝光、显影、定义Ｔ型ＨＢＴ发射极／ＨＥＭＴ栅的下半部分；烘烤所述基片，使牺牲胶的边角圆滑并固化；涂二次光刻胶，并光刻、曝光、显影，制作Ｔ型ＨＢＴ发射极／ＨＥＭＴ栅的上部分；蒸发、溅射或电镀一层金属，金属层的厚度大于一次光刻胶厚度；剥离去除不需要的金属以及所有光刻胶，形成Ｔ型ＨＢＴ发射极／ＨＥＭＴ栅。利用本发明专利技术，工艺简单，成本低，可控性好，制作金属加厚的Ｔ型ＨＢＴ发射极／ＨＥＭＴ栅更有优势。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件及集成电路制造工艺
，尤其涉及一种 利用两层光敏光刻胶制作T型异质结双极型晶体管(HeterojuctionBipolar Transistor, HBT)发射极/高电子迁移率晶体管(High Electronic Mobility Transistor, HEMT)栅的方法，用来减小HBT寄生电阻或HEMT栅寄生 电感。
技术介绍
现代半导体器件制作过程中，随着技术的进步，器件尺寸越来越小， 集成度越来越高。对于化合物半导体器件，为了提高器件性能，HBT常采 用自对准技术减小基极寄生电阻，采用T型发射极也是HBT自对准采用 的一种方法；HEMT采用T型栅减小寄生电感，因此，T型HBT发射极 /HEMT栅是提高HBT和HEMT性能的重要技术手段。目前HBT发射极的引出方法有多种，主要有用电子束曝光制作方 法和X射线光刻的制作方法。方法1、用电子束曝光制作方法制作T型HBT发射极/HEMT栅的方 法包括如下步骤1) 、取待制作T型栅的基片，对该基片进行清洗，并用氮气吹干，烘干；2) 、在基片上涂三层PMMA/PMGI/PMMA胶，烘干；3) 、将涂胶后的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作Ｔ型ＨＢＴ发射极／ＨＥＭＴ栅的方法，其特征在于，该方法包括：　在基片上涂一次光刻胶，并光刻、曝光、显影、定义Ｔ型ＨＢＴ发射极／ＨＥＭＴ栅的下半部分；　烘烤所述基片，使牺牲胶的边角圆滑并固化；　涂二次光刻胶，并光刻、曝光、显影，制作Ｔ型ＨＢＴ发射极／ＨＥＭＴ栅的上部分；　蒸发、溅射或电镀一层金属，金属层的厚度大于一次光刻胶厚度；　剥离去除不需要的金属以及所有光刻胶，形成Ｔ型ＨＢＴ发射极／ＨＥＭＴ栅。

【技术特征摘要】
1、一种制作T型HBT发射极/HEMT栅的方法，其特征在于，该方法包括在基片上涂一次光刻胶，并光刻、曝光、显影、定义T型HBT发射极/HEMT栅的下半部分；烘烤所述基片，使牺牲胶的边角圆滑并固化；涂二次光刻胶，并光刻、曝光、显影，制作T型HBT发射极/HEMT栅的上部分；蒸发、溅射或电镀一层金属，金属层的厚度大于一次光刻胶厚度；剥离去除不需要的金属以及所有光刻胶，形成T型HBT发射极/HEMT栅。2、 根据权利要求1所述的制作T型HBT发射极/HEMT栅的方法， 其特征在于，所述在基片上涂一次光刻胶，并光刻、曝光、显影、定义T 型HBT发射极/HEMT栅的下半部分的步骤中，所用的一次光刻胶为光敏 的正胶、负胶、反转胶、PI胶或BCB，曝光过程采用光学曝光。3、 根据权利要求1所述的制作T型HBT发射极/HEMT栅的方法， 其特征在于，所述烘烤所述基片的步骤中，烘烤采用烘箱或热板，温度在 30摄氏度到380摄氏度之间。4、 根据权利要求3所述的制作T型HBT发射极/HEMT栅的方法， 其特征在于，所述烘烤采用烘箱，将基片放入80 200摄氏度烘箱烘烤3 120分钟；所述烘烤采用热板，在60 200摄氏度热板烘烤3 120分钟。5、 根据权利要求1所述的制作T型HBT发射极/HEMT栅的方法， 其特征在于，所述涂二次光刻胶，并光刻、曝光、显影，制作T型HBT 发射极/HEMT栅的上部分的步骤中，所用的二次光刻胶为正胶、负胶、 反转胶、PI胶或BCB; 二次光刻胶形成的图形与一次光刻胶形成的图形 相同，但二次光刻胶形成图形中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：于进勇，金智，程伟，刘新宇，夏洋，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]