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本发明涉及半导体器件及集成电路制造工艺技术领域，公开了一种制作Ｔ型ＨＢＴ发射极／ＨＥＭＴ栅的方法，该方法包括：在基片上涂一次光刻胶，并光刻、曝光、显影、定义Ｔ型ＨＢＴ发射极／ＨＥＭＴ栅的下半部分；烘烤所述基片，使牺牲胶的边角圆滑并固化；涂二...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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