n型SiC半导体器件欧姆接触的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种ｎ型ＳｉＣ半导体器件的欧姆接触制作方法，主要解决ｎ型ＳｉＣ材料欧姆接触退火温度高和界面上存在匹配不好的问题。其过程是：对ｎ型ＳｉＣ衬底进行预处理，并在ＳｉＣ衬底上通过两次Ｐ↑［＋］离子注入形成ｎ阱；在ｎ阱上通过四次Ｇｅ↑［＋］离子注入形成ＳｉＣ：Ｇｅ中间层；对ＳｉＣ：Ｇｅ的中间层进行在Ｃ膜保护下的退火处理；在退火处理后的ＳｉＣ：Ｇｅ的中间层淀积金属，确定电极区并制作电极。本发明专利技术具有退火温度低、比接触电阻和方块电阻低的优点，可应用于ｎ型ＳｉＣ半导体器件的欧姆接触制作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子
，涉及半导体材料的制作，具体地说是有关 n型SiC半导体材料的欧姆接触制作方法。技术背景目前，SiC器件的研制已经成为半导体器件电路领域的研究热点。欧姆 接触是SiC器件制备的重要工序，在高温、大功率应用时，欧姆接触的低比接触电阻和高的稳定性是决定器件性能的两个重要因素。在高电流密度的工 作状态下小的电阻都会引起很大的电压降，而高温下欧姆接触比接触电阻的 热稳定性是必然要考虑的因素，否则欧姆接触的退化会导致整个器件性能的变坏甚至失效。到目前为止，良好的欧姆接触制备对SiC材料的工艺研究来讲仍然是几个最重要和活跃的方面之一。然而，制作低的SiC器件的欧姆接触比接触电阻比其它半导体器件要困难。比接触电阻的结果高度依赖于晶片表面载流子浓度、金属的选择、晶片 表面的预处理、及金属化热退火的条件等。为了得到好的欧姆接触，使用离 子注入来提高晶片表面的载流子浓度，高温合金化退火，使用合金和其它化合物等技术都被广泛的使用。在SiC欧姆接触的金属方面，可供选用的范围 很广，有Cr， Ni， TiN， TiW, NiCr, W, TiW, Ti, TiAl， Mo， 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ｎ型ＳｉＣ半导体欧姆接触的制作方法，包括如下过程：　（１）对ｎ型ＳｉＣ衬底进行预处理，并在衬底上注入浓度为１×１０↑［２０］ｃｍ↑［－３］的Ｐ↑［＋］离子，形成ｎ阱；　（２）在形成ｎ阱的ＳｉＣ材料上注入浓度至少为１０↑［２１］ｃｍ↑［－３］的Ｇｅ↑［＋］离子，形成厚度为１８０－２５０ｎｍ的ＳｉＣ：Ｇｅ中间层；　（３）对ＳｉＣ：Ｇｅ的中间层进行在Ｃ膜保护下的退火处理；　（４）在退火处理后的ＳｉＣ：Ｇｅ的中间层淀积金属，确定电极区并制作电极。

【技术特征摘要】
1.一种n型SiC半导体欧姆接触的制作方法，包括如下过程(1)对n型SiC衬底进行预处理，并在衬底上注入浓度为1×1020cm-3的P+离子，形成n阱；(2)在形成n阱的SiC材料上注入浓度至少为1021cm-3的Ge+离子，形成厚度为180-250nm的SiC:Ge中间层；(3)对SiC:Ge的中间层进行在C膜保护下的退火处理；(4)在退火处理后的SiC:Ge的中间层淀积金属，确定电极区并制作电极。2. 根据权利要求1所述的欧姆接触的制作方法，其中步骤(1) 按如下过程进行(la)在温度为550士5。C时，进行第一次P+离子注入，注入能量 为100keV，剂量为8.3xl014cm-2;(lb)在温度为550士5'C时，进行第二次P+离子注入，注入能量 为50keV，剂量为2.5xl015cm-2。3. 根据权利要求1所述的欧姆接触的制作方法，其中步骤(2) 按如下过程进行(2a)在温度为550士5。C时，进行第一次Ge+离子注入，注入能 量为300keV，剂量为7.63xl015cm—2;(2b)在温度为550±5时，进行第二次Ge+离子注入，注入能 量为183keV，剂量为2.66xl015cm2;(2...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭辉，张玉明，程萍，张义门，陈达，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]