一种自对准GaAs-PMOS器件结构制造技术

本发明专利技术公布了一种自对准GaAs沟道PMOS器件结构，其结构如下：一N型砷化镓沟道层；一在该N型砷化镓沟道层源端上的InGaP刻蚀截止层；一在该InGaP刻蚀截止层上的P型GaAs欧姆接触层；一在该P型GaAs欧姆接触层上形成的源端金属电极；一在该N型砷化镓沟道层与源端材料层上的氧化铝介质层；一在该氧化铝介质层上形成的栅金属电极；一在该N型砷化镓沟道层上形成的P型欧姆接触区域；一在该P型欧姆接触区域上形成的漏端金属电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造
，具体涉及一种自对准砷化镓PMOS器件结构，应用于高性能III‐V族半导体CMOS技术。
技术介绍
Ⅲ‐Ⅴ化合物半导体材料相对硅材料而言，具有高载流子迁移率、大的禁带宽度等优点，而且在热学、光学和电磁学等方面都有很好的特性。缺乏与NMOS器件相匹配的PMOS器件一直是III‐V族半导体在大规模CMOS集成电路中的应用的主要障碍之一。最新研究报道表明：源漏寄生电阻大是影响III‐V PMOS器件性能提升的一个重要因素。因此，需要一种新的途径在III‐V族半导体器件结构上实现自对准的PMOS器件，降低PMOS器件的源漏寄生电阻，提高器件性能，以满足高性能III‐V族半导体CMOS技术的要求。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术的主要目的是提供一种自对准砷化镓PMOS器件结构，以实现以砷化镓为沟道材料的自对准PMOS器件，实现与高电子迁移率为沟道材料的III‐V族半导体NMOS器件相匹配，满足高性能III‐V族半导体CMOS技术的要求。(二)技术方案为达到上述目的，本专利技术提供了一种自对准砷化镓PMOS器件结构。其结构依次为：一N型砷化镓本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种自对准GaAs沟道PMOS器件结构，其结构如下：一N型砷化镓沟道层；一在该N型砷化镓沟道层源端上的InGaP刻蚀截止层；一在该InGaP刻蚀截止层上的P型GaAs欧姆接触层；一在该P型GaAs欧姆接触层上形成的源端金属电极；一在该N型砷化镓沟道层与源端材料层上的氧化铝介质层；一在该氧化铝介质层上形成的栅金属电极；一在该N型砷化镓沟道层上形成的P型欧姆接触区域；一在该P型欧姆接触区域上形成的漏端金属电极。

【技术特征摘要】
1.一种自对准GaAs沟道PMOS器件结构，其结构如下：一N型砷化镓沟道层；一在该N型砷化镓沟道层源端上的InGaP刻蚀截止层；一在该InGaP刻蚀截止层上的P型GaAs欧姆接触层；一在该P型GaAs欧姆接触层上形成的源端金属电极；一在该N型砷化镓沟道层与源端材料层上的氧化铝介质层；一在该氧化铝介质层上形成的栅金属电极；一在该N型砷化镓沟道层上形成的P型欧姆接触区域；一在该P型欧姆接触区域上形成的漏端金属电极。2.根据权利要求1所述的一种自对准GaAs沟道PMOS器件结构，其特征在于该InGaP刻蚀截止层是N型掺杂，掺杂浓度为3×1017cm-3。3.根据权利要求1所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：王勇，王瑛，丁超，
申请(专利权)人：东莞华南设计创新院，广东工业大学，
类型：发明
国别省市：广东;44