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本发明公布了一种自对准GaAs沟道PMOS器件结构，其结构如下：一N型砷化镓沟道层；一在该N型砷化镓沟道层源端上的InGaP刻蚀截止层；一在该InGaP刻蚀截止层上的P型GaAs欧姆接触层；一在该P型GaAs欧姆接触层上形成的源端金属电极；...
该专利属于东莞华南设计创新院;广东工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过东莞华南设计创新院;广东工业大学授权不得商用。

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