半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种制造Fin FET的方法，方法包括在衬底上方形成鳍结构，鳍结构包括上层。上层的部分从隔离绝缘层暴露。在鳍结构的部分上方形成伪栅极结构。伪栅极结构包括伪栅电极层和伪栅极介电层。在伪栅极结构上方形成层间绝缘层。去除伪栅极结构以形成空间。在空间中形成栅极介电层。在空间中的栅极介电层上方形成第一金属层。在空间的第一金属层上方形成第二金属层。部分地去除第一金属层和第二金属层，由此降低第一金属层和第二金属层的高度。在部分去除的第一金属层和第二金属层上方形成第三金属层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路，更具体地涉及具有金属栅极结构的半导体器件及其制造方法。
技术介绍
随着半导体工艺发展至纳米技术工艺节点以追求更高的器件密度、更高的性能以及更低的成本，来自制造和设计问题的挑战已经导致了具有高k(介电常数)材料的金属栅极结构的使用。通常通过使用栅极替代工艺来制造金属栅极结构。
技术实现思路
为了解决现有技术中的问题，根据本专利技术的一些实施例，提供了一种制造包括Fin FET的半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上方形成鳍结构，所述鳍结构在第一方向上延伸并且包括上层，所述上层的部分从隔离绝缘层暴露；在所述鳍结构的部分上方形成伪栅极结构，所述伪栅极结构包括伪栅电极层和伪栅极介电层，所述伪栅极结构在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸；在所述伪栅极结构、所述鳍结构和所述隔离绝缘层上方形成层间绝缘层；去除所述伪栅极结构以形成对应于所述伪栅极结构的空间；在所述空间中形成栅极介电层；在所述空间中的所述栅极介电层上方形成第一金属层；在所述空间的所述第一金属层上方形成第二金属层；部分地去除所述第一金属层和所述第二金属层，由此降低所述空间中的所述第一金属层和所述第二金属层的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造包括Fin FET的半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上方形成鳍结构，所述鳍结构在第一方向上延伸并且包括上层，所述上层的部分从隔离绝缘层暴露；在所述鳍结构的部分上方形成伪栅极结构，所述伪栅极结构包括伪栅电极层和伪栅极介电层，所述伪栅极结构在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸；在所述伪栅极结构、所述鳍结构和所述隔离绝缘层上方形成层间绝缘层；去除所述伪栅极结构以形成对应于所述伪栅极结构的空间；在所述空间中形成栅极介电层；在所述空间中的所述栅极介电层上方形成第一金属层；在所述空间的所述第一金属层上方形成第二金属层；部分地去除所述第一金属层和所述第二金属层，由此降低所述空间中的所述第一金属...

【技术特征摘要】
2015.05.15 US 14/714,2211.一种制造包括Fin FET的半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上方形成鳍结构，所述鳍结构在第一方向上延伸并且包括上层，所述上层的部分从隔离绝缘层暴露；在所述鳍结构的部分上方形成伪栅极结构，所述伪栅极结构包括伪栅电极层和伪栅极介电层，所述伪栅极结构在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸；在所述伪栅极结构、所述鳍结构和所述隔离绝缘层上方形成层间绝缘层；去除所述伪栅极结构以形成对应于所述伪栅极结构的空间；在所述空间中形成栅极介电层；在所述空间中的所述栅极介电层上方形成第一金属层；在所述空间的所述第一金属层上方形成第二金属层；部分地去除所述第一金属层和所述第二金属层，由此降低所述空间中的所述第一金属层和所述第二金属层的高度；在部分去除的所述第一金属层和所述第二金属层上方形成第三金属层。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二金属层包括其他耐火金属或其他耐火金属的化合物的一个或多个。3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述第二金属层包括：通过原子层沉积在所述第一金属层上方形成第一层；以及通过化学汽相沉积在所述第一层上方形成第二层。4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第三金属层包括其他耐火金属或其他耐火金属的化合物的一个或多个。5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：周群渊，吴仲强，李达元，张文，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71