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本发明提供了一种制造Fin FET的方法，方法包括在衬底上方形成鳍结构，鳍结构包括上层。上层的部分从隔离绝缘层暴露。在鳍结构的部分上方形成伪栅极结构。伪栅极结构包括伪栅电极层和伪栅极介电层。在伪栅极结构上方形成层间绝缘层。去除伪栅极结构以形...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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