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本发明公开了一种ｎ型ＳｉＣ半导体器件的欧姆接触制作方法，主要解决ｎ型ＳｉＣ材料欧姆接触退火温度高和界面上存在匹配不好的问题。其过程是：对ｎ型ＳｉＣ衬底进行预处理，并在ＳｉＣ衬底上通过两次Ｐ↑［＋］离子注入形成ｎ阱；在ｎ阱上通过四次Ｇｅ↑［＋...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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