用于晶体生长的热分解氮化硼容器和使用该容器的半导体晶体生长方法技术

披露了一种热分解氮化硼容器，即使当所述热分解氮化硼容器的直径增大时，所述热分解氮化硼容器的横截面形状仍可保持为正圆，并且所述热分解氮化硼容器不易通过重复使用而变形。本发明专利技术的热分解氮化硼容器是用于晶体生长方法的热分解氮化硼容器，在所述方法中从所述容器的底部向着所述容器的开口固化容纳于纵向容器中的原料熔液。所述热分解氮化硼容器包括直径恒定部分，其横截面面积基本恒定，和台阶部分，其被配置在离开所述开口的预定位置处，并且所述容器的内径或外径在所述台阶部分改变。当面积与所述直径恒定部分的内横截面面积相同的正圆的直径为D，并且从所述开口到所述台阶部分的上端的距离为x时，满足D≥54mm和x≥5mm。当从所述直径恒定部分的下端到所述开口的长度为L时，优选地，满足5mm≤x≤L/3或5mm≤x≤D。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于晶体生长的热分解氮化硼容器和使用该容器的用于生长半导体晶体的方法。具体地，本专利技术涉及用于生长以下晶体的热分解氮化硼容器第III-V族化合物半导体晶体，例如砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、砷化铟(InAs)和磷化镓(GaP);第II-VI族化合物半导体晶体，例如碲化镉(CdTe )、硒化锌(ZeSe )和硫化锌(ZnS );和第IV族半导体晶体，例如锗(Ge)、硅(Si)和锗硅(GeSi)。
技术介绍
通过立式晶舟法(vertical boat method)例如垂直布里奇曼法(VB法)和垂直梯度凝固法(VGF法)来生长半导体晶体，尤其是第III-V族化合物半导体晶体，例如GaAs和InP。···例如，专利文献I公开了用于通过立式晶舟法生长单晶的坩埚。所述坩埚被构造成在热分解氮化硼容器下部的直径增大部分的横向横截面形状具有包括直线的两重或三重点对称，并且该容器的柱体部分的横向横截面形状为圆形。同时，专利文献2公开了如下的坩埚，该坩埚被构成使得该坩埚内表面的周缘在所生长单晶的顶部处或其附近具有较大的直径。该坩埚是如下的氮化硼坩埚其在主要部分(主体部分)上具有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：川濑智博，藤井俊辅，羽木良明，金子秀一，高山英俊，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：
国别省市：