碳化硅衬底制造技术

一种碳化硅衬底（1）包括：基础衬底（10），该基础衬底（10）具有70mm或更大的直径；和多个SiC衬底（20），该SiC衬底（20）由单晶碳化硅制成并且在平面图中观察时并排布置在基础衬底（10）上。换句话说，多个SiC衬底（20）并排布置在基础衬底（10）的主表面上并且沿着该主表面布置。此外，SiC衬底（20）中的每一个具有与基础衬底（10）相反并且相对与{0001}面具有20°或更小的偏离角的主表面（20A）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及ー种碳化硅衬底，更具体地，涉及ー种能够降低使用该碳化硅衬底制造半导体器件的成本的碳化娃衬底。
技术介绍
近年来，为了实现高击穿电压、低损耗和在高温环境下利用半导体器件，已经开始采用碳化硅(SiC)作为用于半导体器件的材料。碳化硅是宽带隙半导体，具有比通常广泛用作用于半导体器件材料的硅更大的带隙。因此，通过采用碳化硅作为用于半导体器件的材料，半导体器件可具有高击穿电压、减小的导通电阻等。此外，有利地，与采用硅作为其材料的半导体器件的特性相比，采用碳化硅作为其材料的半导体器件具有即使在高温环境中也更少降低的特性。在这种情况下，关于用于制造半导体器件的碳化硅晶体和碳化硅衬底的制造方法，已经进行了各种研究，并且已经提出了各种构想(例如，參见美国专利申请公开No. 2006/0073707 (专利文献I)、美国专利申请公开No. 2007/0209577 (专利文献2)和美国专利申请公开No. 2006/0075958 (专利文献3))。引用列表专利文献PTL I :美国专利申请公开 No. 2006/0073707PTL 2 :美国专利申请公开 No. 2007/020957本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：堀勉，原田真，西口太郎，佐佐木信，井上博挥，藤原伸介，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：
国别省市：