一种具对称性选择晶体管的快闪存储器的布局，其特征在于所述快闪存储器的布局包括：　　　　一存储单元数组；　　　　一条多晶硅闸极，以垂直于存储单元数组的方向延伸，复数个对源／汲极分布在该多晶硅闸极两侧，以形成复数个选择晶体管；　　　　一导线...

本发明是关于一种降低集成电路制程的对准准确度要求的方法。该方法是在基底上形成一层罩幕层，并将该罩幕层形成数个第一开口，接着，再在第一开口中填入一缓冲层。其后，在基底上形成一光阻层，再将光阻层图案化，以形成一个与该些第一开口之一对应并且裸...

一种可电程序非挥发性存储单元，此存储单元包括第一电极、第二电极以及在两电极间的一材料层（如超薄氧化硅），其特征在于此材料层对应相对低电压的程序化应力，其电阻具有累进改变的特性。通过施加应力于两电极之间的材料层以建立表示储存数据的可程序电...

一种缩小半导体组件的单元间距的方法，包括：　　　　提供具有复数个图案的一基板，且这些特征图案包括一第一材质；　　　　于该基板及这些图案上形成一层，且该层包括一第二材质；　　　　移除在这些图案上表面上的该层，使这些图案暴露出来；以及　　　...

一种半导体用的扫瞄工具的校正方法，其特征在于其包括以下步骤：　　　　提供具有一标准图案的一晶圆，其中该标准图案的侧壁是呈斜坡状；以及　　　　利用一扫瞄工具扫瞄该晶圆上的该标准图案，以取得一讯号，该讯号是表现出该标准图案的侧壁处的位置，利...

一种为改善相邻记忆胞元干扰的ＯＮＯ闪存数组，其特征在于，包括：　　　　一基底，具有一第一及第二埋藏扩散区；　　　　一信道，在该第一及第二埋藏扩散区之间；　　　　一ＯＮＯ层，在该信道上方，供储存数据；　　　　一第一口袋，在该信道一侧，与该...

一种可降低光学接近效应的光罩，其特征在于：所述光罩包含：　　　　多个线状图案；　　　　多组第一辅助图案，其中每一组第一辅助图案是设置于二个线状图案之间，所述第一辅助图案是长方形，且其垂直所述线状图案方向的宽度大于平行所述线状图案方向的宽...

一种检视机构，用以检视多片晶片上的一标记，该些晶片是存放于一晶舟盒中，该机构包括：　　　　一平台，用以置放该晶舟盒；和　　　　一检视器，具有一倾斜面，并位于该平台上的一端，且该倾斜面可与该晶舟盒进行相对运动，以将该晶舟盒中的该些晶片微微...

一种形成ＰＮ接面的方法，包括：　　　　于一基底上形成一堆栈结构，该堆栈结构包括由下至上的一第一掺杂层、一介电层与一晶核层；　　　　于该基底上形成具有一开口的一绝缘层，该开口暴露出部分的该晶核层；　　　　于该开口中形成一第二掺杂层，该第二...

一种非挥发性存储器阵列结构，包含：　　　　一底材；　　　　多组隔离元件，是位于该底材中；　　　　一埋入式传导区域位于该隔离元件之间，其中该埋入式传导区域是与该隔离元件垂直；及　　　　多组栅极结构，是位于该底材上。

本发明公开一种程序编码一只读存储元件的方法及所形成的只读存储元件。依照此方法，先形成一只读存储元件的半成品，半成品中具有多个相同宽度的栅极。接着，于只读存储元件半成品上形成第一光致抗蚀剂层。第一光致抗蚀剂层被选择性地曝光，以显影一具预编...

一种只读存储器，其特征在于，包括：　　　　第一ＲＯＭ编码层，具有第一门限电压，且进行第一电压Ｖｔ调整制作过程及形成薄栅极氧化层；　　　　第二ＲＯＭ编码层，具有第二门限电压，且进行第二电压Ｖｔ调整制作过程及形成该薄栅极氧化层；　　　　第三...

一种光阻帮浦喷洒侦测电路，其特征在于，包括：　　　　一第一继电器耦合一电磁阀以侦测该电磁阀的操作状态；　　　　一第二继电器耦合该第一继电器，具被调整以因应该第一继电器的闭合而闭合；　　　　一传感器，以检查一组件的操作状态；　　　　一第三...

本发明公开了一种三维立体掩膜，通过增加掩膜上边界图案周缘的不透光层的厚度，增加入射光通过边界图案的路径长度，改善通过边界图案的入射光的光相干性，借此降低因为光干涉所造成的光学邻近效应，减少曝出的边界图案发生变形或是聚焦深度不足的问题，使...

一种用于在半导体掩模上的至少一孔洞边缘补值的样型补值方法。所述曝光和补值制作方法被模块化。一补值数据库根据特征尺寸及欲被曝光的图案来建立。在本发明的方法中，首先建立欲曝光的环境，然后找出特定的曝光模块。模块的补值结果预先建立及储存在一通...

一种形成高密度非挥发性存储器编码的方法，其特征在于，包括：　　　　提供一数组区，其具有排成数组的多个可程序化区域；　　　　在该数组区上形成图案化的遮蔽层，选择性的遮蔽所述可程序化区域，该遮蔽层具有线／空间图案；以及　　　　对该数组区中未...

一种结绝缘有源组件的形成方法，其特征在于，包括下列步骤：　　　　提供一半导体基底，该基底上具有多个预定的有源区，并且在任两个有源区之间具有至少一个预定的隔离区；　　　　形成第一栅极结构在所述有源区的部分所述基底上，并且形成第二栅极结构在...

一种记忆元件，是应用于硫属化合物（Ｃｈａｌｃｏｇｅｎｉｄｅ）相变式（Ｐｈａｓｅ－Ｃｈａｎｇｅ）非挥发性记忆体，其特征在于其包括：　　　　一上电极；　　　　一下电极；以及　　　　一相变式薄膜，夹于该上电极以及该下电极之间，其中该相变式薄膜...

一种清洗保养的方法，用于一旋转蚀刻机，其特征在于该旋转蚀刻机包括可旋转的一承载装置、至少一清洗槽与一蚀刻槽，该承载装置可在该清洗槽与该蚀刻槽之间来回移动，该承载装置上方处至少有一清洗用喷嘴可喷出一清洗液，该清洗保养的方法包括步骤如下：　...

一种提供用以形成一个半导体组件的方法，包含提供一个基底具有一层光阻层形成于其上，再在至少一部分的光阻层上提供一个光罩，此光罩具有一个主图案以及一个辅助图案。这个方法更包含转移主图案到光阻层，以及在基底上形成一个图案，如此一来可缩减因光学...