使用反光学邻近效应形成光阻图案的方法技术

一种提供用以形成一个半导体组件的方法，包含提供一个基底具有一层光阻层形成于其上，再在至少一部分的光阻层上提供一个光罩，此光罩具有一个主图案以及一个辅助图案。这个方法更包含转移主图案到光阻层，以及在基底上形成一个图案，如此一来可缩减因光学邻近效应所造成的过度圆角。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种制造半导体组件的方法，且特别是有关于一种使用反光学邻近效应(anti-optical proximity effect，anti-OPE)形成光阻图案(photoresist pattern)的方法。
技术介绍
微影制程是一种用于半导体组件的制作中常见的制程或技术。通常一个基底或晶圆会被涂上一层光敏材料(light-sensitive material)，如一光阻。使用一个图案化光罩，将晶圆暴露于射线下而显露一种光化学效应(photochemical effect)于光阻上，以产生印于光阻上的一种光阻图案。由于光学邻近效应而使光阻图案的大小与形状可能与光罩图案不同。过度的圆角(excessively rounded corner)一般会导致如线收缩(lineshortening)的问题，而使光阻图案的长度被缩短。此外，过度的圆角会使控制光阻图案的关键尺寸(critical dimension)变得困难。结果，半导体组件的品质与良率将被恶化。而缩减过度的圆角的一种方法可施行多道微影制程与多道蚀刻制程，以产生一种矩形光阻图案。不过这种方法较为复杂且需要较多的时间本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种使用反光学邻近效应形成光阻图案的方法，其特征在于包括：提供一个基底，该基底上具有一层光阻层；在至少一部份的该光阻层上提供一个光罩，该光罩具有一个主图案以及一个辅助图案；转移该主图案到该光阻层；以及在该基底 上形成一个图案。

【技术特征摘要】
US 2003-9-23 10/668,6981.一种使用反光学邻近效应形成光阻图案的方法，其特征在于包括提供一个基底，该基底上具有一层光阻层；在至少一部份的该光阻层上提供一个光罩，该光罩具有一个主图案以及一个辅助图案；转移该主图案到该光阻层；以及在该基底上形成一个图案。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该辅助图案是配置于邻近该主图案；以及该辅助图案不与该主图案重叠。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该主图案以及该辅助图案可遮蔽以阻挡射线到达部份的该光阻层；该主图案以及该辅助图案被形成于一片透明光罩片上；以及该辅助图案是一类分散条。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该主图案被遮蔽以阻挡射线到达一第一部份的该光阻层；该辅助图案大体上为曝光波长的四分之一，以使射线通过一第二部份的该光阻层；该主图案以及该辅助图案被形成于一片透明光罩片上；以及该辅助图案是一类分散条。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该主图案具有若干个角；该辅助图案被配置于接近该主图案的至少一这些角；以及该辅助图案不与该主图案接触。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该辅助图案是一类分散条；以及该主图案以及该辅助图案具有一矩形形状。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该主图案具有一长度与一宽度，该长度大于或等于该宽度；该辅助图案具有一长度与一宽度，该长度大于或等于该宽度；该主图案的该长度被定向平行于该辅助图案的该长度；以及该辅助图案的该宽度是在60nm～80nm之间。8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该主图案具有一长度与一宽度，该长度大于或等于该宽度；该辅助图案具有一长度与一宽度，该长度大于或等于该宽度；该主图案的该长度被定向垂直于该辅助图案的该长度；以及该辅助图案的该长度是大于该主图案的一半该宽度。9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中转移该主图案到该光阻层包括在该主图案上施行一个曝光制程；该曝光制程不会转移该辅助图案到该光阻层；以及该曝光制程被施行在0.1秒～2.0秒之间。10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中转移该主图案到该光阻层包括在该主图案上施行一个曝光制程；以及该曝光制程包括暴露在20毫焦耳/平方公分到50毫焦耳/平方公分之间的能量。11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中转移该主图案到该光阻层包括在20毫焦耳/平方公分到50毫焦耳/平方公分之间的能量范围内暴露该主图案；以及在能量下暴露该主图案是在0.1秒～2.0秒之间。12...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨金成，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]