一种形成不具有一侧叶（ｓｉｄｅｌｏｂｅ）的光致抗蚀剂层的方法，其利用对一光掩模进行曝光完成，该光掩模具有一侧叶区、一图案区以及一中间区，其中，该侧叶区对应于该光致抗蚀剂层产生该侧叶的区域，该图案区对应于该光致抗蚀剂层产生一图案的区域，该...

一种降低半导体组件中二硅化钴层的电阻值的制造方法，包括步骤如下：　　　　提供一硅衬底；　　　　形成一金属钴层于该硅衬底上；　　　　藉由一第一次退火处理，形成一硅化钴（ＣｏＳｉ）层于该硅衬底与该金属钴层的交界处，其中，一未反应的金属钴层残...

一种自动计算在半导体工艺步骤中，在一晶片上增加的粒子的方法，该方法包括：　　　　自动地记录工艺前粒子数据，该工艺前粒子数据中包括粒子位于该晶片上的位置信息；　　　　自动地记录工艺后粒子数据，该工艺后粒子数据中包括粒子位于该晶片上的位置信...

一种形成倍密式字符线的方法，包括下列步骤：　　　　提供一半导体基底；　　　　在该半导体基底上依序形成一多晶硅层、一第一绝缘层、一第一牺牲层、一第二绝缘层及一具有开口部的图案化光阻层，该开口部露出部分该第二绝缘层；　　　　以该光阻层为蚀刻...

一种晶片处理炉每小时晶片处理量参数监控系统，其特征是，该系统包括：　　　　一数据库，该数据库包括两个或两个以上晶片处理炉处理历史记录；　　　　一分析装置，其连接到数据库，该分析装置包括：　　　　一检索逻辑元件，其检索该数据库中至少一处理...

一种浅沟渠隔离结构的制造方法，其特征在于，包括：　　　　提供一基底；　　　　于该基底中形成复数个沟渠；　　　　施行一电泳沉积制作工艺，以于该些沟渠内填满一绝缘层；以及　　　　施行一烧结制作工艺。

一种炉管产能监视系统，包括：　　　　一撷取模块，用以撷取一炉管中的一实际参数资料；　　　　一数据库，用以储存复数个固定标准参数资料、复数个实时标准参数资料、以及该实际参数资料；　　　　　一计算模块，该计算模块根据该些固定标准参数资料及该...

一种形成具有圆化边角的接触窗口的方法，其特征是，包括：　　　　于一基底上依序形成一介电层以及一图案化光阻层；　　　　进行一等向性蚀刻工艺与一主要蚀刻工艺，以于该介电层中形成一接触窗口；　　　　进行一光阻边缘清除工艺，以移除部分的该光阻层...

一种化学机械研磨工艺，适于利用一研浆研磨一基底上的复数个待研磨物，其特征在于，利用一研磨垫对该基底进行化学机械研磨之前，先利用一软质研磨垫对该基底进行一预研磨工艺，以去除该些待研磨物的凸出部，其中该软质研磨垫的材质密度较该研磨垫的材质密...

一种形成叠合标记的方法，其特征在于，包括：　　　　在一基底上形成一材料层；　　　　图案化该材料层，以形成一外部标记，并且同时形成一分散应力图案，该分散应力图案将该外部标记包围起来；　　　　在该材料层表面形成一第一膜层；　　　　进行一平坦...

一种使半导体沉积层平整的方法，至少包括下述步骤：　　　　提供一基材；　　　　用高密度等离子化学气相沉积法（ｈｉｇｈ　　ｄｅｎｓｉｔｙ　　ｐｌａｓｍａ　　ｃｈｅｍｉｃａｌ　　ｖａｐｏｒ　　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ＨＤＰ　　ＣＶＤ）在上述基材...

一种改善纯二氧化硅（ＵＳＧ）层与磷硅玻璃（ＰＳＧ）层界面缺陷的方法，其中，上述磷硅玻璃层沉积在上述纯二氧化硅层上方，通过一流量控制装置调节磷化氢（ＰＨ↓［３］）气体的流量而形成磷硅玻璃层，进行主要沉积工序时，上述磷化氢气体的流量需达Ｘｓ...

一种形成叠合标记的方法，其特征是，该方法包括：　　　　在一基底上形成一材料层；　　　　图案化该材料层，以形成一外部标记；　　　　在该材料层的表面上形成一第一膜层；　　　　进行一平坦化步骤，以移除部分该第一膜层；　　　　在该材料层上形成一...

一种增进氮化硅只读存储器的存储单元保持力的方法，其特征在于，该氮化硅只读存储器已形成于一晶圆上，该增进氮化硅只读存储器的存储单元保持力的方法包括下列步骤：　　　　对该晶圆进行一烘烤工艺，其中该烘烤工艺于进行该晶圆的一最后电浆工艺之后且于...

一种只读存储器的制造方法，其特征在于，包括：　　　　于一基底上形成一电子捕捉层结构；　　　　图案化该电子捕捉层结构以形成复数个开口；　　　　进行一第一离子植入制作工艺，以于该些开口中的该基底中形成一第一掺杂区；　　　　进行一第二离子植入...

一种半导体的三明治抗反射结构金属层，其特征在于它包括：　　　　第一Ｔｉ膜层；　　　　第一ＴｉＮ膜层，位于第一Ｔｉ膜层上；　　　　第二Ｔｉ膜层，位于第一ＴｉＮ膜层上；　　　　第二ＴｉＮ膜层，位于第二Ｔｉ膜层上。

一种高速非挥发性存储器装置，其特征是，该装置包括：　　　　至少一个存储器晶胞；　　　　一第一参考晶胞；　　　　一第二参考晶胞；　　　　一第一感应放大器，其耦接至该第一参考晶胞与该存储器晶胞以决定该第一参考晶胞与该存储器晶胞间的一电压差；...

一种制造ＯＮＯ介电质的方法，其特征在于，包括：　　　　提供一晶圆基底；　　　　利用一单一晶圆低压化学气相沉积氧化制作工艺，于该晶圆基底上形成一第一氧化层；　　　　利用一单一晶圆氧化制作工艺，于该第一氧化层上形成一第二氧化层；　　　　利用...

一种非挥发性存储器的制造方法，其特征是，该方法包括下列步骤：　　　　提供具有一存储单元区与一外围元件区的一基底；　　　　形成一电子陷入层，该电子陷入层至少覆盖该存储单元区的部分；　　　　形成一第一栅极层，该第一栅极层至少覆盖该电子陷入层...

一种半导体图案化光致抗蚀剂层的重作工艺，至少包括：　　　　提供一衬底，该衬底上依序形成有一第一抗反射介质涂层、一第一光致抗蚀剂助黏层及一第一图案化光致抗蚀剂层；　　　　去除该第一抗反射介质涂层上的该第一图案化光致抗蚀剂层及该第一光致抗蚀...