一种预防晶圆重复沉积的方法。本发明会检查两种信号，分别是状态重设信号及卡匣卸载信号。如果在预定时间周期内，在状态重设信号送出之前，不存在卡匣卸载信号，则会使机台停止，以防止卡匣中的晶圆重复沉积。而如果在预定时间周期内，在状态重设信号送出...

一种具有自行对准接触窗的存储器元件的制造方法及结构，此方法是于形成闪存元件的控制栅极之后，在每一栅极结构的侧壁形成间隙壁，再于基底上形成另一介电层，覆盖控制栅极。随后，图案化此介电层以及位于控制栅极下方的介电层，以在两相邻的控制栅极之间...

一种罩幕式只读存储器的制造方法，此方法于一基底上依序形成栅极介电层与条状的复数第一导体层，再于基底与第一导体层上形成介电层。接着，图案化介电层以形成复数的编码开口，其中每一编码开口底部暴露出第一导体层，再于编码开口底部的第一导体层中形成...

一种闪存的制造方法，此方法在基底上依序形成穿遂介电层与导体层，之后图案化此导体层，以形成浮置栅极（ｆｌｏａｔｉｎｇ　ｇａｔｅ），然后于此浮置栅极两侧的基底中形成源极／漏极区。接着，形成一栅间介电层，此栅间介电层之中包含一氧化层，该氧化层...

一种于衬底上制造集成电路的方法，该衬底具有一位于一阵列区域中的非易失性存储器与一位于一非阵列区域中的一其它电路，该制造方法包括：　　　　形成一栅极介电层于该阵列区域与该非阵列区域；　　　　覆盖一第一多晶硅层于该栅极介电层上方；　　　　覆...

本发明涉及一种预防自对准金属硅化物桥接的半导体结构及其方法，该半导体结构包含一内存阵列结构，该内存阵列结构包含多条平行的字符线；多条平行的位线，其中该每条字符线与该每条位线垂直；以及一第一虚拟字符线，设置于该内存阵列的周边区域，其中该第...

一种多层半导体集成电路及其所使用的光罩与其制造方法，该集成电路具有多层图案结构，其中的一图案结构层具有一正式图案布局以及一虚设图案布局；本方法是先提供一正式图案布局，再配合一规则的虚设图案布局，并利用逻辑操作将此虚设图案布局与该正式图案...

一种生成氧化膜的连续干式／湿式／干式氧化方法，用于在基片上生成一个氧化膜。先采用一个第一干式氧化工艺，以致密化原生氧化膜。然后，采用一个湿式氧化工艺，以生成氧化膜。接着，进行一个第二干式氧化工艺，以降低俘获电荷密度。

本发明涉及一种双层光阻的形成方法及其应用；双层光阻的形成方法是首先在一基体上，形成图案化的一第一光阻层；接着，固化该第一光阻层，使该第一光阻层不溶于光阻溶剂；最后，在被固化的该第一光阻层上，形成图案化的一第二光阻层；此双层光阻的形成方法...

一种集成电路护层的结构，其形成于一具有组件的基底上，其包括：形成于基底上的ＵＶ氮化硅层（ＵＶＳｉＮ）；形成于氮化硅层上的无掺杂硅玻璃层；以及形成于无掺杂硅玻璃层上的氮氧化硅层。其中，无掺杂硅玻璃层是以次常压化学气相沉积法（ＳＡＣＶＤ）形...

一种半导体制程，提供一具有垫氧化层基底，且此基底上可分为记忆胞区、周边电路区以及动态随机存取储存器区。于记忆胞区中形成数个图案化埋入式汲极区，然后于周边电路区以及动态随机存取储存器区中形成数个沟渠。接著去除基底上的垫氧化层，再于沟渠表面...

本发明提供一种自动化形成半导体实验元件布局的方法与系统，其包括备置一程式系数化元件，内含至少一代表实验元件布局所会变化尺寸的参数以及所述的参数与布局间的关系，然后依所述的程式系数化元件产生多个根据各种参数变化下的数值化元件资料，并通过一...

一种于间距缩小工艺中整合存储单元数组区与周边电路区的方法，此方法于间距缩小工艺中的第二次形成高分子层的步骤之前，形成罩幕层以覆盖基底并暴露出存储单元数组区，并且，此罩幕层重叠覆盖于存储单元数组区的边缘区域上，使得此存储单元数组区被罩幕层...

一种整合集成电路组件和微机电系统的制造方法，包括下列步骤：提供一基板，具有一集成电路（ＩＣ）组件区以及一微机电系统组件区，其中上述集成电路组件区形成有一集成电路组件；沉积一绝缘层于上述集成电路组件区以及微机电系统组件区上；蚀刻上述绝缘层...

一种浮置栅极存储单元（ｆｌｏａｔｉｎｇ　ｇａｔｅ　ｍｅｍｏｒｙ　ｃｅｌｌ），包括一基板，且基板有一漏极（ｄｒａｉｎ）和一源极（ｓｏｕｒｃｅ）并以一通道（ｃｈａｎｎｅｌ）隔绝；一浮置栅极，位于通道上方并以一第一绝缘层隔离；和一控制栅极（ｃ...

一种只读存储器的制造方法，此方法是在基底上形成氮化硅堆栈层，接着，进行蚀刻工艺以定义氮化硅堆栈层，并保留底氧化层。然后，进行清洗工艺以清除蚀刻工艺所残留于定义过的氮化硅堆栈层侧壁与底氧化层表面的微粒，其后，进行离子植入工艺以于定义过的氮...

一种防止微影工艺对准失误的结构与方法，其应用在金属内连线的微影工艺中，此方法首先在一基底上方的一结构层上形成一铝层。接着，在铝层的表面上形成一抗反射层，其中此抗反射层是由至少二钛层以及至少二氮化钛层交错堆栈而成。由于抗反射层是由至少二钛...

一种非挥发性存储单元阵列的操作方法，适用于操作ＮＡＮＤ型存储单元阵列，其中各个存储单元具有电荷陷入层。在进行此非挥发性存储单元阵列的操作时，利用Ｆ－Ｎ穿隧效应进行整个存储单元阵列的抹除，并利用热电洞注入效应进行单一存储单元单一位的编码。...

一种消除密集图案与单一图案的关键尺寸偏差的方法，此方法是先提供一个光罩，此光罩至少分成密集图案区与单一图案区。其中，密集图案区与单一图案区各自设置有不透光膜图案，而光罩的其它部分为透光区。然后，在单一图案区的周围形成虚拟图案，此虚拟图案...

本发明公开一种晶片无墨点测试方法及系统。测试晶片，并输出测试数据。接收测试数据，并产生测试图像。根据测试图像的旋转角度及坐标系统，以旋转测试图像，使得测试图像为同向。重叠已同向的测试图像，并产生晶片图像。整合晶片图像及标准修边图像，并产...