本发明公开了一种在半导体制造流程中防止晶圆污染的方法；本方法包括判定污染源制造工序并定义污染源制造工序后续的改善处理；此方法会追踪晶圆在半导体晶圆制造流程设备（ｆａｂ）中的制造流程记录，并在晶圆经过判定的污染源制造工序后或经过定义的改善...

本发明公开了一种在半导体装置上形成自对准金属硅化物的方法，包含下列步骤：提供一基底；在基底上形成第一介电层；在第一介电层上沉积一复晶硅层以形成至少一复晶硅栅极结构；在复晶硅栅极结构与基底上沉积一顺应性介电层；沉积第二介电层于该顺应性介电...

一种形成多层低介电常数双镶嵌连线的制程，包括沉积具有第一低介电常数的第一介电层于基底上，蚀刻第一介电层，以形成许多双镶嵌通孔穿过第一介电层到达基底，于每个双镶嵌通孔内形成被阻隔层包覆的铜导体塞，回蚀刻第一介电层，以形成许多沟渠介于许多双...

本发明公开了一种半导体元件的制造方法，此方法是定义一基底，于此基底上沉积一层第一材质层，然后于此第一材质层上提供一层光阻层，接着图案化及定义此光阻层，以形成至少一大致上是垂直的侧壁及一大致上是水平的表面。其中该垂直侧壁，其表面呈现“驻波...

本发明公开了一种形成开口的方法，此方法是首先在一基底上形成一第一介电层，并且在第一介电层上形成一第二介电层，其中第一介电层的蚀刻速率小于第二介电层的蚀刻速率。之后在第二介电层上形成一图案化的光阻层，然后以此光阻层为一蚀刻罩幕进行一蚀刻工...

一种双自行对准硅化物制造方法，其包括在基底上形成掩模层，而基底上已形成有第一晶体管与第二晶体管，且第一晶体管的栅极的上表面略高于第二晶体管的栅极的上表面。接着图案化掩模层以暴露出第二晶体管的栅极、源极与漏极，再分别于第二晶体管的栅极、源...

一种罩幕式只读存储器的结构及其制造方法，此结构包括一基底；一埋入式位线，配置在基底中；一图案化的堆栈层，配置在部分基底的表面上，其中此堆栈层由一第一介电层、一终止层以及一第二介电层所构成；一栅氧化层，配置在部分基底的表面上；以及一字符线...

一种于半导体元件的制造中缩小间距的方法，其特征是，该方法包括：　　　　提供一半导体基底，其具有至少一导电特征图案以及与其邻接排列的复数个介电特征图案；　　　　在该些介电特征图案上形成高分子材料层，且部分该高分子材料层覆盖住邻接于该些介电...

一种形成连结垫结构的方法，其特征是，其步骤包括：　　　　沉积一内层介电层于一上层导体层上；　　　　于该内层介电层中定义一在该上层导体层上方具有复数个独立介电质岛的结构；　　　　沉积一阻障层于该些独立介电质岛上；　　　　形成一导体材质于该...

本发明涉及一种降低基底缺陷的高掺杂浓度的离子布植方法，对一基底进行一高浓度（１Ｅ１４－１Ｅ１６ａｔｏｍ／ｃｍ↑［２］）离子布植程序，其中该离子布植程序包含一低离子束电流，该低离子束电流的范围为１－７ｍＡ。因此，本方法利用该低离子束电流来...

一种管路中液体与液位的侦测预警系统，适于配置在一液体输送装置中，该液体输送装置中具有经由一管路依序相连的盛装液体用的一液体瓶、用来防止该液体瓶空乏后于该管路中产生气泡的一液体暂存筒、将该液体从该管路中排出的一出口装置，以及在该出口装置下...

一种制造氮化硅只读存储器的方法，可防止工艺期间有过度蚀刻的情形发生，此方法是于基底上先形成氧化硅／氮化硅／氧化硅堆栈层，再于此一堆栈层上形成一层保护层。然后，进行一蚀刻工艺，以图案化保护层与堆栈层，并暴露出部分基底。接着，进行一清洗工艺...

一种编码布植工艺，其首先在一基底上形成一栅氧化层与多条字符线，其中字符线的顶部的更形成有一顶盖层。之后，在未形成有字符线与顶盖层的基底上方形成一介电层。接着，在介电层与顶盖层上形成具有一线／间距图案的一光阻层，其中线／间距图案所延伸的方...

一种罩幕式只读存储器的结构及其制造方法，此结构包括一基底；复数个栅极，配置在部分基底之上方；一栅介电层，配置在基底与栅极之间；复数条埋入式位线，配置在栅极两侧的基底中；一绝缘层，配置在埋入式位线的上方以与栅极之间；复数条字线，每一字线以...

一种连续异常缺陷快速警示系统及方法，包括使用一缺陷资料统计系统统计缺陷扫描站所取得的缺陷检测资料以制作一缺陷检测资料趋势图、一缺陷资料分析系统在固定时间内分析该缺陷检测资料趋势图，并记录连续异常缺陷事件以制作一缺陷警示报表，以及一电子邮...

本发明涉及一种多晶硅自行对准接触插塞与多晶硅共享源极线，形成于一半导体组件中，该半导体组件包括有沿Ｙ轴方向相邻的一第一单元与一第二单元，每一个单元中包括有：一第一栅极结构以及一第二栅极结构，定义形成于一半导体硅基底的表面上；一侧壁子，分...

一种含有二极管的掩模式只读存储器，其特征在于：　　　　一半导体基底；　　　　一绝缘层，位于该半导体基底上；　　　　在第一方向设置的多条第一导线，位于该绝缘层上；　　　　多个垂直式二极管，位于该第一导线上；　　　　多个介电层，位于部分二极...

一种浅沟渠隔离结构的制造方法，其特征在于：包括下列步骤：　　　　提供一基底；　　　　在该基底上依序形成一垫氧化层和一罩幕层；　　　　依序定义该垫氧化层、该罩幕层和部分该基底以形成一沟渠；　　　　在该沟渠的内表面与该罩幕层表面形成共形的一...

一种研磨垫整理装置，适用于研磨半导体晶片的化学机械研磨设备中，其特征在于，包括：　　　　一研磨垫，具有一相反电极设置于该研磨垫内；　　　　一研磨垫整理器，具有一研磨盘及一研磨支撑架，且该研磨垫整理器内设置有一电极；以及　　　　一偏压产生...

一种条件式重工生产流程的控制方法，用以控制一批晶片于一主流程上所进行的工艺，该主流程包括一前站及一后站，其中该前站具有一重工流程，而该后站具有一指定机台，其特征是，该控制方法包括下列步骤：　　　　设定一条件式重工机制；　　　　当该批晶片...